建设工程施工招投标中评审法评定标的有关问题探讨

本文讨论了采用评审法评标定标的法律意义及过程特点，善后探讨了如何使评审法在招投标实践中真正做到公正公平地选择中标单位，避免主观因素，克服该方法自身存在的局限性，使评审法在施工招投标工作中更科学、合理。     

用于抗闭锁的辐射敏感开关

介绍了一种用于抗闭锁的辐射敏感开关.设计的辐射敏感开关在"闪光I"瞬时辐射模拟源上进行了实验考核.实验结果表明,该辐射敏感开关能够成功驱动超大规模集成电路,达到抗闭锁设计目的.     

基于Ansys的转子式油泵动态仿真模型研究

本文以某型车辆分动器的转子式油泵为研究对象,建立了基于液体连续性方程、动量方程的单相湍流仿真计算模型.通过改变油液的粘度和入口的压强来模拟外部环境参数的变化,分析油泵出口流量分别随油液粘度和压强变化的关系,并通过对比实验结果对模型进行了验证,结果表明:本文依据如表1所示的计算条件,得出的仿真分析结果(见图4~图9)符合实际试验结果(如表2),证明所建立的计算仿真模型能够较好地对复杂结构内部的油液流动情况进行分析,但要得到更精确的结果,还需要对模型进行进一步修正.     

伪闭锁路径法的应用

在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法———伪闭锁路径法。文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例。运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制。“闪光I”瞬时辐照试验表明,该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低,只有1.3×104Gy(Si)/s,能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁。     

高能液固混合燃料配方优化及毁伤分析

为筛选优化高能燃料空气炸药（FAE）的配方组分,以石油醚、环氧丙烷和乙醚作为液体燃料,硝酸异丙酯和硝基甲烷作为液体敏化剂,金属铝粉作为固体组分,通过EXPLO5计算软件比较了不同配比FAE的爆炸压力和爆炸温度,并在无约束条件下进行了液体和液固FAE配方的云雾爆轰实验,对爆炸场、温度场等参数进行了毁伤效果分析,并量化评估了各体系的热毁伤、超压毁伤的效果。结果表明,石油醚、环氧丙烷与硝酸异丙酯混合的混合液体FAE,在石油醚质量占比55%～70%条件下,爆轰性能上表现较优。液固混合FAE中液固比例为1∶1条件下具有较良好的爆轰性能,并在无约束云雾分散实验中表现出最佳的云雾分散状态。两种体系的FAE配方在1 kg的二次起爆药量下云雾爆轰可以稳定反应,能达到爆轰状态,且在毁伤能力均具有较优效果。     

东海陆架盆地椒江凹陷锆石U-Pb定年及意义

为确定东海陆架盆地椒江凹陷前新生代沉积基底的年龄，并对凹陷内断陷期的沉积物源进行示踪研究，选取了椒江凹陷内典型钻孔中的岩屑样品进行锆石U-Pb定年分析测试，并和已有研究成果进行了对比研究。椒江凹陷前新生代基底以岩浆岩为主，碎屑锆石年龄分布特征复杂，主峰值年龄为227 Ma，主要形成于印支晚期，形成环境属于大洋岛弧环境，和丽水东次凹及雁荡低凸起等已有岩浆记录具有一致性；断陷末期古新统明月峰组碎屑锆石具典型岩浆岩特征，其锆石主峰年龄集中在140~90 Ma，其形成环境属于大陆边缘环境。椒江凹陷古新世物源较为单一，与丽水东次凹具有较大可对比性，东部的雁荡低凸起为其古新世断陷期持续提供物源供应。      

南黄海北部盆地晚白垩世以来构造变形与盆地成因

南黄海盆地是中国近海的主要含油气盆地之一,油气勘探多年但成效不大。盆地结构不清、断裂体系多样与构造演化复杂的因素致使勘探潜力不明。为探讨南黄海北部盆地晚白垩世以来的构造变形特征与断陷盆地形成机理,通过近年最新二维地震资料解释及钻井等地质记录,结合相关地质背景和前人研究成果,对北部盆地的断裂特征和盆地结构开展综合研究,形成北部盆地晚白垩世以来不同时期断裂发育模式和地层沉积充填特征的认识。通过研究认为,中生界-古生界海相地层在印支期遭受挤压变形而形成逆冲断裂,该断裂系构成晚白垩世以来盆地的重要基底断裂系。在后期伸展应力状态下,基底断裂复活,控制着盆地内断层的活动范围和活动方式,同时控制着晚白垩世以来的地层沉积格局和构造样式,形成以伸展构造变形为主的多凹组成的断陷群,反映出“深层约束浅层”的关系。     

手动变速箱油摩擦特性评定试验台研制

为了评定手动变速箱油摩擦特性对同步器性能的影响,研制了手动变速箱油摩擦特性评定试验台。阐述了试验台的总体结构与工作原理,设计了试验台的关键子系统,包括动力与传动子系统、换挡子系统、运动控制与数据采集子系统等。在研制的试验台上,对手动变速箱的换挡特性和工况参数进行了分析与测量,对试验台的整体性能进行了测试与评估。结果表明：试验台能够模拟变速箱同步器的实际运行工况,试验结果具有良好的重复性和区分性,能够评定出手动变速箱油的摩擦特性。     

MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术

以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2Gy，而MTM（Metal-To-Metal）反熔丝0．6和0．25pm工艺RTS4SX的总剂量效应，器件表现出好于1000Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。     

N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应

介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应.用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验,测量了电源工作电流ICC,芯片的功能失效表征了它的总剂量响应.芯片在较低的总剂量水平发生功能失效,γ失效总剂量～165 Gy(Si).芯片失效时工作电流发生快速增长.实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数,研究了剂量增强效应机理.