适用于IGBT串联系统集成的驱动电路

为了减少电力电子装置的体积和重量,提高功率密度和变换效率,且避免器件高频工作时,驱动线路寄生参数引起的电磁干扰（EMI）问题,最大限度地提高装置的性能和可靠性,有必要将绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）串联驱动电路集成到芯片级的串联模块当中,并实现标准化大规模生产.通过对现有IGBT串联驱动辅助电源拓扑的归纳总结和横向比较表明：在体积、价格和结构复杂程度上,非隔离型的IGBT串联驱动辅助电源均较隔离型的IGBT串联驱动辅助电源有较大优势,因而认为其更适合集成化的串联系统,并在此基础上针对性地提出了自举型驱动辅助电源拓扑,并给出了关键参数的设计方法和可能存在的技术问题及解决方案,这有利于器件（IGBT）串联技术能更有效地应用到中高压、大功率变换装置的工程实践.     

Boost变流器传导电磁干扰的近场耦合模型

为了准确地分析功率变流器的无源元件相互之间的近场电磁耦合对变流器的电磁干扰的影响,以典型的Boost PFC变流器为实例,对包括磁场耦合和电场耦合的近场耦合效应进行研究和建模.基于阻抗 频率特性测量,建立Boost电感和电容的等效电路模型.在此基础上,采用场仿真的方法,通过Ansoft HFSS软件仿真获得的Z参数与Y参数,提取出各互感参数和寄生电容参数来反映磁场耦合和电场耦合,分别建立相应的磁场耦合与电场耦合模型,进而得到完整的近场耦合模型.通过对比仿真与实验测量的电压增益,验证了该模型的正确性和实用性.研究结果表明,磁场耦合比电场耦合对差模传导噪声的影响大.