首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   60篇
  免费   0篇
  国内免费   2篇
综合类   2篇
无线电   33篇
一般工业技术   8篇
自动化技术   19篇
  2005年   1篇
  2004年   4篇
  2003年   4篇
  2002年   5篇
  2001年   7篇
  2000年   5篇
  1999年   8篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1996年   8篇
  1995年   4篇
  1994年   1篇
  1993年   1篇
  1992年   3篇
  1991年   3篇
  1990年   3篇
  1989年   1篇
  1984年   1篇
  1980年   1篇
排序方式: 共有62条查询结果,搜索用时 31 毫秒
41.
2003年3月20日,随着伊拉克战争的发生,美军新一代战时通讯系统——蓝军跟踪(也称FBCB2)系统开始投入实战使用。如图1所示.这个以通讯卫星为基础的美军跟踪系统,以位于阿联酋的商业卫星地面站及位于科威特多哈的美军通信和指挥中心为依托.通过卫星和两个计算机网(一个是未加密的商业互联网,一个是加密的美国国防部计算机网Sipmel),将安装在战场上地面车辆及空中飞行器里的FBCB2终端和各级司令部的终端联系起来。  相似文献   
42.
卫星、MEMS技术和MEMS卫星   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐毓龙 《电子世界》2002,(10):77-78
<正> 人造卫星 至今,世界各国总共已发射了6000多颗人造卫星和其它航天器,其中我国已发射卫星和飞船约50颗(艘)。 由于人造地球卫星在太空中环绕地球在人们希望的特定轨道上飞行,可以快速大范围地覆盖地球表面,从而达到通信、遥感和定位导航的目的。根据其用途,人造卫星可以分成四大类:通信卫星,遥感卫星,定位导航卫星和科学卫星等。  相似文献   
43.
生物恐怖袭击和生物传感器   总被引:5,自引:0,他引:5  
徐毓龙 《电子世界》2002,(1):78-79,81
<正> 2001年最后的三四个月,美国纽约和华盛顿等地屡遭恐怖袭击。这些袭击可分为两类,第一类是“9.11”事件:国际恐怖分子劫持商业航班的飞机作武器,对纽约世界贸易中心两座姐妹摩天大楼和华盛顿的五角大楼进行突然袭击,在一二个小时内就夺去了四千多人的宝贵生命,造成难以估算的损失,给世界经济蒙上了浓浓的阴影,对世界的未来将会产生深远的影响。 第二类恐怖袭击是炭疽孢子袭击。“9.11”事件后的几个月内,纽约、华盛顿等城市不断发现带有炭疽孢子的邮件,一些邮局和几大电视台网的雇员遭到炭疽热的致命袭击,闹得人心惶惶。据说为了应付炭疽袭击,两个月内洛杉矶市就已用去约1400万美元。  相似文献   
44.
SnO2气敏元件的阻温特性及其机理讨论   总被引:7,自引:0,他引:7  
根据氧表面吸附模式、载流子穿越势垒理论和陶瓷的显微结构理论,重点讨论了SnO_2气敏元件的阻温特性.由此得出各温区中影响元件固有电阻值的主要因素,为改善SnO_2半导瓷气敏元件的性能提供了一些参考理论.  相似文献   
45.
金属氧化物半导体电阻 型气敏传感器作用机理   总被引:6,自引:2,他引:4  
根据实验所得规律,知金属氧化物表面发生的气—固、气—气反应及其相关的电子过程是气敏作用机理的基础.添加剂、表面处理、温度控制等都能够影响这些反应过程,可用来改善传感器的灵敏度和选择性.  相似文献   
46.
空气污染、电动汽车和燃料电池   总被引:1,自引:0,他引:1  
<正> 内燃机汽车的尾气是主要污染源 由于近百年来人们对环境问题的忽视,全球环境恶化成了现代化不应该付出的代价。近年来,空气污染、酸雨、温室效应、臭氧层破坏成了全球性的严重环境问题,威胁着人类的生存,引起了全人类的关注。我国的情况也不例外,特别是一些大城市,空气污染十分严重。在大城市的污染源中,车尾气是罪魁祸首,常占总污染量的40%~50%。 为了减轻汽车尾气对空气的污染,学习先进国家成功的经验,近年来我国已经和正在采取下列“清洁汽车”措施:(1)用先进的具有电子喷射控制系统的“电喷发动机”取代老式的化油器发动机并加装“三元催化”系统。现在进口汽车一般都应用了这项有利于提高燃料效率和降低尾气排放的技术。(2)对于现有国产汽车要求使用清洁能源,实现“油改气”。经验证明,压缩天然气  相似文献   
47.
IC业人士普遍认为,3、5年内,CMOS IC会达到在一块芯片上集成1亿支MOS晶体管的水平.到2006年,利用0.10~0.13 μ m光刻技术生产的CMOS逻辑IC将会在先进的半导体工厂流片.据分析,这种IC MOS晶体管的典型工艺参数和技术参数将是:沟道长度0.05μm;栅氧化层厚度1~2nm;阈值电压0.25V;电源电压1.2V.根据现有的IC基本知识,这已接近IC技术的基本极限.在基本极限附近,传统的MOS晶体管性能会劣化,例如泄漏电流和静态功耗会显著增加,严重影响IC的正常工作.  相似文献   
48.
随着电子技术由微米时代进入纳米时代,基于量子隧道效应的器件和电路显示出其优越性。本文介 绍两种电子隧道器件:双电子层晶体管和共振隧道二极管。  相似文献   
49.
本文通过对ZnO压敏电阻原材料的理化分析,提出了对原材料的具体要求,从而提高了ZnO压敏电阻器的性能。  相似文献   
50.
此文主要阐述了通过热分解氯铂酸工艺对TiO_2元件进行第二次铂催化能大幅度提高氧敏特性,并使元件呈现许多新特点。在总结实验的基础上,发展了肖特基势垒氧敏机制,较好地解释了实验现象。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号