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介绍了3.2kV高压开关电源的研制。该电源电路采用了零电压开关零电流开关(ZVS-ZCS)全桥变换技术以及一种新型倍压电路。在该电源中,全桥变换技术又有了新的特点,倍压电路也采用了新的改进电路,其纹波较低。因此,整机电路具有效率高,稳定性好,调压范围宽和动态性能好等特点。 相似文献
34.
钛合金微弧氧化陶瓷膜微观特性的分析 总被引:5,自引:0,他引:5
微弧氧化膜存在微米量级宏孔,这些宏孔对氧化膜特征的研究非常重要.研究了微弧氧化中电流密度对微弧氧化膜的生长速率、结构形貌及相组成的影响,并对氧化膜进行了离子束抛光处理,分析了氧化膜和微孔的组织结构.研究表明:电源频率固定为1 500 Hz/5 μs和氧化膜厚为10 μm时,随着氧化电流密度的增大,氧化膜的生成速度和孔径都随之增大,但同一膜厚的氧化层组成成分金红石型TiO2和锐钛矿型TiO2的相对含量无明显变化;离子束抛光后的氧化膜膜层外疏内密,放电通道内表面更是淀积了电解液溶质、氧化膜颗粒及基材等多种物质的纳米微颗粒. 相似文献
35.
重点综述了国内外关于氧化物或碳化物作为强化相的钨基面向等离子体材料的力学性能、氢滞留特性以及辐照损伤,发现制备工艺和强化相含量是影响钨基面向等离子体材料力学性能的主要方面,而均匀分散的强化相颗粒所致使的组织致密化程度更高是钨基材料力学性能提高的主要因素。其次,阐述了晶界和晶内的强化相颗粒分散不均表现出的位移损伤、气泡、绒毛、微裂纹等缺陷都将增加材料对氢同位素的捕获几率,以及等离子体辐照造成的脆化硬化将降低材料的抗热冲击性能。最后分析了近些年弥散强化钨基面向等离子体材料存在的关键基础问题,展望了未来弥散强化钨基材料的主要发展趋势,期望为开发优异的抗高热负荷和辐照损伤的钨基材料方面提供重要参考。 相似文献
36.
为探究脉冲频率对通过高功率脉冲磁控溅射制备TiN薄膜组织力学性能的影响,选用Ti靶和N2气体,采用反应磁控溅射技术通过改变高功率脉冲磁控溅射(HiPIMS)电源脉冲频率在Si(100)晶片上制备不同种TiN薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪和扫描电子显微镜(SEM)对所制薄膜晶体结构和成分、表面和断面形貌进行分析,利用纳米压痕仪对薄膜的硬度和弹性模量进行表征,并计算H/E和H^(3)/E^(2)。结果表明,高离化率Ti离子轰击促使薄膜以低应变能的晶面优先生长,所制TiN薄膜具有(111)晶面择优取向。薄膜平均晶粒尺寸均在10.3 nm以下,随着脉冲频率增大晶粒尺寸增大,结晶度和沉积速率降低,柱状生长明显,致密度下降,影响薄膜力学性能。在9 kHz时,TiN薄膜的晶粒尺寸可达8.9 nm,薄膜组织致密具有最高硬度为30 GPa,弹性模量374 GPa,弹性恢复为62.9%,具有最优的力学性能。 相似文献
37.
高速钢刃具低温处理改性机理的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了高速钢刃具低温处理改性的机理。从宏观机械性能的测定和微观组织结构和变化来观察分析,得知低温处理工件使用寿命成倍提高的主要原因在于其组织细化,从而获得韧性和耐磨性增强的结果,据此,在实用上,对新材料以微观组织是否细化来判定低温改性的可能性;以耐磨性(或韧性)的变化来预测改性程度。 相似文献
38.
在MRI核磁共振成象设备中,通常将超导磁体安装在RF射频室内(全屏蔽状况)或室外(半屏蔽状况)。本文对上述两种情况下的氦气放空管道和回收系统的工作原理、技术要求和使用情况做了介绍。 相似文献
39.
利用HL-1装置的等离子体辐照研究了石墨基体上的TiC、SiC涂层和壁碳化。对辐照前后的样品进行俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM),X射线光电子谱(XPS)和X射线衍射谱(XDS)分析。结果表明,TiC和SiC材料应用于孔栏和壁涂层以及壁碳化有利于减少金属重杂质和氧杂质水平,提高了等离子体品质。 相似文献
40.
针对Tokamak等离子体放电实验中需要对等离子体进行直观诊断的需求,根据实验的特点,研制了等离子体图像诊断系统,该系统以Matrox公司的Meteor Ⅱ/Digital采集卡和UNIQ VISION公司的UC610相机等为硬件核心,采用了Visual C++多线程技术进行实时图像采集,采用了Bayer变换和Gamma校正等数字图像处理技术将采集到的Bayer格式的灰度数字图像转换为彩色数字图像;该图像诊断系统实现了Tokamak放电实验中等离子体图像实时采集、处理和诊断等功能,充分满足了等离子体放电实验诊断的要求。 相似文献