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对比研究了HfOxNy-HfO2-HfOxNy 三明治堆叠(标示为SS)薄膜和HfO2 薄膜在退火处理中的表现。AFM 形貌显示SS样品拥有更高的结晶温度和更好的表面形貌;FTIR 谱显示SS样品在退货过程中的界面氧化相对较轻;SS样品在退火过程中的驰豫和频散相对较小。 因此, SS 结构在热处理过程中,显示了比HfO2更优良的性质。同时PDA退火可以使样品的有效轨道电子迁移率和应力诱导电流得到改善。 相似文献
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用直流溅射方法制备了HfOxNy薄膜,对其电学特性和导电机理进行了研究.实验结果表明,引入铪缓冲层并在氮气中退火有助于改善电学性能.研究了薄膜在电场下的漏电机理,发现在负向低电场下I-V特性遵从欧姆规律,在中强电场下导电机制遵从空间电荷限制电流理论. 相似文献
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