排序方式: 共有70条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
研究了沿渗硼层不同深度扩展的脆性裂纹,发现渗硼层的脆性裂纹扩展具有一定的方向性,且在渗硼外层及过渡区部位易形成并扩展裂纹,脆性较大。用显微硬度压痕结合声发射测量渗硼层各部位En-P直线的斜率K值时发现,沿渗硼层不同深度的K值分布呈“浴盆”状。 相似文献
42.
43.
44.
45.
FGH96合金静态再结晶行为的研究 总被引:2,自引:2,他引:0
研究了FGH96合金在再结晶退火中的静态再结晶行为,并对再结晶机理进行了讨论与分析。结果表明:在较大冷变形量下,FGH96合金的静态再结晶在很短时间内完成,再结晶组织中有大量的孪晶组织。冷变形造成γ’/γ,界面上的位错塞积,再结晶形核方式形核有亚晶粗化形核和应变诱导晶界移动(SIBM)方式。γ’相在应变诱发晶界迁移(SIBM)机制中起到两方面作用:一为冷变形在γ’/γ界面上形成高密度的位错塞积,这为晶界单向移动并为最终的再结晶形核提供驱动力,二是再结晶晶粒晶界的移动速度(即晶粒的长大)受到γ’相的分解速率控制。 相似文献
46.
47.
采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰.采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采用傅里叶变换红外光谱仪对SiC量子点表面的功能团进行检测,对其表面亲水性基团耦合的机理进行分析.结果表明,随着SiC量子点溶液浓度的增大(4~12 μmol·L-1),其光致发光强度先增大后减小,且光致发光强度峰值出现在8 μmol·L-1时;SiC量子点表面形成亲水性基团的关键在于腐蚀法制备过程中超声空化环节所营造的局部高压高温环境. 相似文献
48.
49.
50.