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41.
介绍一种基于PLC的烙铁控制系统及其工作原理,通过合理的硬件配置及完善的程序软件设计,达到烙铁控制的要求,提高了控制精度.  相似文献   
42.
利用新型纳米材料———碳纳米纤维(CNF)对高密度聚乙烯(HDPE)进行改性,采用转矩流变仪熔融共混和模压两步法制备1%~20%(质量分数,下同)CNF/HDPE复合材料。研究了CNF的分散特性及其对HDPE材料结晶行为和介电性能的影响。结果表明:CNF可良好分散于HDPE基体中,同时CNF会导致HDPE的结晶度和晶粒尺寸发生变化,并促进HDPE沿(110)晶面取向生长;另一方面,复合材料的介电常数随CNF含量增加而大幅度提高,当CNF含量为20%时,复合材料在103 Hz下的介电常数达到580,比HDPE提高~150倍;同时由于CNF的存在,与介电常数不随频率变化的HDPE不同,复合材料的介电常数表现出强烈频率依赖性。CNF对复合材料的AC导电率也有显著影响,当CNF含量达到10%以上时,AC导电率表现出明显的直流特性。  相似文献   
43.
采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构。用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm~1.8μm,最长的纳米棒达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰。  相似文献   
44.
介绍广州蓄能水电厂微机式同期装置的参数设置,控制原理,详细分析了机组在不同工况下的同期过程。并介绍了根据实际运行情况及需求,对机组进行二次同期的改造及同期合闸命令监视的技改。  相似文献   
45.
随着企业规模地不断扩大,带来了企业员工培训花费逐步增加、安排培训不便等系列问题。本文提出了一种运用现代无线通信技术构建广域企业内训网络的方案,分别利用GPRS的VPN隧道技术在外地接入企业内部网、利用LMDS技术连接同一城市总部与分部,以及利用WLAN覆盖总部的热点地区,实现了广域企业内训网的无缝覆盖,并可同时在企业的总部和各个分部进行员工的培训,降低了培训成本,可为大规模企业的内训网建设提供一定的参考。  相似文献   
46.
针对一类具有未知死区的非线性纯反馈系统自适应神经网络控制问题,本文提出了基于径向基函数神经网络结构特征的控制设计方案。将未知输入死区表示成一个线性死区与一个有界非线性死区之和的形式,在控制设计过程中,通过神经网络系统逼近未知非线性函数,结合自适应Backsteeping方法及神经网络基函数向量的范数性质,设计了一种自适应神经网络状态控制器,并通过Lyapunov稳定性理论进行稳定性分析。分析结果表明,在该控制方案作用下,闭环系统的所有信号有界,跟踪误差收敛到原点一个足够小的领域,数值仿真验证了本文方法的有效性。该研究具有一定的实用价值。  相似文献   
47.
通过对无线充电技术发展现状的分析,制约无线充电技术在电动汽车领域推广的主要因素:一是电能传输效率较传统充电技术具有一定差距;二是大功率无线充电设备的使用给电网带来了谐波污染。该文从源头解决问题,在无线充电系统电能变换的第一级—整流滤波环节,增加了有源功率因数校正(APFC)电路。通过分析其工作原理,设计了基于FAN9673的三级交错并联的Boost电路拓扑结构,并计算了电路的主要参数。实验结果表明,网侧输入端电流跟随输入电压变化且无相位差,网侧功率因数在0.99以上,电能传输效率大于97%,APFC电路的输出电压稳定,系统动态性能好,为无线充电系统中后续电路的供电质量提供可靠保障。  相似文献   
48.
Mg粉在800℃氨气流中氨化60min,可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数α=0.99657nm。SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明,在激发波长为490nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。  相似文献   
49.
针对一类单输入单输出非严格反馈系统的自适应模糊控制问题,该受控系统含有未知的虚拟控制系数,提出了一种基于观测器的自适应模糊控制方案。采用凸组合的方法,设计了一个鲁棒观测器来估计未知的系统状态变量,同时运用Young不等式及变量分离方法,解决非严格反馈结构带来控制设计上的困难,并结合模糊自适应控制方法和Backstepping技术,构造出理想的控制器。根据Lyapunov稳定性理论,证明所提出的自适应模糊控制器能保证跟踪误差收敛到原点的一个小领域内,且自适应闭环系统的所有信号都是有界的,以一个仿真算例验证了方案的有效性。说明含未知系数的非严格反馈系统,最终可以转化成稳定性良好的系统。该研究具有广阔的应用前景。  相似文献   
50.
利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm~400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.  相似文献   
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