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31.
本文叙述了(La,Sr)_2CuO_4和Ba_2YCu_3O_(7-y_)高T。氧化物超导体薄膜制备技术的现状。重点注意了真空蒸镀和溅射法。还从基体材料的角度论述了薄膜外延生长。最后评述了Ba_2YCu_3O(7-y)外延生长薄膜的部分各向异性特性。 相似文献
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蒸发在 Si 上的 Al 薄膜,在微波激发的 O_2+H_2混合等离子体和 O_2+N_2混合等离子体中实现了氧化。添加的 H_2或 N_2在其中起催化作用。在 Ar 离子溅射的情况下,用离子微分析(IMA)和 X 射线光电子分光(XPS)方法,分析了各元素随深度的组成变化和膜的化学结构。在 O_2+N_2混合等离子体中,观测到界面上有明显界面氧化层,但在 O_2+H_2混合等离子体中,没有发现内部 SiO_2层。为了解释这些实验现象,提出了一种氧化过程的假定方式,这种方式考虑了电负性。 相似文献
37.
特高压直流避雷器的技术特点与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
文章介绍了特高压直流输电工程中所用的各种直流避雷器的作用,特别是±800kV直流换流站内典型的避雷器保护方案;以及不同位置的几种关键的直流避雷器如高压端阀避雷器(V1)、高能中性母线避雷器(E2H)、极母线避雷器(DB)、换流变阀侧避雷器(A1)、平波电抗器避雷器(DR)等所承受的波形;我国直流输电工程用避雷器的情况以及我国自主研发高压直流避雷器的应用进展。讨论了特高压直流避雷器与高压直流避雷器共有的特性参数如持续运行电压、配合电流、能量耐受和功率损耗等参数的变化特点,分析了特高压输电工程所特有的直流避雷器V1、E2H、A1、DR、DB的主要特性和作用,给出了这几种避雷器的几个主要配合参数和极母线避雷器的设计参数,讨论了特高压避雷器设计开发中要注意的电阻片容量和伏安特性、均流技术、污秽技术、均压技术等一系列关键技术。 相似文献
38.
提出一种设计永磁型核磁共振磁体磁极形状的优化方法,该方法用水平集函数隐式地描述材料界面,通过连续性形状灵敏度分析,可得到隐式描述的材料界面上各点的演化速度,而水平集的演化由哈密尔顿-雅可比方程控制,该方程可通过有限差分法求解。设计结果表明了该优化算法的有效性。 相似文献
39.
首先从磁路的视角分析构成永磁魔环单块磁体的磁路模型 ,然后建构出整个魔环的磁网络模型以及对应的节点方程组 ,并且提供了解算结果与实测结果的比较 ,从而验证了本磁网络模型在工程计算上的可行性。 相似文献
40.
张一鸣 《网络安全技术与应用》2022,(1)
在"深入实施制造强国战略"的历史条件下,我国工业生产能力得到迅速提升,"中国制造"逐步得到了世界的认可,我国工业已经衍变成为融合机械、化学和互联网等技术于一体的社会物质生产部门。在信息化时代的背景中,工业生产的稳定运行依赖于安全可靠的工业控制系统,当工业控制系统的网络安全保护功能无法有效防范网络攻击时,将严重影响工业生产。本文阐述了工业控制系统的安全性风险,并相应地提出有效的入侵检测算法。 相似文献