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41.
化学法诱导Ca CO_3矿化晶体沉淀是地下工程处理中的新方法。相比其他地基处理方式,它的施工方式更简单,成本低,能处理更多的地质类型。文中采用室内模型柱矿化试验,优化注浆工艺,研究化学注浆矿化柱体后,空隙填充由Ca CO_3胶凝材料的砂柱土体的力学性质、热物性变化。研究结果表明,化学矿化注浆法生成Ca CO_3晶体会填补土体颗粒空隙,对土体密实度、导热能力、比热容均有积极影响。综合可知,化学诱导CaCO_3晶体沉淀矿化法对优化土体的热学性能和力学性能是可行的。  相似文献   
42.
为研究应用于轨道车辆降噪的声学超材料,在分析两种晶体结构的基础上,从密度角度出发研究散射体特征对声学超材料性能的影响。建立三维三组元金刚石声子晶体模型,通过控制变量法在控制基体材料和包裹层材料参数一致的情况下,针对散射体密度进行梯度递增,以此求解并绘制不同散射体密度条件下三维三组元金刚石声子晶体能带结构图。结果表明:三维三组元金刚石声子晶体的带隙作用频率在6 725.77 Hz~11 632.62 Hz之间,基本与高速列车噪声覆盖范围重合;带隙随着散射体密度的增加,带隙起始频率和带隙终止频率均从高频开始降低,二者降低幅度有所区别。带隙宽度会随散射体密度的增加而增加,拟合带隙随散射体密度变化的曲线后发现,三维三组元金刚石声子晶体的带隙宽度随密度的变化曲线更倾向于3 阶函数。该结构的扩展结构可应用于轨道车辆地板层、高速铁路 沿线声屏障等有降噪需求的部位。  相似文献   
43.
蒋红辉  张新明 《矿冶工程》2003,23(4):78-80,83
采用ODF分析法(晶体取向分布函数法)及SEM—EBSD(背散射电子衍射)技术研究和分析了不同冷轧润滑剂下高纯铝再结晶立方织构的形成和发展,结果表明,采用机油和煤油作润滑剂冷轧高纯铝箔时,退火后再结晶织构都是由很强的Cube织构以及弱的R织构组成,但煤油润滑比机油润滑冷轧样品退火后获得强得多的立方织构。再结晶立方织构的形成和发展受冷轧形变织构及显微组织结构不均匀性的影响。煤油润滑时样品中产生了大量的不均匀变形组织——剪切带,带中存在大量的立方取向结构,它们提供了形核条件,强化了再结晶立方织构;而机油润滑时冷轧样品变形比较均匀,很难观察到剪切带组织,也很难发现有立方取向结构,说明形变轧制织构和剪切带中的立方取向结构直接影响并控制着再结晶立方织构的形成和发展。  相似文献   
44.
LEC法生长的轻掺铬高阻GaAs 晶体熔融KOH腐蚀坑SEM观察结果表明,轻掺Cr-GaAs晶体位错的径向分布呈“W”型。这是由于GaAs单晶生长过程中,晶体中的热弹应力的“W”分布和位错大量增殖时所需的临界应力共同作用的结果。红外透射测量结果表明:当位错密度不太高时,位错引入的电子态的体密度低,位错的径向分布对红外透过率的影响很小;当位错密度很高时,其对红外透过率的影响不可忽视。  相似文献   
45.
1 工作原理与结构 永磁机构是用永磁体实现合闸保持和分闸保持(有时只用永磁体作合闸保持而不作分闸保持)的一种新型电磁操动机构.机构按照分闸操作的不同,可以分为电磁操动(俗称双稳态)和弹簧操动(俗称单稳态)两种形式,从线圈数目上又分为双线圈式和单线圈式,从外形结构分为方形结构和圆形结构.  相似文献   
46.
李智  马勇 《煤矿机械》2003,(5):50-51
主要介绍了单晶金刚石刀具原料的选择、晶体的定向、加工步骤和方法 ,以及加工过程中需要注意的一些问题 ,分析了单晶金刚石刀具研磨的机理。最后提出了一些关于加工单晶金刚石刀具的新想法  相似文献   
47.
数据挖掘技术在磷酸锌纳米晶合成中的应用   总被引:19,自引:0,他引:19  
在用室温固相反应与微波诱导相结合的合成方法制备磷酸锌纳米晶体的试验过程中,分析数据时有意识地应用数据挖掘的方法。数据挖掘结果表明,经过低热固相反应后,即使不用微波辐照也可以合成得到磷酸锌纳米晶体,从而发现并获得了室温相同反应合成纳米磷酸锌晶体的新方法。  相似文献   
48.
粉煤灰的性质及综合利用现状与展望   总被引:15,自引:0,他引:15  
本文在介绍粉煤灰的危害和性质的基础上综述了其利用现状及发展趋势。  相似文献   
49.
半导体光子晶体激光器的研究进展   总被引:3,自引:0,他引:3  
唐海侠  王启明 《半导体光电》2005,26(3):165-171,192
半导体光子晶体激光器已成为当今世界范围内的一个研究热点.简述了光子晶体的物理特性对优化半导体激光器的贡献,介绍了几种类型光子晶体激光器,详细阐述了器件的工作原理,并展望了光子晶体激光器的潜在应用前景.  相似文献   
50.
利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低调制器电容.集成器件阈值电流为12mA,在-2V偏置时的消光比为15dB,器件的小信号调制带宽超过10GHz.在10Gb/s调制速率下经过35km单模光纤传输后,误码率为10-12时的功率代价小于1dB.  相似文献   
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