中子发生器中二次电子抑制的数值模拟

讨论了密封中子发生器中二次电子流的产生机制，介绍了几种不同的二次电子流的抑制方法。针对不同的抑制方法进行了粒子模拟实验，结果表明，在直接利用法拉第圆筒形状的加速电极抑制的情况下，只能抑制住部分二次电子，一部分电子还可以通过加速孔进入加速空间形成二次电子流，二次电子流约占靶面二次电子发射电流的1/5。在法拉第圆筒状加速电极的基础上加上电场抑制，能很好地抑制二次电子流的产生，当偏压为300V时，二次电子电流近似为零。     

陶瓷二次金属化镀镍层厚度的无损检测

本文分析了陶瓷-金属封接中二次金属化镀层厚度对陶瓷-金属封接质量的影响，提出采用X射线荧光光谱法（XRF）对二次金属化镀层厚度进行无损检测，分析了二次金属化镀层成分与含量，对二次金属化镀层的底材进行SEM分析，进行了检测用标准片的设计和标定，建立了XRF无损检测厚度方法的应用程序和校准方法。研究结果表明：采用X射线荧光光谱法，对二次金属化镀层厚度进行无损检测是可行的和可靠的；在试验的范围内（2．48-10．5μm），测量误差小于2％，RSD（相对标准偏差）小于2％。     

Ti/Ag/Cu活性焊料的封接特性

Ti／Ag／Cu活性焊料法广泛应用于陶瓷与金属的焊接中，但该焊料在陶瓷表面的浸润性较差，在金属表面易发生偏析的现象。本文对该焊料的流散特性进行了讨论，对陶瓷与金属的封接界面进行了分析，对封接机理进行了讨论，结果表明在封接界面生成Ti的氧化物主要是TiO2。     

陶瓷金属封接应力的分析与测试

陶瓷-金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性.应用理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试.结果表明计算与测试结果一致,ANSYS完全可以应用于陶瓷/金属封接的应力计算,同时X射线衍射法是一种测试陶瓷金属封接应力的可行方法.     

管状陶瓷金属封接残余应力计算比较

陶瓷/金属封接过程中由于温差容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性.应用薄壳理论公式和ANSYS有限元分析软件对典型筒状陶瓷/金属对封结构的残余应力分布进行了计算比较,指出了薄壁理论公式的适用范同,同时讨论了异材界面端存在应力奇异性的问题.     

A New Three-Dimensional Code for Simulation of Ion Beam Extraction： Ion Optics Simulator

A new thee-dimensional code, ion optics simulator （IOS）, to simulate ion beam extraction is developed in visual C＋＋ language. The theoretical model, the flowchart of code, and the results of calculation as an example are presented.     

带伴随粒子中子发生器研制

为研制带伴随α粒子法检测隐藏爆炸物,我们研制了外形尺寸为Φ76 mm×1100 mm的中子发生器,采用中子管离子源加高压,靶接地的设计方式,便于安装α粒子探测器.靶与束流入射方向成45°角,以便探测器接收更多的α粒子,提高探测效率.试验测试表明,中子产额在3×107n/s-5×107n/s范围,中子发生器稳定工作已超过...     

陶瓷／金属封接残余应力的计算和测试

陶瓷／金属封接过程中容易产生残余应力,将影响到封接强度和产品的可靠性。应用薄壳理论和ANSYS有限元分析软件对典型结构的应力分布进行了计算,同时应用X射线衍射法对该结构的应力进行了测试。结果表明,计算值和测量值的趋势基本一致,都是在陶瓷侧的外表面靠近界面的地方存在着最大的轴向拉应力。