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基于标准CMOS工艺设计了一款集成热真空传感器、运算放大器、逐次逼近型模数转换器(SAR ADC)、数字信号处理电路的传感器系统。工作在恒电流模式的传感器,气压敏感区间为1~105Pa。运算放大器(OPAMP)的输入级采用互补差分对获得轨至轨的共模输入范围。为满足精度要求,对SAR ADC中数模转换器电容阵列进行优化设计,并采用输出失调存储技术消除比较器的失调电压。数字电路采用查表法将电压信号变换为气压值。结果表明:运算放大器能无失真地驱动200Ω电阻,模数转换器的有效位为9.5 bit。运算放大器、模数转换器、数字信号处理电路性能良好,满足传感器系统要求。 相似文献
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硅电容传感器中静电封接工艺技术的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
对于新近发展起来的新一代结构型力敏器件,如硅电容力敏器件、电容型加速度力敏器件等,常规的静电封接工艺已无法满足其小间隙(间隙通常小于10 μm)封接的特殊要求,封接后会造成极板间的粘连,导致器件失效.文中结合电容传感器的结构特点,提出了一种小间隙,非粘连的静电封接工艺方法,确定了相应的封接温度、封接电压、封接时间的选择原则,论述了容性器件封接中的相关问题.该工艺已成功地应用于硅电容传感器的制作中,效果良好,对于结构型力敏器件的制作具有较强的实用价值. 相似文献
34.
电容式压力传感器的线性化校正与温度补偿 总被引:2,自引:0,他引:2
论述了利用最小二乘法和牛顿插值法对电容式压力传感器的非线性和温度影响进行校正和补偿的方法。对电容式压力传感器信号存在非线性和温漂问题的机理进行了分析。采用最小二乘法对传感器输出信号进行非线性校正,然后利用牛顿插值法进行温度补偿。测试结果表明,在-40~85℃温度范围内实现了0.04%的测量精度。 相似文献
35.
扩散硅压力变送器的精密温度补偿 总被引:3,自引:0,他引:3
文中介绍了扩散硅压力传感器温度补偿的一种新方法,以及采用MAX1457精密补偿全温区(-30~ 80℃)压力变送器(4~20mA输出)的关键事项。 相似文献
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利用边界条件推导出SH波在多层介质系统中的转移矩阵,得出了SH波在一维固-固结构声子晶体中的色散函数。利用色散函数研究了SH波在一维固-固结构声子晶体中的全反射隧穿效应,得出SH波的全反射隧穿导带的特征:全反射隧穿导带的频率中心随入射角的增加而向高频方向移动,全反射隧穿导带的频率宽度随入射角的增加而减小;全反射隧穿导带的频率中心和频率宽度都随周期厚度的增加而减小。 相似文献
37.
注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应 总被引:1,自引:0,他引:1
针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应.研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅[110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大.在300℃条件下,硅[110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作. 相似文献
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介绍了压阻型扩散硅压力传感器的温漂及补偿方法,设计了一种基于USB接口传递的数字压力传感器实现温漂的数字补偿.传感器包括了压力传感器、补偿电路和上位机界面等3部分.对数字补偿的硬件电路进行了详细介绍,数字补偿电路以ATmega8单片机和FT232为核心.传感器通过采集压力传感器的输出信号,再对采集到的信号进行分析处理后将数据打包通过USB接口给上位机,压力值在上位机界面显示出来,可实现对测量压力的数字化补偿和实时传送. 相似文献
40.
为了研究大型LED方形阵列照度均匀度的变化规律,利用大型LED方形阵列照度分布的对称性,建立了大型LED方形阵列照度均匀度的理论模型,得出大型LED方形阵列照度均匀度的公式以及计算方法。利用这些公式和计算方法研究并得出了大型LED方形阵列照度均匀度的变化规律。这些公式和计算方法较之前的公式和计算方法更加简捷和便于数值计算,为研究大型LED方形阵列的照度均匀性提供了理论依据,也为大型LED方形阵列的照度均匀性设计提供了简便方法,弥补了之前对大型LED阵列照度均匀性研究理论和研究方法上的不足。 相似文献