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41.
抛物线型无损耗传输线的时域灵敏度分析 总被引:3,自引:3,他引:0
频域灵敏度分析只能适用于线性网络。为了解决含非线性的问题,提出了一种由频域灵敏度公式求线性元件时域灵敏度公式的方法。基于伴随网络法和已有的频域灵敏度公式,推导出了抛物线型无损耗传输线的时域灵敏度公式,较好地解决了这类非均匀线的灵敏度求解问题。 相似文献
42.
43.
漏电流的准确计算对于保证人身和设备安全是非常重要的。由于非线性电力电子器件的广泛应用,配电线路的漏电流为交直流混合复杂信号,目前的计算方法难以精确计算。为此,提出了一种结合全相位傅里叶变换的方均根值算法。以漏电流仿真值作为基准值,根据采样数据的方均根值、基准值以及全相位傅里叶变换的计算值来计算配电线路的漏电流,高效准确。算例证明了算法的准确性与有效性,为配电网漏电流的准确计算提供了一种新方法。 相似文献
44.
高压电气设备一般尺寸较大,测量其宽频特性时需利用较长的测量引线,这将严重影响宽频特性测量结果。该文以阻抗分析仪为测量设备,针对现场测量时遇到的问题,提出一种适于现场测量的大尺度电气设备宽频阻抗测量方法。该方法利用同轴电缆适当的屏蔽层接线,保证了测量时不同空间布线下测量结果的一致性,同时利用"开路、短路、负载校验"补偿了长测量电缆对测量结果的影响。解释了所提方法的原理,并在实验室和现场开展测量验证了该方法的正确性。现场测量表明该方法可在兆赫兹内准确测量电力系统内主要设备的宽频阻抗特性。 相似文献
45.
46.
为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势。首先,简单分析了开通电流过冲和关断电压过冲产生机理,并在LTSPICE仿真软件中建立了双脉冲测试回路等效电路模型。仿真结果表明:开通电流过冲和关断电压过冲分别主要取决于上桥臂总杂散电容和回路杂散电感。此外,分析了负载电感的杂散电容与绕制层数的关系。通过Q3D仿真,对比研究了不同直流母排结构以及电容布局方式下的杂散电感。最后基于阻抗分析仪测量,采用谐振频率法计算出负载电感的杂散电容和直流母排的杂散电感。仿真和实验结果均表明:单层负载电感杂散电容最小,环形叠层结构直流母排的杂散电感最小。因此在相同开关速度下,采用优化后的测试平台,器件开关瞬态特性明显得到了改善。 相似文献
47.
有机硅凝胶材料作为IGBT器件封装用绝缘材料,在器件的运行工况下,器件承受着重复性导通关断电压,对应频谱宽,且器件损耗将引起温度升高。为了能够准确分析器件内部电场特性,运用频域介电谱技术对有机硅凝胶在宽频、宽温度范围内的介电特性进行研究,利用叉指电极,实现对有机硅凝胶在不同温度下的宽频介电谱测试。采用Cole-Cole介电模型对实验数据进行拟合,并分析温度对Cole-Cole模型特征参量的影响规律。研究结果表明:频率和温度对有机硅凝胶的介电特性均有较大影响,在低频高温下,有机硅凝胶材料相对复介电常数的实部、虚部都显著增加。在所提取的Cole-Cole介电模型的特征参量中,直流电导率σ0及特征参量Δε1与温度之间的关系都满足Arrhenius方程,热活化能分别为0.233 eV与0.691 eV;弛豫时间τ1和τ2随温度的变化规律有所不同,但在高温时都明显增加。对半导体器件封装用有机硅凝胶材料介电特性的认知可以为器件内部电场分析和绝缘设计提供基础数据支撑。 相似文献
48.
气体绝缘开关设备(GIS)进出线套管处的电磁模型对特快速暂态过电压(VFTO)、暂态外壳电压(TEV)以及外部瞬态空间电磁场的建模计算有重要影响。特高压GIS系统的VFTO频率最高可达100MHz,此时套管屏蔽层导体的长度与电磁波波长可比拟,不能再用集总参数对套管建模。建立了具有双层屏蔽导体的特高压GIS复合套管宽频等效电路,分别采用传输线理论、分段传输线的级联和近似公式建立套管的三导体系统间均匀段、尺寸渐变段的双导体和导体间电磁泄漏阻抗的模型;用集总电容来等效导体尺寸不连续处激发的电磁波的高次模对主模传输的影响;分别提取套管顶部均压环、中间屏蔽层的对地电容,提取套管顶部均压环对中间屏蔽层的部分电容。综合上述传输线及各个部位的阻抗模型,计算1~100MHz频率范围内,从套管底部看进去的输入阻抗,并与全波电磁仿真的套管三维输入阻抗对比,二者一致性较好。 相似文献
49.
50.
变电站地电位差对屏蔽电缆的电磁干扰分析 总被引:16,自引:9,他引:7
基于多导体传输线频域方法提出了一种电缆上干扰电压和电流的数值计算方法。实验验证了该方法的有效性,并计算了雷击某500 kV变电站接地网时瞬态地电位差在低压直流电缆上产生的干扰电压和电流,计算结果表明该干扰电压和电流不可忽视。 相似文献