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用AES结合氩离子刻蚀技术,测量了用SiHCI_3-NH_3或SiCl_4-NH_3体系LPCVD 工艺在硅衬底上生长的氮化硅薄膜组分的深度分布及氮化硅/硅之间界面过渡区内的SiL_2,_3VV、NKLL和OKLL俄歇峰。结果表明膜内组分均匀性较好,含氧量约为1%,界面处氧含量较高,但未发现SiO_2特征峰。 相似文献
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33.
钒是一种光亮的银白色金属。由于它的熔点高达1697℃,蒸发点为1880℃,要制成这种金属的自撑薄靶是有一定困难的。我们采用真空沉积法制成了直径18毫米、厚约25—60微克/厘米~2的自撑靶。 相似文献
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35.
本文介绍用俄歇电子能谱对等离子增强化学气相淀积非晶碳化硅薄膜进行组分的定量分析、深度剖析和元素的化学状态分析;不同制备条件下非晶碳化硅薄膜的一些淀积规律和工艺中的问题,并利用SiLVV和C KLL俄歇谱探讨非晶碳化硅的特征和硅、碳的化学状态。 相似文献
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节前,在重庆松藻矿务局召开的党政工团联席会议上,局长陈国政表示:企业再困难,也要让职工过好年。局行政拨专款8万余元,各矿、厂、处、司也要拨出专款,交局工会和各矿、厂、处、公司工会,用于春节送温暖,开展走访慰问活动。 相似文献
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针对五轴卧式加工中心故障状态下旋转轴偏移的问题做了详细的分析,并根据预测结果制定了合理有效的修复措施,解决了实际工程应用难题。 相似文献
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