诺贝尔物理学奖得主中村修二近期研究成果

<正>2014年10月7日,瑞典皇家科学院公布诺贝尔物理学奖得主,赤崎勇、天野浩、中村修二凭借对高亮度蓝色发光二极管(LED)的杰出贡献成功当选。中村现供职于美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校(CSB),该校称中村所开发的氮化镓(Ga N)基半导体光器件"是过去30 a半导体领域中最为突出的成果之一"。目前,中村教授正在进行的课题之一是如何合理利用Ga N结晶的非极性面和半极性面,以削弱压电电场     

薄膜太阳能电池新突破 开发控制高分子半导体

<正>一般来说,作为应用于有机薄膜太阳能电池和有机晶体管的半导体材料,低分子材料的载流子迁移率更高,达到了10cm2/Vs。而高分子有机半导体的载流子迁移率目前仅为0.1~0.5cm2/Vs。应用于薄膜太阳能电池时只能实现5%~7%的较低水平发电效率。日本理化学研究所创发分子功能研究组尾坂格尾坂等     

中国成为在德国电子行业投资项目最多的国家

<正>本刊上海消息(2014年4月10日)上月18-20日在上海举行的"慕尼黑上海电子展"展会上,德国联邦外贸与投资署的专家为中国企业家展示了德国在这个领域的存在的商机。据f Di Markets统计,中国已连续三年成为德国电子行业投资项目数量最多的国家。2010-2013年中国在德国的电子行业的投资项目总数为56个,高出第二名美国27%之多,并大幅超过第三名日本。德国是欧洲最大的电子行业市场以及生产地。2013年该领域的营业额达到1730亿欧元,其中近900亿来自于德     

全球PCB化学品及半导体封装材料市场综述

简要叙述了全球主要国家和地区印制电路板用化学品和半导体封装材料生产情况.并提出在全球电子化学品产业转移的有利条件下,加强自主研发能力,开发高技术产品是我国电子化学品行业发展的方向.     

激光功率对2195铝锂合金光纤-半导体激光复合焊接形貌与气孔的影响

光纤-半导体激光复合焊接技术充分结合了光纤与半导体激光热源的优势,在激光加工领域拥有巨大的潜力.针对2195铝锂合金开展光纤-半导体激光复合焊接试验,并定量研究激光功率对焊接形貌与气孔的影响.结果表明,光纤激光功率显著影响焊缝熔深,半导体激光功率显著影响焊缝上熔宽.基于回归分析方法建立焊缝横截面积预测模型.此外,光纤与半导体激光均对焊缝气孔缺陷的控制起着重要的作用,较高的光纤激光功率有利于降低气孔缺陷.对于4 mm厚2195铝锂合金,采用光纤激光功率为3.0 k W、半导体激光功率为2.5～3.0 k W时,熔池温度高且光纤-半导体激光复合作用范围大,焊接接头气孔缺陷少.     

Sn1- x Sm x O2 微纳米纤维的红外发射率与激光吸收性能：实验研究与第一性原理仿真

采用静电纺丝法结合热处理工艺制备了Sn_1-xSm_xO₂(x=0%,8%,16%,24%,质量分数,下同)微纳米纤维,表征了产物的物相、形貌、激光吸收性能和红外发射率,同时基于密度泛函理论的第一性原理对比分析了Sn_1-xSm_xO₂(x=0%,16%)的相关光电性质,进一步从电子结构角度解释了Sm³⁺掺杂对SnO₂红外发射率和激光吸收的作用机理。结果表明：经600℃煅烧后,Sn_1-xSm_xO₂均为单一金红石型结构,呈现出良好的纤维形貌,纤维相互交错,形成无规则三维网状结构,且各元素在纤维上分布均匀。随着Sm³⁺掺杂量的增大,产物在1064和1550 nm处的反射率逐渐降低,红外发射率先减小后增大。当x=16%时,在1064 nm处的反射率为53.9%,在1550nm处的反射率为38.5%,在8-14μm波段的红外发射率为0.749...     

绿色照明的理论与实践

在国际照明界的专家们看来，绿色照明应当满足如下要求：1、光源的发光效率高目前发光效率较高又能商品化的光源包括：高压钠灯、金属卤化物灯、节能荧光灯等气体放电灯以及最近两年来开始商品化的LED新光源。关于LED光源我们想重点介绍如下：早在六十年代初，人们就开始研究半导体砷化镓、磷化镓的PN结电致发光特性，首先出现了所谓半导体灯。LED是Light-emitting Diodes的缩写，翻译为发光二极管。发光二极管作为一种光源，具有几个突出优点：     

国内外半导体硅材料与技术的发展近况

1半导体硅材料在国民经济中的作用与地位 1．1半导体硅材料在电子信息技术、产业中的应用 人类社会已进入了信息社会，进入了网络文明时代。在全球信息化和经济全球化的进程中，以通信业、计算机业、网络业、家电业为代表的信息技术和信息产业获得了迅猛发展。其中，信息产业早已成为每个发达国家的第一大产业。     

大气污染监测与气敏传感器

本文介绍了有希望应用于大气污染物监测的陶瓷气敏传感器的检测原理，以及NOx,SOx,Co2、CO等气敏传感器的新近研究动向。     

半导体锗(Ge)放电加工中的表面钝化研究

实验模拟锗晶体电火花线切割加工过程,提出"钝化膜"这个概念。通过理论分析、观察实验现象、运用XRD技术分析新生成物质,确定这种新生成的物质为电解的锗离子与氢氧根离子反应生成的半导体氧化物。针对锗的钝化,提出两种钝化预防与消除方法,通过实验比较,确定"涂抹法"是预防钝化的有效措施。利用这种方法进行了实验验证与实际加工,与原来的加工方法进行实验对比,发现切割效率、稳定性得到很大的提高与改善。