车道沟10号

正1世界上的物质有导体和绝缘体之分,它们的区分在于前者导电,后者不导电,这两种物质占世界物质总数的绝大部份。但大干世界无奇不有,有一类物质它的导电性比导体弱,但比绝缘体强,这就是所谓的半导体,如我们以前讲过的方铅矿石,就是这样。而这种半导体性能所具有的检波性,则是现代通讯技术的核心,时至今日亦是如此,那     

清洁石墨烯助力器件获得更好的性能

<正>石墨烯是由单层碳原子构成的二维六角状结构晶体,它有一个小缺点:容易导致脏污。当研究人员利用石墨烯制造电子设备时,在标准的制备流程中,这种细腻、单个碳原子厚度的材料移动时可能会造成污染或损坏,从而降低电子器件的性能。但是最近,中国台湾省的研究人员已经发现了一种简单优雅的石墨烯转移方法,该方法可以保持材料表面清洁而不被污染。科学家们采用化学气相沉积法在铜表面制备高品质、大面积的     

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

正2014年2月24日,英飞凌科技股份公司推出单片集成逆导二极管的20A 1350 V器件,再次扩充逆导(RC)软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。与前几代产品相比,RC-H5的开关损耗降低高达30%,使设计人员能够使用IGBT的工作频率高达30 kHz。因此,配备RC-H5的系统效率提高     

Polyelectrolyte multilayer electrostatic gating of graphene field-effect transistors

We apply polyelectrolyte multilayer films by consecutive alternate adsorption of positively charged polyallylamine hydrochloride and negatively charged sodium polystyrene sulfonate to the surface of graphene field effect transistors. Oscillations in the Dirac voltage shift with alternating positive and negative layers clearly demonstrate the electrostatic gating effect in this simple model system. A simple electrostatic model accounts well for the sign and magnitude of the Dirac voltage shift. Using this system, we are able to create p-type or n-type graphene at will. This model serves as the basis for understanding the mechanism of charged polymer sensing using graphene devices, a potentially technologically important application of graphene in areas such as DNA sequencing, biomarker assays for cancer detection, and other protein sensing applications.     

导电油墨的各组分构成对导电性能的影响

正无机纳米材料具有远高于有机电子材料的电荷迁移率,且无机纳米材料可以较易制成油墨,然后用传统印刷方式制成图案,所以近年来开始应用于印刷电子领域,印刷电子因此也得到蓬勃发展。尽管印刷制备的晶体管的尺寸与性能不如硅基晶体管,但是其柔性化、大面积和低成本的优势是硅基集成电路无法取代的。据英国技术市场研究咨询公司ID Tech Ex预测,2025年,印刷电子产品市场销售额中的2500亿美元     

ROHM开发出比以往产品小50%的世界最小晶体管“VML0604”

正日本知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)近日面向智能手机和可穿戴式设备等各种要求小型和薄型的电子设备,开发出世界最小尺寸的晶体管"VML0604"(0.6mm×0.4mm,高度0.36mm)。本产品已于2013年10月份开始出售样品(样品价格80日元/个),计划于2014年6月份开始以月产1000万个的规模投入量产。前期工序的生产基地为     

S波段GaN内匹配功放管

实现了一款应用于S波段雷达系统的GaN HEMT内匹配功放。以小信号S参数和Load-pull结果为基础进行内匹配电路设计和仿真,采用单个24 mm GaN HEMT管芯实现大功率输出。使用微波仿真软件ADS进行输出匹配和小信号仿真和优化,得到良好的仿真结果并给出最终的测试数据。在34 V漏电压、1 ms周期、10%占空比的测试条件下,40 d Bm输入功率时,2.7~3.1 GHz频率范围内,输出功率超过170 W,功率附加效率超过55%。     

消除SOT产品压筋的方法

压筋异常给企业生产带来的不便,额外增加了企业成本,给产品质量带来了隐患。为提高设备效率,消除影响整条生产线生产周期(即影响交货期)的每一个瓶颈工序,通过运用PDCA循环的方法,改善了压筋,并取得较好的效果,提升了工程能力。     

晶体管型DO卡在变压吸附系统改造中的应用

分析某年产80万吨甲醇装置变压吸附(PSA)系统继电器型DO卡频繁故障的原因,针对PSA系统程控阀动作频率高的特点,选用晶体管型DO卡替换原继电器型DO卡,并通过增加外部继电器提高带载能力。改造后PSA系统DO卡未再发生故障。