降低正交频分复用信号峰均功率比的方法

正交频分复用（OFDM）的一个主要缺点是有很高的峰均功率比，现在已有许多解决方案用来降低OFDM信号的峰均功率比。着重对一些降低OFDM信号峰均功率比的方法进行描述，并分析每一种方法的优缺点及其应用前景。     

硅格应CIS封装市况不佳，第二季营收下降

日前，作为全球功率半导体主要生产厂家的Psi在成都出口加工区为其首家在中国设立的新厂举行了开工典礼。     

高功率二极管激光器的技术现状、工业应用及未来展望

二极管激光器现已广泛应用于通信、计算机及消费电子技术等领域，在这些领域中应用的二极管激光器均属毫瓦级功率的系统。然而，通过特殊的冷却与组装技术及光束组合与光束成形技术。高功率二极管激光器现已达千瓦级功率。这些高功率二极管激光器不仅可作为固体激光器高效率及高可靠性的泵浦源，还可作为材料加工的直接光源。目前，高功率二极管激光器已进入工业制造领域。本文介绍二极管激光器技术及其应用，并对德国未来5年的国家研究项目MDS(Modular Diode Laser Beam Tools)中的高功率二极管激光器的未来应用及其创新应用进行了重点论述。     

经纬仪伺服功率级现状和发展趋势

介绍了伺服功率级的现状，在此基础上得出了伺服驱动及控制技术的发展方向，并结合实际运用情况，提出了设计多功能的通用功率级的设计思路和实施方案。     

LiNbO3电光调制器的小信号功率测试法研究

阐述了小信号功率测试法测量LiNbO3电光调制器频率响应的原理，对传统的小信号功率测试法加以改进，在以网络分析仪（VNA）为主的常用扫频测试系统基础上建立起一套简单可靠的新型测试系统，实现了计算机控制自动测量。改进的测试方法考虑了测试系统中微波器件固有频响对测试结果的影响，并通过对器件进行校准加以消除。通过实验表明该方法的准确性。     

IR推出最新型200V DirectFET MOSFET效率高达95％并可大幅节省占位空间

全球功率半导体和管理方案供应商-国际整流器公司（International Rectifier．简称IR）日前推出了一款IRF6641TRPbF功率MOSFET，这种采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR最新的200 VHEXFET MOSFET硅技术的新器件可实现95％的效率，并可大幅节省占位空间。     

不断增强RF功率测量

精确的RF功率管理是现代无线发射器的热点话题，从基站的功率放大器保护到移动应用中的延长电池使用时间，它都有很多的优点。RF功率监测器，比如对数放大器，允许RF功率测量系统在一个较宽的范围监控和动态调整发射功率。尽管近几年来功率监测的精度已经有了很大改进，但是对于像那些需要高功率发射的应用甚至受到0dB功率监测误差微小变化引起的显著影响。因此这也促使检测器性能不断提高。     

混合动力电动汽车用电机及驱动控制器的电磁兼容设计

电机及驱动控制器作为电动汽车的关键部件,其电磁兼容设计对于保证电动汽车的可靠运行非常重要.介绍了国家十五项目中某混合动力轿车用电机及控制器系统的电磁兼容措施,分别从控制电路、信号电缆、功率电路及屏蔽机箱等工程角度进行了分析和设计.该系统的电磁兼容性符合GB/T17619-1998的要求,且已应用于实际混合动力电动汽车,运行情况良好.