一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型

提出了一种简洁的新型4H-SiCMESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.     

4H-SiC结型势垒肖特基二极管的制作与特性研究

本文设计制作了两种具有不同结构参数的4H-SiC结型势垒肖特基二极管,在制作过程中采用了两种制作方法：一种是对正电极上的P型欧姆接触进行单独制作,然后制作肖特基接触的工艺过程;另一种是通用的通过一次肖特基接触制作就完成正电极制作的工艺过程。器件制作完成后,通过测试结果比较了采用场限环作为边界终端与未采用边界终端的器件的反向特性,结果显示采用场限环有效地提高了该器件的击穿电压,减小了其反向电流。另外,测试结果还显示采用独立制作P型欧姆接触的工艺过程有效提高了4H-SiC结型势垒肖特基二极管的反向特性,其中P型欧姆接触的制作过程和结果也在本文中做出了详细叙述。     

一种低噪声GaAs HBT VCO的设计与实现

为了降低双极型工艺中二极管对相位噪声的影响,实现了一种工作在K波段的全集成差分压控振荡器．该振荡器基于砷化镓异质结双极晶体管工艺来实现,电路采用改进的π形反馈网络来提高振荡回路的品质因数,降低了压控振荡器的相位噪声,并补偿了电路本身存在的180°相位偏移．芯片的频率变化范围为23.123GHz到23.851GHz,最大输出功率为-1.68dBm; 整个电路由-6V的电源供电,直流功耗为72mW,控制电压为-3V时相位噪声为-103.12dBc／Hz@1MHz,芯片面积为0.49mm²．文中采用的电路结构能够降低双极型工艺中二极管对压控振荡器相位噪声的影响,在不牺牲压控振荡器调谐宽度的情况下可实现低的相位噪声．     

进度显示的大文件上传组件的设计与实现

文件上传是互联网的一个基本应用,HTTP协议中RFC1867实现的操作存在可控性差、大文件传输易超时等不足。基于UGiA-PHP-UPLOADER架构,提出了一种支持进度显示的大文件高效上传的方法。它在服务器端通过自定义高端端口接收上传内容,遵循协议解析并生成状态文件,并基于哈希映射算法对临时文件分配存储;客户端使用XMLHTTP技术异步请求服务端数据指导进度条。     

一种6-bit 3-Gsps GaAs HBT模数转换器

本文介绍了一种采用1 μm InGaP/GaAs HBT工艺实现的6-bit 3-Gsps模数转换器的设计和测试结果。这款单片折叠内插模数转换器采用高线性度的跟踪保持放大器提高了有效分辨率ENOB。该模数转换器的芯片尺寸为4.32 mm×3.66 mm。测试结果表明,该模数转换器在3-Gsps采样率的情况下,ENOB达到5.53,有效分辨率带宽为1.1 GHz,差分非线性误差和积分非线性误差的最大值分别为0.36 LSB和0.48 LSB。     

生态城市指标体系的优化升级与动态更新 —以中新天津生态城指标体系2.0版为例

生态城市指标体系需要及时修订,不断完善,以保证指标体系对生态城市规划建设管理的引导支撑作用,持续体现指标体系的先进性与科学性。目前,国内外生态城市指标体系基本为静态系统,出现指标滞后、指引性弱等一系列问题。针对这些问题,文章以中新天津生态城为研究对象,以发展目标和实施问题为导向,提出了生态城市指标体系动态优化与更新的方法策略和保障措施,保证了中新天津生态城指标体系的先进性,可为国内外生态城市的构建与优化提供经验借鉴。     

西安老城区海绵改造内涝削减效果数值模拟研究

为评估西安小寨老城区海绵城市改造效果,采用耦合管网模块的二维城市雨洪模型对不同降雨重现期下小寨老城区海绵改造前后的内涝积水情况进行模拟.通过对比模拟不同降雨重现期下建设前后的积水分布、积水水量和积水面积,发现不同重现期下的内涝情况在海绵改造后均有所改善,小寨老城区海绵改造对老城区内涝缓解作用明显.     

Simulated study on the InP/InGaAs DHBT under proton irradiation

A 3D model simulation of InP/InGaAs/InP DHBT is reported in this paper. A comprehensive set of built-in physical models are described, including Stratton''s hydrodynamic model, high-fields mobility model and thermionic emission model. A mixed-mode environment is required for AC simulation instead of simulating an isolated HBT, in which the HBT is embedded in an external circuit, and the circuit voltage and current equations are solved along with the Poisson equation and transport equations. In AC simulation, simulator Sentaurus provides the computation of the small signal admittance Y matrix. From the results of Y matrix, the small signal equivalent circuit is constructed with the conductance and capacitance obtained from Y matrix, and the AC parameters, such as S-parameters, will be calculated. The small signal AC characteristics of InP/InGaAs DHBTs under proton irradiation are simulated with different fluences of proton irradiation. Simulation results show that the maximum oscillation frequency will be degraded when fluence of proton irradiation is increased.     

一种用于非线性分析的新型4H-SiC MESFET大信号经验模型

提出了一种简洁的新型4H-SiCMESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采用了Levenberg-Marquardt优化方法.在偏置点VDS=20V,IDS=80mA和工作频率1.8GHz下,模型直流电流-电压扫描曲线、输出功率、功率附加效率和增益的模拟结果与实验数据符合良好.