纳米技术在制冷及低温领域的应用与展望

分析了近年来纳米技术的研究现状和发展趋热势,详细的阐述了纳米技术在制冷与低温领域的一些应用及预期的发展.主要对纳米材料、纳米制造技术在制冷及低温领域的应用等方面进行了深入研究.     

新型锥形双螺杆压缩机的结构和原理

介绍了一种全新结构的锥形双螺杆压缩机的工作原理、结构特点、几何理论、受力分析及优缺点,并推导了行程容积的计算公式.新型锥形双螺杆压缩机与圆柱形双螺杆压缩机相比,它的转子有一定的锥度,齿间面积沿压缩方向呈线性减小,能够有效增加压缩比,减小泄漏三角的面积和接触线的长度,减少泄漏量,使受力状况得到改善,并降低了功耗.     

基于DSC整流器和双闭环PR逆变器的模块化中频静变电源

与传统中频电源相比,模块化中频静变电源具有选用灵活、可靠性高、冗余性好、便于系统维护等优点。中频静变电源整流器在控制母线电压稳定的同时还要实现单位功率因数控制。为此,具体分析了双电流环控制策略,给出了双电流环控制器中电压电流正负序分离原理和双dq锁相环的具体实现方法,即延时信号抵消(DSC)和双闭环准比例谐振(PR)。针对逆变器输出电压基波无差跟踪困难、谐波含量高等问题,采用双闭环多重准PR控制策略,实现中频电压的稳定输出。仿真和试验结果表明,双电流环控制器能同时实现母线电压稳定和单位功率因数控制,采用双闭环多重准PR控制策略的中频逆变器能够输出稳定的中频交流电压。     

全碳化硅功率模块开关瞬态特性及损耗研究

为了加快全碳化硅功率模块的实际工程应用,针对全碳化硅模块开通关断过程中电压电流变化率、栅极电压耦合、开通损耗和关断损耗开展了分析,并与传统IGBT功率模块进行了对比分析。在全碳化硅功率模块双脉冲试验的基础之上,研究了不同电压电流等级下开关瞬态特性和开关损耗,提取试验参数,获得了电压电流应力大小,为全碳化硅功率模块的工程应用提供有效参考。     

热氧化法制备SnO2纳米晶的HREM研究

二氧化锡半导体材料,因其高电导率、在可见光区的高透明度、以及较好的热稳定性和化学稳定性,使其具有广泛的用途.它可以用作太阳能电池、光电感应器件等,而最重要的应用就是用作气敏传感器的原材料[1].在气相沉积法制备的SnO2薄膜中,混合相(SnO-SnO2)比SnO2单相表现出更好的气敏性[2].     

超声化学水热法制备CdSe亚微米球的TEM观察

自从 1987年Ｅ .Ｙａｂｌｏｎｕｉｔｃｈ和Ｊｏｈｎ提出光子带隙 (ＰＢＧ)的概念以来 ,有关光子晶体的研究令众多理论物理学家和实验物理学家产生了广泛兴趣。迄今为止 ,人们利用微加工技术制备了一维、二维、甚至三维的微波波段的光子晶体。然而 ,随着研究的深入 ,尺寸要求越来越小 ,这种自上而下的制备方法遇到的困难也越大 ,尤其是在制备可见光波段的三维光子晶体时 ,微加工技术制备已经难以完成 ,人们开始把目光投向由下而上的胶体化学方法。通常 ,自然界最常见的和人工合成的光子晶体是由ＳｉＯ2亚微米小球自组织而成的 ,即蛋白石[1] …     

基于MoldFlow与DOE的注射模浇注系统与注射工艺参数关系的研究

将MoldFlow技术与DOE(正交实验设计)相结合,以一款手机面板成型为研究实例,采用正交实验设计方法进行实验分析,研究了模具浇注系统(浇口直径、浇口长度、流道尺寸等)和注射工艺参数(注射压力、注射时间、冷却时间等)的关系,详细分析了浇注系统各属性对注射工艺参数的影响程度。研究结果表明,浇口长度对注射压力的影响最大,流道尺寸和冷却时间密切相关,而浇注系统与注射时间关系不大。     

无线传感器微能源自供电技术研究

电源问题是制约无线传感器网络大规模应用的关键因素。文章围绕延长无线传感器网络工作周期,以结点微能源自供电为研究对象,分别从微能源采集、能量存储和能量供给3方面对无线传感器网络中的微能源自供电技术展开讨论。分析了结点微能源采集及管理技术现状,提出解决无线传感器能源问题要从能量采集入手,通过高效存储和节能降耗等技术使传感器结点实现能量自给自足;同时,对无线传感器网络中各种能量采集的原理与方法、锂离子电池与超级电容器等储能技术的运用及发展方向、微能源供给方案及降低能耗的措施进行了详细分析。     

如何防止冷凝水箱中的氧腐蚀

<正>某厂一台20000磅/时的锅炉,采用一只外径10英尺、高10英尺的钢制水箱,回收180°F冷凝水。补给水为60°F的城市用水,补给水量为锅炉蒸发量的5～15％。冷凝水     

Si衬底上ZnO外延膜结构性质的比较

采用连通式双反应室高温MOCVD系统在Si衬底上外延ZnO薄膜,通过卢瑟福背散射/沟道(RBS/C)及高分辨X射线衍射(HR-XRD)技术对不同衬底条件的ZnO外延膜进行了组分及结构分析,结果表明在采用SiC缓冲层后,Si(111)衬底上ZnO(0002)面衍射峰半高宽明显减小,缺陷密度降低,单晶质量显著变好,c轴方向应变由0.49%变为-0.16%,即由拉应变变为压应变且应变值变小,说明SiC缓冲层可以有效地减小ZnO与Si衬底晶格失配带来的应变,改善外延膜质量,实现Si衬底上单晶ZnO的生长.