离子束合成的钇硅化物结构相变研究

为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料，利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物，并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究，X射线衍射测量表明，在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2，800℃下红外光辐照处理30min后YSi2呈现出择优结晶取向，从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现，当温度升至160℃时，Y与Si反应首先形成了斜方相YSi，YSi/YSi2的相转变出现在240℃，随温度的进一步升高，Y原子完全与Si原子发生反应，形成了结晶取向良好的六方相YSi2。     

光敏性溶胶-凝胶波导材料

采用有机改性硅酸盐制备了光敏性溶胶-凝胶,并应用四丙氧基锆作为调节折射率的材料.为了增加薄膜与硅片的粘附作用,先用干氧热氧化法在硅片上生长一层厚度约为150nm的SiO2,然后使用提拉法在硅片上提拉成膜,薄膜厚度达到3.6μm.研究发现紫外曝光时间和坚膜时的后烘温度都会使薄膜的折射率增大.样品的原子力显微镜照片表明薄膜的表面非常平整,在5μm×5μm的范围内表面起伏只有0.657nm.利用波导阵列掩膜版,对制备的薄膜在紫外光波段下曝光,得到了表面平坦、侧墙光滑、陡直的沟道波导阵列.     

非晶GaN薄膜的空间电荷限制电流特性

采用直流磁控溅射技术制备了Si衬底上的非晶GaN薄膜.GaN肖特基二极管伏安曲线不能简单地用包含串联电阻和复合电流效应的热电子发射理论来解释,其他电流输运机制(空间电荷限制电流)起主要作用.分析数据得到平衡时的电子浓度为1.1×104cm-3和位于Ec-0.363eV的陷阱能级.测量空间电荷限制电流可以用来研究宽带隙化合物非晶半导体GaN的深能级性质.     

HfOxNy的场发射特性

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.     

石英衬底上溅射制备纳米SiCN薄膜

利用射频溅射方法在石英玻璃上沉积了纳米结构硅碳氮(SiCN)薄膜. SiCN薄膜表面由平均直径约50nm的SiCN纳米颗粒组成，这些纳米颗粒的紧密分布构造了薄膜的致密表面. 纳米SiCN薄膜呈现出典型的半导体导电特征. 通过调整N2流量参数可以获得不同带隙的SiCN薄膜材料，这种带隙可调的纳米结构SiCN薄膜在未来的半导体光电器件应用领域会有广阔的应用前景.     

太阳电池中CdTe多晶薄膜沉积制备及其性能

在氩氧混合气氛下近空间升华技术(CSS)制备CdTe多晶薄膜中，薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程深入研究沉积过程中的热交换、物质输运，有助于制备薄而致密的具有进行良好光电性质CdTe薄膜．通过分析近空间沉积的物理机制，测量近空间沉积装置内温度分布，对升温过程、气压与薄膜初期成核的关系进行讨论。研究结果表明，不同气压下制备的样品，均有立方相CdTe，此外，还有CdS和SnO2：F衍射峰，CdTe晶粒随气压增加有减小趋势；随气压的增加．透过率呈下降趋势，相应的CdTe吸收边向短波方向移动。在此基础上制备出转换效率优良的结构为SnO2：F／CdS／CdTe／Au的串联集成电池。     

氢掺杂C_(60)薄膜的电导性质研究

本文报道了用微波等离子法制备氢掺杂Ｃ６０薄膜．直流电导测量表明,室温下掺杂的电导率要比未掺杂膜的大５个量级．经５７３Ｋ温度退火后,掺杂膜的电导接近,但仍要高于本征膜的电导率,说明仍有少量的氢留在薄膜中．     

ZnO纳米颗粒的分散及光致发光特性

利用火焰喷雾法成功制备了ZnO纳米颗粒,通过对样品的X射线衍射谱（XRD）和场发射扫描电子显微照片（FESEM）分析,发现制备的颗粒大小较为均匀,直径在10-20nm左右;结合多种物理方法对样品进行分散处理后,FESEM表征显示颗粒间的团聚得到较好改善;光致发光谱表明随着颗粒尺寸的减小,样品的紫外发光和可见发光的强度逐渐增强．     

HWCVD在玻璃衬底上沉积硅薄膜的研究

采用热丝化学气相沉积法在玻璃衬底上沉积硅薄膜,采用扫描电子显微镜、拉曼光谱分析表征样品的形貌和结晶性,较为系统地研究了硅烷浓度、衬底到热丝的距离对硅薄膜生长过程及各种性质的影响,结果表明,较高的衬底温度及较低的硅烷浓度有利于薄膜的结晶.