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41.
光子学是继电子学发展起来的新学科,它在现代科学技术,特别是在高技术中所起的作用越来越明显,本文对光子学的重要性给以高度评价。 相似文献
42.
The nanocrystaUine Fe82Nb7B10Cu1 soft magnetic ribbons were treated with the mixture gas flow of ammonia and hydrogen at 673 K. The influence of the nitridation treatment was studied by the low-frequency permeability spectra. The result shows that this kind ofnitridation treatment can improve the soft magnetic properties under some application conditions. The reason for the improvement of the soft magnetic properties by slight nitridation was discussed on the basis of domain wall bulging model. Therefore for the Fe-based nanocrystalline soft magnetic alloy ribbons, the nitridation treatment can be used as an effective and easy method to control the magnetic properties. 相似文献
43.
运用从宏观到微观的不同层次理论对Ti-Al金属间化合物室温脆性的研究进展进行了回顾,讨论了Ti-Al金属间化合物室温脆性的形成原因,并重点从电子结构层次阐述了金属间化合物室温脆性的成因,提出了从各个结构层次综合改善室温脆性的具体措施和实现途径. 相似文献
44.
贵金属铑和铱的电子结构和物理性质 总被引:1,自引:0,他引:1
应用纯金属单原子(OA)理论确定了面心立方(fcc)结构贵金属Rh和Ir的电子结构分别为[Kr](4dn)∧6.7400(5sc)∧0.0000(5sf)∧0.3600和[Xe](5dn)∧0.7100(5dc)∧7.2900(6sc)∧0.2700(6sf)∧0.7300,并计算了它们的热能曲线、晶格常数、结合能、弹性和膨胀系数随温度的变化,另外对其体心立方(bcc),密排六方(hcp)结构初态特征晶体和初态液体的电子结构进行了研究。从而提供了不同晶体结构Rh和Ir的结构参数和性能参数,为Rh和Ir金属元素及其相关材料的理论设计提供了完整的数据资料。 相似文献
45.
国家间的竞争是综合国力的竞争,综合国力的关键是科学技术,而科学技术从根本上来讲是一国所掌握知识产权。我国还是发展中国家,自主知识产权竞争能力与发达国家相距甚远,近些年来,知识产权纠纷已经成为中国与西方国家的热点问题,并在一定程度上影响中国对外经济贸易的正常进行。 相似文献
46.
47.
48.
本文结合笔者多年城市立交工程设计经验,全面阐述城市互通立交方案优化与对比,分析立交方案所遵循原则,并以深圳市布龙路五和立交方案设计对比,提出个人见解,以供同仁参考之用。 相似文献
49.
寒武系盐下白云岩是塔里木盆地重要的勘探领域,是近年来油气勘探研究热点之一。为明确塔中地区肖尔布拉克组的层序格架、沉积相类型及储层分布特征,综合塔中地区的钻井、地震、岩心等资料,利用井—震标定,对层序的关键界面进行识别,开展层序格架内的沉积相展布研究。结果表明:塔中地区肖尔布拉克组可划分为2个Ⅲ级层序(SQ1、SQ2),SQ1发育海侵体系域与高位体系域,不发育低位体系域,SQ2仅残留部分高位体系域。以塔参1井所在的古梁带将塔中地区划分为东、西两部分,西部属开阔海环境,沉积相带为古陆—滨岸—开阔台地,SQ1海侵期塔中全区基本被淹没,是烃源岩发育期,SQ1高位期与SQ2为台地内丘滩体大规模发育时期,形成规模性储集层;东部属局限海湾环境,沉积相带为古陆—潮坪(混积潮坪—藻云坪)—开阔台地,SQ1高位期与SQ2海平面大幅度下降时期,潮坪相白云岩接受大气淡水溶蚀改造,形成良好储集层。在层序格架内,建立了塔中地区沉积模式,为指导储层预测提供新思路与地质依据。 相似文献
50.
随着集成电路向高密度小尺寸方向发展,铜互连已成为目前集成电路主要使用的互连技术,但球状缺陷的形成会影响产品的质量.本文研究了长等待时间下铜互连线中球状缺陷的形成机理,分析了其造成器件失效的原因,并提出了相应的解决方案.研究显示,前道工序应力残留致铜晶界处应变再结晶是这种形式球状缺陷形成的主要原因.球状缺陷会使两层金属之间形成额外通孔,从而引起短路或漏电,导致器件失效.最后提出了相应的解决方案,通过正交实验发现铜电镀退火温度降低50℃,氮化硅淀积速率降低1 nm/s,氮化硅的膜厚提高10 nm能够有效改善这一现象. 相似文献