力敏传感器专用工艺装备研究

"力敏传感器专用工装设备"研究是国家关于"传感器产业化技术"研究的重大项目之一,是研制、开发和生产高性能传感器的技术保障.其工艺水平的高低直接决定传感器产品的性能和质量.本文从攻关解决的关键技术、创新点、技术水平及对我国传感器产业技术进步的影响、知识产权等角度介绍力敏传感器科研生产所必需的几台关键设备的攻关成果及所取得的技术水平和主要成绩.     

金属材料对M-PC-M结构中光学Tamm态的影响

为了研究金属材料对金属-光子晶体-金属结构中的Tamm态的影响,采用Drude-Lorentz色散模型研究了金和银复折射率的特性,得出了复折射率的实部和虚部随波长的变化规律。并对Au-PC-Au和Ag-PC-Ag中的光学Tamm态随金属厚度、入射角、周期数的变化规律进行了对比研究。得出:在Au-PC-Au和Ag-PC-Ag中都会出现两个光学Tamm态,即OTS1和OTS2。Au-PC-Au和Ag-PC-Ag中光学Tamm态的中心波长和透射峰值随金属厚度、入射角、周期数的变化规律是一致的。但Ag-PC-Ag中光学Tamm态的透射峰值明显大于Au-PC-Au中光学Tamm态的透射峰值,Ag-PC-Ag中OTS1和OTS2的分离程度明显大于Au-PC-Au中OTS1和OTS2的分离程度。     

扩散硅传感器硅油充灌装置的研究

在高精度扩散硅传感器的生产中,急需采用一种净化好、充灌效率高的硅油充灌装置来满足生产需要。该装置解决了扩散硅传感器的硅油净化和充灌问题,满足了传感器隔离膜片对感受到的介质压力进行无损传递的要求,提高了扩散硅传感器的精度,特别是扩散硅传感器的温度特性和长期稳定性。本文介绍了该装置的工作原理、结构和几个技术问题。     

一维光子晶体全反射隧穿效应中光的场分布

为研究一维光子晶体全反射隧穿效应中光场的分布特征,推导出TE波在一维光子晶体中光场的分布公式,利用这个公式研究了一维光子晶体全反射隧穿现象中光场在光子晶体内部的分布特征。得出在出现全反射隧穿透射峰处,随着光在一维光子晶体内的传播深度的增加其光场分布呈周期性变化,光场不随传播深度的增加而衰减,光场的分布呈现共振的特征。     

TiO2(B)表面修饰富锂层状氧化物Li(Li0.17Ni0.2Mn0.58Co0.05)O2正极材料

采用喷雾干燥法和沉淀法, 制备了表面修饰TiO₂(B) (2wt%、4wt%、6wt%和8wt%)的富锂层状氧化物Li(Li_0.17Ni_0.2Mn_0.58Co_0.05)O₂正极材料。X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结构测试分析结果表明, 修饰TiO₂(B)后样品的体相结构仍然保持初始样品的层状结构, 仅氧化物颗粒表面附着有少量TiO₂(B)纳米晶。示差扫描量热测试(DSC)表明, 与初始样品比较, 修饰TiO₂(B)后样品的热稳定性得到明显改善。在2.0~4.8 V范围内进行恒流电化学性能测试。研究显示, 在0.1C(1C=300 mA/g)倍率下, 修饰4wt%TiO₂(B)样品的首次放电比容量可达296.4 mAh/g, 首次库伦效率则由初始样品的77.7%提升到修饰TiO₂(B)后样品的84.3%, 100周循环后电极容量保持率由初始样品的69.5%提升到修饰TiO₂(B)后样品的80.2%。即使在阶梯倍率的2C倍率下, 修饰4wt%TiO₂(B)的样品仍具有较高的电化学容量(166.5 mAh/g)。以上研究结果表明, 表面修饰TiO₂(B)纳米晶可以显著改善富锂层状氧化物Li(Li_0.17Ni_0.2Mn_0.58Co_0.05)O₂的热稳定性和电化学性能。     

工业传感器技术及标准体系研究北大核心CSCD

工业传感器作为工业生产制造过程中为过程控制、处理、决策等提供原始信息的关键元器件,是发达国家高度重视和争相发展的核心基础元器件,是工业制造的基础,也是当前工业革命(工业4.0)的基石。文中介绍了我国工业传感器的概况,梳理了标准体系构成和框架,分析了现有传感器标准体系中存在问题,对进一步发展提出相关的建议。     

基于单片机控制的远程报警温控系统设计

温度已成为生产、仓储及运输过程中的关键因素，对其的控制尤其关键。所设计的温度控制系统在传统模式的基础上新增远程短信通信功能，抛开传统感温电路模式，选用测量精度更高，且控制精度更高的单片机与DS18B20数字温度传感器相组合的方式进行温度采集，具备独立按键进行控制温度上下限的预设，采用LCD1602模块设计可视交互界面功能。在温度超出阈值报警时，EC600无线通信模块以发送短信的方式对超出温度阈值进行报警，蜂鸣器发出声音警报。该远程报警温度控制系统可有效防止温度升高后带来的高温窒息、花草缺氧等危险，具有广泛的应用范围。