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由于氧化镓(Ga2O3)纳米棒具有独特的物理和化学性质,在纳米光电子器件等领域具有广泛的应用前景,因此氧化镓纳米棒的可控制备具有十分重要的意义。本文采用化学气相沉积(CVD)的方法,在无催化条件下,在硅Si(100)衬底上成功生长出β-Ga2O3纳米棒。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜等表征,发现氧化镓纳米棒按照气-固(V-S)机制生长,当生长温度从850℃升高到950℃时,纳米棒的密度、直径和长度增加,纳米棒的形貌从杂乱无序的随机生长转变为沿衬底垂直且具有不同夹角方向生长。结果表明,反应温度和氧气浓度决定了氧化镓纳米棒的形貌和尺寸,通过控制温度和氧气浓度能够有效调控氧化镓纳米棒的形貌和光学性能。 相似文献
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采用冷坩埚悬浮熔炼法制备了Al0.3CoCrFeNiBx(x=0,0.01,0.05,0.1)系列高熵合金。利用X射线衍射仪、电子背散射衍射分析、扫描电子显微镜及附带的波谱仪分析了B的添加对Al0.3CoCrFeNi合金组织结构的影响,研究了Al0.3CoCrFeNiBx合金的显微硬度、室温摩擦磨损性能及室温压缩性能。结果表明:Al0.3CoCrFeNi合金为fcc结构,随着B含量的增加,fcc相基体中晶界处Cr2B析出相逐渐增多,且Cr2B相由颗粒状分布逐渐转变为连续网状分布,致使合金的硬度、耐磨性和屈服强度均逐渐提高。可见,Cr2B析出相弥散强化作用显著,Al0.3CoCrFeNiB0.1综合性能更佳。 相似文献