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51.
高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究   总被引:2,自引:1,他引:1  
报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的  相似文献   
52.
研究了不同内感l_i和极向比压β_p值时,低径比托卡马克等离子体自然拉长k和三角变形δ与径比A的关系。l_i和β_p对k的影响可以用“有效”径比来描述。数值结果表明k与l_i的关系可以用式子k=1 g_1(l_i)A_(-2) g_2(l_i)A~(-4)拟合,而β_p对k的影响亦不能忽略,尚未找到δ与l_i的明显关系。  相似文献   
53.
54.
支持PostScript格式输出的二维绘图   总被引:1,自引:0,他引:1  
PostScript是一种为打印机等输出设备描述页面输出的程序设计语言。本文主要介绍了一个生成PostScript页面描述格式文件的绘图程序,该程序用C语言设计,用于输出直角坐标系下的二维图线。  相似文献   
55.
液态金属实验回路(LMEL)是国内唯一用于聚变堆磁流体动力学(MHD)效应和材料相容性研究的大型实验装置。与国外同类先进的装置相比,回路流程和运行方式均有重大改进,使其更先进、安全并具有多功能。回路运行分为两个阶段:第一阶段以钠-钾低共熔合金(22Na78K)为工质,研究MHD效应,LMEL的最大哈特曼(Hartmann)数M和相互作用参数N分别为0.75×104和2.5×104;第二阶段以液态锂为工质,研究结构材料与锂的相容性,最高温度和流速分别为520℃和1.38m/s。  相似文献   
56.
研究了2.45GHz微波非平衡等离子体引发单体在聚四氟乙烯材料表面接枝共聚改性。使用X射线光电子能谱(XPS)、衰减全反射富里叶变换红外光谱(ATR-FTIR)及扫描电子显微镜(SEM)和湿法技术对原始样品及接枝后的样品进行了测试分析。结果表明,接枝后聚四氟乙烯表面的化学结构、成分和形貌均发生了相当大变化,出现了明显的脱氟交联,表面上引入了不同种类和不同含量的含氧功能基团。对样品进行的润湿实验和粘接实验证明,接枝样品表面的亲水性极佳,粘接性也得到了明显改善。分析和实验结果都证实了接枝已获成功。  相似文献   
57.
采用U-Pu循环,完成了不同氚增殖剂和冷却剂的裂变抑制包层设计。设计中,考虑了环形效应和共振自屏效应。基于一维模型的优化计算结果,指出要求的中子学性能能够达到。为了完成多维设计,研制了三维中子源抽样程序;用具有连续能量截面的蒙特卡洛程序MCNP完成了多维中子学设计;研究了中子源密度分布对中子学性能的影响。结果指出:  相似文献   
58.
在完整的Bonoli-Englade模拟模型基础上,编制了一组即适合用于稳态,又适用于准稳态低混杂波电流驱动(LHCD)的模拟计算代码。它包括平衡计算,环形射线追踪和福克-普朗克计算。其中采用了Shafranov平衡位形和热等离子体波色散关系。福克-普朗克计算考虑了由Pitch角散射引起高垂直温度造成的二维效应,同时还考虑了相对论效应。代码能重复以往文献显示的结果。结合阵列天线计算代码,完成了真实低混杂波功率注入时LHCD的静态模拟(未包括场演化、输运过程),获得波传播、功率沉积、驱动电流和电流驱动效  相似文献   
59.
用自行研制的X射线弯晶谱仪首次在HL-1托卡马克装置上进行了安装调试和谱获取实验。谱仪是具有时间分辨的高集光本领、高分辨Johann型布喇格晶体谱仪,它采用了有效面积为11×5cm~2,曲率半径为377cm的大石英晶体板作为色散部件,探测器是一维空间分辨的大尺寸(10×10cm~2)多丝正比计数器,谱分辨率≈18000。在有氩注入的氢等离子体放电情况下,用这台谱仪获取了部分波段的类HeAr离子伴线谱,并由类HeArⅩⅦ3.9457A共振线的多普勒展宽,初步给出了中心离子温度T_i(0),表明谱仪研制获得成功。对实验结果进行了讨论,并提出谱仪的改进意见。  相似文献   
60.
用自动变步长的单步法程序,求解了聚变等离子体中快波模转换二阶微分方程。由此计算了吸收功率和反射系数。为减少计算工作量,对等离子体色散函数Z(ξ)采用分段计算,获得了与理论分析一致的数值结果。  相似文献   
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