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从工程实际需要出发,针对以摩擦力矩为主的用于航天用途的位置液压伺服机构的数字控制策略进行了分析讨论,提出了一种按模糊控制原理对系统实施优化分段的控制策略,即一维模糊自寻优控制策略,并进行了仿真和实物试验。大量理论探索和数字仿真以及实物试验的结果表明,此种控制策略对本文讨论的位置液压伺服机构是有效的,而且是稳定和可靠的,是一种适合在工程中应用的简单、实用的控制策略。本文同时对这种一维模糊自寻优控制策略的位置液压伺服机构的稳定性问题从理论上进行了分析讨论,提出了判别这种控制系统稳定性的方法。 相似文献
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我们在制作多媒体课件时经常需要使用视频文件,但手头的视频文件可能在格式、内容或大小上并不符合要求,因此必须对它们进行加工,或压缩或转换,或剪切或合成,如果不熟悉使用各种工具软件,我们就无法处理它们.下面笔者就给大家介绍几款处理视频文件的软件,有了它们就可以轻松搞定常用的视频文件了. 相似文献
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为了明确五峰组—龙马溪组页岩“低电阻、低含气”成因,有效指导四川盆地下一步页岩气的勘探部署,依托全区大量钻井调查、解剖及分析化验测试结果,对问题开展了较为详细的研究。该区龙马溪组页岩低电阻率测井按其电性特征、地质特征的差异,可分为小于1Ω·m和1~10Ω·m两类。电阻率小于1Ω·m的页岩气井基本不含气,以干井为主,分布区域相对集中,主要位于川西南、长宁西等地区;其电阻率曲线形态具“细脖子”特征,拉曼反射率普遍在3.70%以上且出现高幅度石墨峰;另外不同状态下岩电实验电阻值变化范围小,且均呈现极低—低电阻特征,说明石墨化造成的岩石骨架导电是影响该类页岩的主要原因。页岩电阻率在1~10Ω·m范围的钻井分布区域较广,以微含气为主,在盆内、盆外均有分布,其电性、激光拉曼及岩电实验等表现出来的特征与电阻率小于1Ω·m的页岩差异明显,页岩电阻率曲线具“渐变”特征,激光拉曼实测反射率在3.50%左右,激光拉曼图谱也没有表现出明显的石墨峰特征。该类页岩进行烘干水及饱和水两种状态下的岩电实验变化范围大,即烘干前、后页岩电阻率变化在7~20倍,且呈现中—高电阻率特征,揭示页岩含水量对页岩电阻率有显著影响。... 相似文献
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微波毫米波固态有源相控阵天线在通信、雷达和导航等电子装备中得到广泛应用,三维互联与封装技术是研制小型化、高集成和高可靠有源相控阵天线的微波毫米波多芯片模块(MMCM)的关键技术。通过开展三维多层多芯片热布局优化设计,使MMCM 温度分布均匀,保证三维MMCM 可靠工作。通过研发含有双面高精度腔体的低温共烧陶瓷(LTCC)多层电路基板,并采用球栅阵列(Ball Grid Array, BGA)和毛纽扣微波毫米波垂直互联工艺、激光密封焊接工艺,研制出小型化、高性能和高可靠性的三维微波毫米波多芯片模块,满足新一代微波毫米波相控阵天线技术要求。 相似文献
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采用有机蒙脱土(OMMT)、聚酰胺6(PA6)和丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS),通过熔融共混的方法制备了PA6/ABS/OMMT共混物。利用透射电子显微镜(TEM)、差示扫描量热仪(DSC)及动态热力学分析仪(DMA)研究了OMMT在PA6/ABS(70/30)合金体系中的分布和分散状况,以及PA6/ABS/OMMT共混体系的结晶行为和热力学性能。结果表明:OMMT片层主要分散于PA6相中,PA6与ABS的两相界面处亦存在少量OMMT片层。OMMT的加入降低了PA6/ABS共混体系的结晶温度,使PA6的结晶结构发生改变,说明OMMT具有一定的增容作用。引入OMMT后,PA6/ABS共混体系的储能模量有所提升,玻璃化转变温度则变化较小。 相似文献
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采用改性氢氧化铝(Al(OH)_3)与苯乙基桥链9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物(DiDOPO)对环氧树脂(EP)进行阻燃并制备阻燃环氧固化物。通过极限氧指数(LOI)、UL-94垂直燃烧测试、锥形量热仪(CCT)、热失重分析(TGA)对EP复合材料的阻燃性能、残炭微观结构、热稳定性能进行研究,并利用扫描电子显微镜(SEM)、热重-红外联用(TG-IR)研究Al(OH)_3与DiDOPO的协同阻燃机理。结果表明:Al(OH)_3与DiDOPO具有较好的协同阻燃作用,当Al(OH)_3与DiDOPO添加量均为12.5%时,EP固化物的LOI值高达30.1%,UL94级别为V-0级;在凝聚相中,Al(OH)_3燃烧颗粒向炭层表面富集,并与DiDOPO生成致密阻隔层,起到隔热和分离的作用,而DiDOPO在气相中发挥一定的阻燃作用,主要是磷的释放对火焰产生抑制作用。 相似文献
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文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究GaAs芯片背面和MoCu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程.GaAs芯片背面的Au层部分溶解在AuSn焊料中,MoCu基板表面的Au层完全溶解在AuSn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ξ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成. 相似文献
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