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为了确保重要用电设备供电的可靠性和连续性,通常对其供电的配电系统设置了两路供电电源,两路电源通过转换开关进行切换,部分用电设备需要备用应急电源,且应急电源切换时间短,必须采用快速旋转开关进行应急电源的切换,该产品采用一种快速传动机构,通过调整凸轮的相对位置来实现快速旋转,从而达到快速切换. 相似文献
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44.
为了制备性能优异的电积铜用阳极,采用电沉积的方法在铝合金基体表面制备了电积铜用Al/Pb-Sn复合阳极。通过循环伏安法(CV)和时间-电位(t-E)曲线分析了Al/Pb-Sn复合阳极膜在电积铜过程中的阳极过程、耐蚀性和电催化活性;采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)分析复合电极的形貌及相结构;研究了Sn含量对复合阳极在电极铜过程中结构和性能的影响。CV和t-E曲线分析显示Sn含量的增加促进了Al/Pb-Sn复合阳极阳极反应的进行,使Al/Pb-Sn复合阳极耐腐蚀性和电催化活性增大。SEM分析显示随着Sn含量的增大,Al/Pb-Sn复合阳极的镀态表面和氧化膜的晶粒尺寸增大。XRD谱分析显示随着Sn含量的增大,阳极膜上具有较高电催化活性和耐蚀性的β-PbO_2相含量增大。 相似文献
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硫酸软骨素钙的制备工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
本研究以硫酸软骨素钠为原料 ,将其溶液进行离子交换 ,生成硫酸软骨素酸 ,然后用氯化钙溶液洗脱 ,无水乙醇沉淀 ,即生成硫酸软骨素钙 ,同时对其各项指标进行了检测 ,并通过正交试验优化了工艺条件 相似文献
46.
由于MOFs材料在潮湿环境下表现出较低的CO_2吸附性能和稳定性能。采用化学修饰法将多壁碳纳米管(MWCNTs)羧基化,采用溶剂热法合成多壁碳纳米管/Mg-MOF-74复合材料(CNT@Mg-MOF-74),使用粉末X射线衍射、傅里叶变换红外光谱、热重分析、扫描电镜、氮气物理吸附等表征手段考察材料的结构和形貌。考察了MWCNTs,Mg-MOF-74,CNT@Mg-MOF-74在25℃、常压下对CO_2的吸附效果,CNT@Mg-MOF-74的循环再生性能以及Mg-MOF-74和CNT@Mg-MOF-74在潮湿环境下(温度28℃,相对湿度72%)的结构稳定性。结果表明,MWCNTs的掺杂并不影响Mg-MOF-74的结构和形貌。CNT@Mg-MOF-74相比Mg-MOF-74具有更好的疏水能力。CNT@MgMOF-74在25℃、常压下对CO_2的饱和吸附量可达79.88 mg/g,相比Mg-MOF-74吸附量(CO_2饱和吸附量为59.75mg/g)增加了34%,5次循环再生率均为100%,而且CNT@Mg-MOF-74相比Mg-MOF-74在潮湿环境下具有更好的结构稳定性。 相似文献
47.
48.
针对大牛地气田水平井分段压裂段数多、作业时间长、压裂液滞留地层时间长对地层伤害大等问题,开展胶囊破胶剂及过硫酸铵破胶机理研究,分析破胶剂加量比例与加入方式对水平井储层改造效果的影响.根据储层特征及压裂施工情况,对不同温度场下各段破胶剂比例进行优化,优化结果基本达到同步破胶的目的,返排率较前期明显提高. 相似文献
49.
自旋转移力矩磁存储器(spin transfer torque random access memory ,ST TRAM )和磁阻式随机存储器(magnetic random access memory ,MRAM )等新型存储器具有接近于 DRAM 的访问速度,是构建高性能外存系统和提高计算机系统性能的重要手段,但有限的写次数是其重要局限之一.设计了文件系统级磨损均衡机制,使用 Hash 函数分散文件在外存中的存储,避免在创建和删除文件时反复分配某些存储块,通过分配文件空间时选择写次数较低的存储块,避免写操作的集中;使用主动迁移策略,在外存系统 I/O 负载较低时主动迁移写次数较高的数据块,减少磨损均衡机制对 I/O 性能的影响.最后在开源的基于对象存储设备 Open‐osd 上实现了面向新型存储器文件系统级磨损均衡机制的原型,使用存储系统通用测试工具 filebench 和 postmark 的多个通用数据集进行了测试与分析,验证了基于新型存储器的文件系统级磨损均衡机制能稳定地将存储块写次数差减少到原来的1/20左右,同时最高仅损失了6%的 I/O 性能和增加了0.5%的额外写操作,具有高效和稳定的特性. 相似文献
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