形状记忆合金的应用与开发（二）

（二）SMA温度继电器 用形状记忆合金作为热敏元件，热敏元件集控制元件和执行元件于一身．SMA温度继电器可分为接触和环境温度感温式两类．广泛地用于电子仪器和控制设备、电机和电器设备及家用电器的过热保护和温度控制．     

碘化汞晶体的热处理与探测器性能表征

利用自行设计的垂直两温区晶体生长炉,采用静态升华法生长α-HgI2晶体。经过23 d的生长,获得了尺寸约为15 mm×12 mm×5 mm的α-HgI2晶体。通过XRD和4155CVIV电学测试仪表征晶体的相关特性,并对利用该晶体制备的探测器进行核辐射探测性能测试。结果表明,生长的α-HgI2晶体富碘。对晶体适宜的加热可以有效减少富碘现象。晶体的电阻率约为1012 Ω·cm。制备的α-HgI2核辐射探测器对未使用准直器的241Am 辐射源（59.5 keV）在室温下的分辨率为14.6%（8.69 keV）     

TiAl_3相对原位TiC/Al-4.5Cu复合材料高温磨损行为的影响

采用接触反应法制备了原位TiC/Al-4.5Cu复合材料,研究了微观组织中TiAl_3相对复合材料100~250℃高温下干摩擦磨损行为的影响。结果表明:高温下原位TiC/Al-4.5Cu复合材料磨损量均随载荷(15~55 N)增加而增加,但含TiAl_3相的复合材料磨损量始终较高。当载荷大于35 N,复合材料存在一个磨损加剧的临界转变温度;含TiAl_3相的复合材料该临界转变温度较低。TiAl_3相的存在降低了复合材料的耐磨性。     

铸造Al-14Si-5Cu-3Ni-1Mg-0．5Mn合金微弧氧化陶瓷层的耐蚀性

通过对铸造Al-14Si-5Cu-3Ni-1Mg-0.5Mn合金微弧氧化不同厚度陶瓷层的的交流阻抗图谱和塔菲尔曲线的电化学研究,定量分析了陶瓷层的耐蚀性,并用失重法对电化学测试结果进行了进一步验证.利用扫描电镜(SEM)研究了陶瓷层表面微观结构对其耐蚀性的影响.结果表明,微弧氧化可显著提高该合金的电化学阻抗及自腐蚀电位,降低腐蚀电流.微弧氧化陶瓷层特有的微观组织结构是其耐蚀性提高的主要原因,陶瓷层的厚度也是影响其耐蚀性的一个重要因素,但厚度的增加并不一定能提高其耐蚀性.     

等离子喷涂Cu-Al2O3梯度涂层的组织与耐磨性分析

针对纯陶瓷涂层由于结合强度低、孔隙率高、影响涂层耐磨性的实际,用等离子喷涂法制备了Cu-Al2O3梯度涂层,用电子扫描显微镜(SEM)、金相显微镜等手段对涂层进行微观组织和成分分析,用自制销盘式固定磨料磨损试验机,检测了Cu-Al2O3梯度涂层的耐磨料磨损性能.结果表明,采用等离子喷涂法制备的Cu-Al2O3梯度涂层无明显的组织突变和宏观层间界面,涂层的组织表现出宏观不均匀性和微观连续性分布特征;梯度涂层中当Al2O3含量(质量分数,%)达到80%时(GC6),涂层的耐磨性最高,约为基体的3倍,随着Al2O3含量继续增大,纯陶瓷涂层(GC7)的耐磨性有所下降.     

等离子喷涂Cu-Al2O3梯度涂层与涂层耐磨性分析

利用等离子喷涂法制备了Cu-Al2O3梯度涂层,采用金相显微镜、SEM等手段对涂层进行微观组织结构和磨损后表面形貌分析,用自制销盘式固定磨料磨损试验机,测试了Cu-Al2O3梯度陶瓷涂层的耐磨料磨损性能。结果表明,制备的Cu-Al2O3梯度涂层无明显的组织突变和宏观层间界面,涂层的组织表现出宏观不均匀性和微观连续性分布特征;梯度涂层中当Al2O3含量达到80％时（GC6）,涂层的耐磨性最高,约为基体的3倍,随着Al2O3含量继续增大,纯陶瓷涂层（GC7）的耐磨性有所下降;磨损机制随Al2O3含量增大,由犁沟塑变型转变为脆性断裂、剥落型.