“人的全面发展”理论在高校思想政治理论课中的运用

高校思想政治理论课应该重视"人的全面发展"理论的教育。目前高校思想政治理论课使用的统编教材都在不同程度上反映出马克思主义"人的全面发展"理论中国化的成果:《马克思主义基本原理》体现着马克思主义"人的全面发展"理论是"人的全面发展"理论中国化的思想基础;《中国近现代史纲要》概括了"人的全面发展"理论中国化的传统思想资源;《毛泽东思想和中国特色社会主义理论体系概论》总结了"人的全面发展"理论的中国化成果;《思想道德修养与法律基础》则提出了"人的全面发展"理论对于当代大学生的具体要求。     

α2-Ti-25Al-xNb合金力学性质的第一原理计算

采用第一原理赝势平面波方法计算了D0_19结构的α_2-Ti-25Al-xNb(x=O—12,原子分数,%)晶体的弹性模量(B, G和E)和抗拉强度(σ_b),并利用Cauchy压力(c_(12)-C_(44))与G/B比值表征和评判了不同浓度Nb合金化时α_2一Ti-25Al- xNb合金的韧脆化倾向.结果表明:在x=2—12时,α_2-Ti-25Al-xNb晶体的抗拉强度(σ_b)与σ_2相合金的弹性模量(B, E和G)随x增加而增大;在x=0—6时,α_2-Ti-25Al-xNb合金脆性有一定改善,且x值越大韧化效果越好;但在x=7—9时,相对于α_2-Ti_3Al,合金脆性不但没有得到弱化,反而随x增加而加剧;随后,当x进一步增大时,合金脆性又随x增加再次得到改善,至x=12时,α_2-Ti-25Al-xNb合金的韧化效果最好.通过电子态密度(DOS)和投影电子态密度(PDOS)等电子结构的分析,初步解释了Nb的这种强化与韧化作用.     

球磨条件下Fe合金化改善MgH2体系性能的机理

基于密度泛函理论的第一原理方法,通过计算清洁、空位缺陷Mg(0001)表面吸附氢分子(H2)前后以及Fe合金化镁氢化合物(MgH2)体系的能量与电子结构,对球磨条件下Fe合金化改善MgH2体系性能的原因进行初步探讨。结果表明:与清洁Mg表面相比,由于球磨改变了Mg颗粒的表面结构,使Mg表面产生较多缺陷,而缺陷的存在增强了H2的物理吸附能力,并且Mg表面向H2转移的电荷数增多,因而体系球磨后具有较好的吸氢性能;而在Fe合金化MgH2体系中,Fe固溶于MgH2中形成(MgFe)H2固溶体和合金化形成少量Mg2FeH6相,MgH2系结构稳定性均降低,对应体系解氢性能增强。分析电子结构发现:空位缺陷有助H2吸附于Mg表面,与Mg(0001)表面最上层与H2直接产生吸附作用的金属原子在费米能级(EF)附近s轨道的成键电子数密切相关;在Fe合金化MgH2体系中,与合金化元素Fe近邻的H原子形成空位的难度增加,H原子较难释放;与Mg近邻的H原子形成空位的难度减少,H原子容易释放;Fe合金化导致Mg-H之间存在较弱的成键作用,因此,MgH2体系的解氢性能得到提高。     

氧化铝/氧化硅溶胶对碳纤维表面的处理及应用

采用溶胶-凝胶( sol-gel) 技术, 以正硅酸乙酯、三氯化铝和硝酸铝为基本原料, 按3Al₂O₃/2SiO₂的组成配制成溶胶。将此溶胶对碳纤维进行涂覆并无机化, 得到纤维单丝表面均匀致密的氧化物涂层。在高温下此涂层可从氧化物转变为莫来石晶型。涂层对碳纤维的高温抗氧化性有显著提高, 并且增强了碳纤维与铝基体和碳化硅陶瓷基体的复合性能。      

改进的FAST算子耦合投影约束法则的图像匹配算法

目的针对当前较多图像匹配算法主要通过对特征点的相似性进行度量来优化匹配特征点,忽略了特征点之间的投影相关性,导致算法的鲁棒性下降、匹配错误度较高的问题,文中提出了基于改进FAST算子耦合投影约束法则的图像匹配算法。方法首先,利用FAST算子提取图像特征点,并通过Harris算子去除FAST算子中的伪特征点,充分获取稳定特征点。然后,利用圆域内像素点的高斯曲率值,对特征点进行描述。最后,利用归一化互相关系数(Normailizedcorrelationcoefficient,NCC)对特征点进行匹配。并通过特征点之间的投影关系函数计算特征点的投影值,并根据投影值建立投影约束法则,以去除错误配点,优化匹配精度。结果实验数据显示,与当前图像匹配技术相比,所提算法具有更好地鲁棒性与匹配精度,在多种几何攻击下,所提算法的正确匹配率仍可维持在90%以上。结论所提算法在各类几何变换下仍具有良好的匹配精度,在图像处理、信息安全等领域具有良好的参考价值。     

EL检测PERC电池中间缺陷成因及改善方法的研究

电致发光（EL）检测是PERC太阳电池生产中常用的缺陷检测方法，其中位于太阳电池中间位置缺陷的降级占EL检测不良降级的50%以上，成为了各大太阳电池制造企业EL检测良率突破99%的主要障碍。为找到缺陷的成因并改善这种问题，进而提升太阳电池的质量降低制造成本，该文对太阳电池EL检测下中间位置出现缺陷的原因进行分析研究。通过QE测试和元素成分分析排除由硅片质量和杂质污染所引起缺陷的可能性，再结合电化学电容-电压方法（ECV）及扫描电镜（SEM）测试，确定PERC电池中间位置缺陷的产生是由于扩散工艺表面杂质浓度过高所导致的。该文针对缺陷成因提出有效的解决方案有助于提升太阳电池的质量及EL检测良率。     

单晶硅太阳电池两步制绒工艺的研究

为了减少单晶硅太阳电池的光学损失，需在硅片表面制备大小合适且分布均匀致密的金字塔结构。基于此目的，在一步制绒基础上开发出两步制绒工艺，即原硅片依次经过两个化学溶液配比不同、反应时间不同的制绒槽。第1个槽药液浓度较高，化学反应速率较快，金字塔能够快速成核生长；第2个槽药液浓度较低，化学反应速率较慢，从而获得结构独立且均匀性较好的金字塔。实验表明：第1个槽的最佳反应时间在250～300 s，第2个槽的最佳反应时间在100～130 s。相对于一步制绒工艺，两步制绒工艺形成的硅片表面反射率降低0.5%，增加了表面对光的吸收，可使太阳电池获得更高的光电转换效率。