基于半导体制冷器的"纯净电源"

提出了一种基于半导体制冷器的"纯净电源"方案,该电源具有电气安全性能优异,抗干扰能力强,输出纯净,寿命长,体积小等特点.指出了其能源转化效率低.负载能力低,需采用适当的高温防护措施等应用局限性,并给出了模型测试结果.     

利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET

对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率器件.器件的输出特性曲线在饱和区平滑,未呈现翘曲现象,说明形成的体连接有效地抑制了部分耗尽器件的浮体效应.当漂移区长度为2μm时,开态击穿电压达到10V,最大跨导17.5mS/mm.当漏偏压为5V时,SOI器件的泄漏电流数量级为1nA,而相应体硅结构器件的泄漏电流为1000nA.电学性能表明,这种改善的体连接技术能制备出高性能的SOI功率器件.     

电子表格模型在半导体晶圆制造产能规划中的应用

半导体晶圆厂的设备非常昂贵,对设备利用率的要求较高,设计一套简单实用的办法进行产能规划是十分必要的.本文提出了产能规划的三大模块,在前两个模块中将建立半导体晶圆制造产能规划的电子表格模型(Spreadsheet),在第三个模块中利用产能规划模型的数据结果进行分析,总结出一些改进方法.通过在某半导体晶圆厂的实际应用,该产能规划模型有效地解决了投料不均,设备负荷率波动过大等问题.     

IBM研究院院士对"摩尔定率"提出新观点——谈半导体技术未来的发展方向

问:近日,IBM研究院Thomas J.Watson研究中心科技副总裁--陈自强博士面对当前半导体业内三个问题,提出了自己的观点.第一是SiliconCMOS技术到底能够延长多久?半导体已经经过超过40年了,现在已经生产65 nm,再一年多是45nm,然后呢是32 nm也会有,但是它的发展不能一直往下走啊,到底什么时候Silicon CMOS技术就会截止?第二个问题就是"摩尔定率",最近一直讨论到底有没有被打破?第三个问题是半导体工艺,也就是componet industry以后的方向是怎么走?     

高压LDMOS场极板的分析与设计

场板是高压LDMOS中普遍使用的一种结终端技术,对单阶梯LDMOS场板的长度、其下方氧化层厚度以及场氧侵蚀厚度等参数进行了模拟和分析,在此基础上设计了一种新型体硅双阶梯场板LDMOS,并对其具体参数进行了细致的模拟和分析.模拟结果表明,双阶梯场板LDMOS的击穿电压比单阶梯场板LDMOS提高了15.3%,导通电阻降低了17.1%,电流驱动能力也提高了8.5%.     

2005年度中国半导体行业十大新闻

2005年整个半导体产业在比较平寂中逝去,作为传媒,我们忠实记录了半导体业界发生的一切.其实雷雨前夕往往是平静的,我们希望把曾经发生的、平凡中又给行业带来长远影响的事件铭刻在2005.     

半导体市场

Atmel的系统解决方案是发展中国市场的成功关键;Microchip扩充经认证的全速USB 2．0 PIC单片机系列;安森美半导体推出提供低待机能耗的GreenPoint^TM CRT电视机电源参考设计;Spansion发布MirrorBit解决方案进入手机市场;香港科技园运用科利登先进的工具 完善其诊断和特征分析能力。[编者按]     

业界动态

科利登将在2006年度SEMICON China展会上展出Sapphire D-10系统;飞思卡尔半导体的i．MX31应用处理器被电子巨头Vestel选定应用子其便携式媒体播放器;FINETECH发布灵活的FINEPLACER激光条封装平台;FSI发布全新的用于无灰化、湿法光刻胶去除VIPR^TM工艺技术 该技术应用在ZETA G3喷雾清洗平台上。[编者按]     

综合新闻

今年全球半导体产业可望达2位数增长幅度,重庆万州将投资100多亿元打造多晶硅之都,中芯武汉厂开工预计后年投产,台积电和ARM合作显著降低65nm低功耗测试芯片的功耗,为确保货源日硅品圆厂商纷纷签订长期合约。[编者按]     

半导体市场

康宁公司被联合太空联盟评为杰出供应商,Dimatix纳入Fuji Film旗下反映出其创新喷墨技术的强劲增长机会,Altera客户使用Stratix Ⅱ GX FPGA获得了性能、功耗和信号完整性优势,科利登连续第五年在VLSI Research客户满意度调查中位居ATE供应商前列,尖端技术改变大众生活——瑞萨论坛2006寻求新突破, CADENCE扩展测试以及成品率诊断技术先导。[编者按]