用分光光度计测量核靶厚度和均匀性

文章叙述了吸光光度法测量核靶厚度和均匀性的一般原理,并给出碳膜和金属膜的具体测量方法,本方法的厚度测量范围为5—200μg/cm~2,测量精度为10%。     

正电子湮没寿命谱表面分析研究

从表面分析方法学角度研究正电子湮没寿命谱表面分析技术。用Al_2O_3·3H_2O、硅胶表面键合物等多孔材料作实验证实,寿命谱的长寿组份的相对强度与样品的比表面积有线性的关系,寿命值能反映表面相结构、组成及极性的变化。正电子湮没寿命谱作表面定性分析具有优于单分子表面复盖层的检测灵敏度,并能区别表面键合有机基团的极性化学活性的能力。可应用于固液、固气、液气、液液的表面分析,测得现场实时、不损伤干扰样品原始表面的信息。     

XPS和AES研究PMTA-Ag~+配合物膜

本文研究了各种防银变色剂的防变色效果。结果表明,巯基苯基四氮唑(PMTA)在紫外光和H_2S中具有优良的防变色效果。紫外吸收光谱的测定表明,PMTA在190～240nm处有一很宽的紫外吸收带,它可以完全复盖AgNO_3在190-220nm处的吸收带。PMTA的优良紫外吸收性能可以有效地阻止紫外光对银变色的加速作用。     

滚轧法制备自支撑金属靶的研究

本文详细地介绍了滚轧法研制核靶的原理、设备和主要结果。主要工艺包括夹片制作,Pb、Sn、In、Al、Au和Ag等软金属的轧制,Mo、W、Co、Rh和Hf等脆性金属的退火滚轧,粉末材料的熔化以及靶厚的测量和控制。     

S,P在高速钢晶界上的偏聚与稀土元素的净化作用

本文用Auger能谱仪较详细地研究了S,P等杂质元素在高速钢铸态晶界和奥氏体晶界上的偏聚情况与稀土元素的净化作用。钢中的S,P含量不同,在晶界上偏聚的量也不同。加入稀土元素后,可以使偏聚在晶界上的S,P减少,并观察到了稀土能使晶界上的硫消失.文中对S,P在晶界上偏聚和稀土元素净化作用的原因进行了讨论。     

快速多层CVD工艺制取高性能Nb_3Sn超导带

快速多层 CVD 法制备 Nb_3Sn 带是对慢速单层 CVD 法的重要改进,不但带速(生产率)能提高几倍至十几倍,而且载流能力亦能成倍地提高。     

同位素靶的备制技术

本文系统地介绍了同位素靶的制备技术,主要内容包括核靶的制备手段(真空蒸发、聚焦重离子束溅射、滚轧、电镀、离心沉淀),同位素化合物还原工艺(还原蒸馏、电解还原)和核靶的贮存方法(干燥法、抽真空法、低温干燥法)。     

等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究

用俄歇电子能谱(AES)对等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氢化非晶碳化硅(a-SiC∶H)薄膜进行了组分的深度剖析、半定量分析以及化学分析.俄歇深度剖析曲线表明PECVD淀积的薄膜均匀性非常好;用俄歇半定量结果比较了薄膜成分同淀积工艺参量之间的一些关系;根据实验获得的Si LVV和CKLL俄歇谱比较和讨论了不同[Si]/[C]浓度比薄膜的化学特征.     

硅表面二氧化硅的氩离子溅射产额的测定

对美国测试与材料学会提供的二氧化硅标准样品,用四台电子能谱仪进行了氩离子对二氧化硅的溅射产额的会测。在1KeV、3KeV 和5KeV 离子能量下,溅射速率均与离子流密度成线性关系。而溅射产额与离子能量的关系在1～5KeV 的范围内是随能量增加而增大。在入射角为52°的情形,氩离子对二氧化硅的产额值是:0.94分子/离子(1KeV)、1.09分子/离子(3KeV)和1.25分子/离子(SKeV)。在1KeV 的情况下,52°入射角时的产额约为正入射时的2.4倍。     

同位素自支撑钙靶的制备

Ca是一种活泼金属,遇水会发生强烈反应;同位素Ca往往以CaO或CaCO_3形式存在,而CaO在1500℃左右的高温下才能还原成金属Ca。由于这两点原因,制备同位素自支撑Ca靶是比较困难的。我们用玻璃作基衬,采用新的去气方法,制成了0.6—1mg/cm~2的同位素自支撑Ca靶。