排序方式: 共有63条查询结果,搜索用时 93 毫秒
41.
采用脉冲大电流热加工技术焊接Al-Li合金1420.通过比较不同焊接工艺下的焊接产品,在最优焊接条件下获得了接头抗拉强度为母材强度75%的焊接接头.分析了接头微观结构及其对接头性能的影响,通过金相图片和扫描图片分析了接头处焊接点的形成过程,认为焊接过程实际可以分为由于微区熔化现象引起的焊接点高速形成阶段和围绕焊接点的原子扩散过程.脉冲大电流焊接过程由于焊接时间短,因而晶粒并没有发生二次生长.接头断口SEM照片显示,接头断裂方式为沿晶/穿晶混合断裂方式. 相似文献
42.
CuIn0.7Ga0.3Se2粉末的自蔓延高温合成 总被引:1,自引:0,他引:1
以Cu,In,Ga,Se单质为原料用自蔓延高温合成法制备CuIn0.7Ga0.3Se2粉末.通过X射线衍射、光电子能谱、能量散射X射线分析、激光拉曼光谱等分析方法对产物的组成、结构和成分进行表征.结果表明,反应物投料比例,合成气氛压力等因素对合成产物化学计量配比有显著的影响.利用自蔓延高温合成方法可以获得精确化学计量配比、单相黄铜矿结构的CuIn0.7Ga0.3Se2. 相似文献
43.
44.
采用高温自蔓延制备的碳化锆粉体作为原料,研究了碳化锆陶瓷在空气中的氧化机制和热压烧结块体的氧化动力学行为。结果显示:在空气中,碳化锆陶瓷在200℃时开始氧化;在200~450℃时,氧化产物为ZrCxO1–x (x=0~0.42);在500~600℃时,生成中间相Zr2O出现;当氧化温度升高到1000℃,氧化产物主要为ZrO2。对烧结体的氧化动力学行为分析发现,在200~450℃的氧化过程中烧结陶瓷表面形成ZrCxO1–x致密氧化层,氧化层会抑制氧原子的扩散。当表层氧化产物为 ZrC0.42O0.58时,氧化反应基本停止,达到一个稳定状态。继续升高温度,由于产物(Zr2O 和 ZrO2)的晶型结构发生较大的变化,烧结块体会开裂破坏。随着固溶氧的增加,ZrCxO1–x (x=0~0.42)的电阻从37μ??cm增加到690μ??cm。 相似文献
45.
46.
原位反应合成双相陶瓷增强铜基复合材料 总被引:3,自引:0,他引:3
原位反应合成技术在金属基复合材料制备领域具有显著的技术和经济优势.在分析了国内外原位反应合成金属基复合材料的主要制备工艺的基础上,采用高温自蔓延和热压的方法制备双相陶瓷颗粒增强铜基复合材料,研究了合成条件对材料结构和性能影响的规律.结果表明:与纯铜相比较,所制备的铜基复合材料电导率和热导率保持在80%以上,而耐磨损性能提高了6倍. 相似文献
47.
张金咏 《武汉理工大学学报(材料科学英文版)》2003,18(4):32-34
1 IntroductionSelf propagatingHighTemperatureSynthesis(SHS)asamaterialssynthesistechnologyhasbeenstudiedformanyyears .Andnowithasbeenusedtofabricatemanymaterials .However ,therearestillsomeproblemsbetoex plored .Itsvariablecombustingmodeisoneoftheseprob lems .Itwasreportedthattherearethreeclassicpropagat ingwaysinSHS ,suchasstead ,oscillatingandspinning .Manyworkshavebeendoneonthecombustiondynamicsanditsbehaviors[1-4] ,butaclearexplanationforthesebehaviorsisstillneeded ,especiallyintheau… 相似文献
48.
49.
自蔓延高温合成/快速加压法制备二硼化钛陶瓷的致密化机理 总被引:2,自引:0,他引:2
用自蔓延高温合成/快速加压(self-propagating high temperacre synthesis/quick pressing,SHS/QP)法制备了 TiB2陶瓷.用扫描电镜及透射电镜观察陶瓷产品的微观形貌.对TiB2陶瓷致密化的动力学过程及结构形成过程进行了分析,并提出SHS/QP陶瓷烧结的致密化机理.结果表明:在SHS/QP过程中TiB2陶瓷的致密化是晶粒的重排及高温塑性变形共同作用的结果. 相似文献
50.
二硼化钛陶瓷在不同温度下的氧化行为 总被引:1,自引:1,他引:0
采用静态氧化法对不同温度下TiB2陶瓷的氧化行为进行研究,利用X射线衍射仪、扫描电镜、X射线光电子能谱仪对氧化前后的样品进行表征.结果表明:低温下TiB2陶瓷氧化动力学满足抛物线规律,并在表面形成液相B203,阻止氧化反应的进一步进行,冷却后B2O3以玻璃态覆盖在表面.高温下TiB2氧化反应在4h前满足抛物线规律,表面形成一层TiO2多孔结构;氧化4h后,随着氧扩散距离的延长,扩散阻力加大,从而使氧化速率降低,氧化反应不再满足抛物线规律. 相似文献