共滴定法制备羟基磷灰石/魔芋葡甘聚糖复合材料

通过共滴定法制备羟基磷灰石(HAP)/魔芋葡甘聚糖(KGM)复合材料,用XRD、FT-IR、SEM、TEM等方法对材料进行了表征,研究了复合材料的组成以及HAP和KGM的相互作用方式.结果表明复合材料中KGM和HAP的质量比随着反应体系pH值的升高而下降;HAP/KGM复合材料间有物理力和化学力两种相互作用方式,物理力的作用方式通过KGM网络吸附HAP粒子而发生,化学力的作用方式通过KGM分子链上的羰基和HAP晶体中的Ca2+的螫合作用而发生.其中物理力是主要的作用方式,而化学力只有微弱贡献,并且这种化学力的相互作用随着KGM脱乙酰度的增加而逐渐消失.     

碘化汞(α-HgI_2)晶体气相生长中的形貌转变研究

采用高纯HgI_2多晶原料,利用改进的静态升华法生长了α-HgI_2晶体.生长15天的晶体生长界面呈小平面,而生长29天的晶体生长界面呈椭圆形,表明α-HgI_2晶体气相生长中存在生长形貌转变的现象.形貌转变的原因可能是自由碘在生长界面富集和不同晶面生长速率差异所致.生长29天的晶体体积约为1.3cm~3,可能达到了该条件下的最大体积.     

高合金钢薄壁件的消失模铸造工艺研究

主要研究了一种高合金钢薄壁铸件的近净形消失模铸造工艺,讨论了模料的选择、浇注系统的设计、浇注温度及速度、合金熔炼等因素对铸件成型和组织性能的影响。试验表明一浇一冒式所浇注的铸件,缺陷很少．有利于铸件的批量生产。     

过渡材料对等离子喷涂Al2O3梯度陶瓷涂层性能影响

针对Al2O3陶瓷涂层结合强度低、孔隙率高的实际,选择NiAl金属间化合物和金属铜粉作为过渡材料,利用等离子喷涂制备Al2O3梯度陶瓷涂层,并对梯度涂层进行组织形貌观察,测试结合强度和孔隙率.结果表明,梯度涂层的组织表现出宏观的不均匀性和微观连续性的分布特征,NiAl和Cu是金属基体与Al2O3涂层之间过渡层的理想材料,可以有效地提高涂层的结合强度,而Cu-Al2O3梯度涂层又比NiAl-Al2O3梯度涂层结合强度高;梯度涂层的孔隙率远低于双涂层的孔隙率,在Cu-Al2O3梯度涂层中随Al2O3含量的增加,涂层的孔隙率降低,而且孔隙率低于NiAl-Al2O3梯度涂层.     

铸造Al-14Si-5Cu-3Ni-1Mg合金微弧氧化陶瓷层的结构与性能

采用显微硬度、XRD、SEM、极化曲线测量、DSC、TG等技术研究了铸造Al-14Si-5Cu-3Ni-1Mg微弧氧化陶瓷层的相组成、形貌、硬度、耐腐蚀性、耐热冲击性和热稳定性.结果表明,该合金微弧氧化陶瓷层由致密层和疏松层组成,致密层主要为αAl2O3相,疏松层主要为γ-Al2O3及无定型相,微弧氧化陶瓷层硬度(HV)高达2 400,合金的耐蚀性显著提高,抗热冲击性和热稳定性良好.     

Al-12.5Si-3Cu-2Ni-0.5Mg铸造合金热处理工艺设计

采用相图计算软件Pandat建立了Al-xSi-3Cu-2Ni-0.5Mg系合金、Al-12.5Si-xCu-2Ni-0.5Mg系合金平衡相图及Al-12.5Si-xCu-2Ni-0.5Mg合金相含量随温度变化曲线,结合DSC曲线对Al-12.5Si-3Cu-2Ni-0.5Mg铸造合金的热处理工艺进行了设计.结果表明:利用Pandat相平衡热力学软件计算平衡相图,结合DSC曲线来设计Al-12.5Si-3Cu-2Ni-0.5Mg合金热处理工艺是可行的:确定获得最佳室温和高温力学性能的热处理工艺为500℃×2h淬火+215℃×4h空冷;热处理后其室温力学性能平均值为σb=356MPa、δ=0.7%,高温力学性能(350℃)平均值为σb=139 MPa、δ=3.5%.     

浇注方式对熔模铸造薄壁铸件组织与性能的影响

以某型号大功率发动机薄壁不锈钢零件为对象,对熔模铸造过程中三种浇注方式(顶注式、底注武与侧注式)的充型过程进行了模拟分析,研究了浇注方式对铸件微观组织和布氏硬度的影响.结果表明,浇注方式对铸件的微观组织有显著影响 组织中铁素体的分布及数量与铸件轴向各部分凝固顺序有关.底注式铸件的平均硬度高于其他两种浇注方式的铸件.     

人工时效与自然时效对Al-7Si-0.6Mg铝合金组织与力学性能的影响

研究了人工与自然双重阶段时效对铸造Al-7Si-0.6Mg合金的力学性能影响.试验结果表明:A1-7Si-0.6Mg合金经535℃×10h(固溶)+水淬+165℃×1 h(人工时效)+24h(自然时效)+165℃×5 h(人工时效)热处理工艺后,其抗拉强度321MPa、伸长率12％,相对T6热处理工艺试样其抗拉强度及伸长率分别提高了7.7％和140％;其室温拉伸断口中存在大量的等轴韧窝,尺寸细小且分布均匀,属于韧性断裂方式;人工与自然双重阶段时效对A1-7Si-0.6Mg力学性能提高的机制主要是共晶硅的球粒化与分布、Mg2Si沉淀强化、析出相Si相与位错间的交互作用.     

基于移动短信通讯的直放站监控系统

该系统由网管中心和数据终端单元组成。网管中心通过短消息数据通讯方式远程监视数据终端单元提供的直放站系统的上下行输出功率电平，上下行最大增益，上下行功放是否过功率，上下行功放过温度，上下行功放驻波告警，门禁告警，电源故障，光端机收发信号故障等参数信息，适时地设置直放站功放模块的衰减值，远程调节输出功率电平，改善网络覆盖面，使直放站系统运行处于最佳工作状态。     

HgI2晶体气相生长动力学分析

为判定物理气相输运法生长HgI2晶体过程中自由碘的来源,利用平衡气压方程对生长体系中自由碘的形成动力学进行了分析.计算表明,随温度升高,气相体系中的总压增大.在生长温度范围内,HgI2是气相中的主要成分.气相中存在HgI2分解为Hg和I2的反应.对比分解的HgI2分压和总压可知,在约120℃时,体系中HgI2总压高于Hg和I分压约7个数量级,因此HgI2的分解量可以忽略.分析认为,晶体生长传质方式为HgI2分子传输过程.气相中的自由碘主要来源于晶体生长前的补偿碘.