广东电网短路电流超标问题及对策

短路电流超标问题已成为制约电网负荷增长和电网发展的突出因素。分析了广东电网500 kV母线和220 kV母线的短路电流超标特性及原因,并针对不同的情况提出了对短路电流的控制措施,诸如配电装置改造、分层分区供电、关键线路加装基于晶闸管保护型串联补偿(TPSC)技术的短路电流限制器、主变压器中性点加装小电抗等。     

电容补偿在配电网电压调节中的应用

针对某些配电网负荷电压水平不满足要求和电压波动较大的问题,提出基于串联电容补偿的配电网负荷电压调节与稳定方法.通过在配电线路上串入可调电容,根据电容电压损耗与线路原电感电压损耗极性相反的特征,在负荷波动的情况下利用电容电压抵偿线路电感电压即可调节和稳定负荷侧电压.通过实时采样负荷功率,计算补偿电路的晶闸管触发角,调节电...     

基于模糊控制的全数字晶闸管交流调压技术

全数字晶闸管交流调压技术是一种性能可靠的交流调压技术,在国民经济许多领域得到了广泛应用.根据实际需要,设计了模糊PID控制器,并用于系统的电压负反馈环节,研制出基于DSP ic30f6014a的晶闸管交流调压装置样机,并通过实验验证了基于数字模糊PID控制的全数字晶闸管交流调压技术的可靠性和稳定性.     

特高压直流碳化硅晶闸管阀损耗探讨

碳化硅是发展最为成熟的新型宽禁带半导体材料,且碳化硅功率器件近期已开始代替常规的硅基器件。以典型的±800 kV,额定电流为5 kA的高压直流输电工程为实例,建立了换流阀基本组件的电气模型,用PSCAD/EMTDC仿真软件搭建了换流器仿真电路,研究碳化硅晶闸管在高压直流换流阀中的应用。对基于碳化硅晶闸管和普通硅晶闸管的直流换流阀电气特性和损耗进行仿真结果比较。计算结果表明:用碳化硅晶闸管来代替传统的硅晶闸管,可以在不同的触发角和工况下大幅减少系统的功率损耗。最后估算了在直流工程中使用碳化硅晶闸管阀带来的经济效益。     

无刷直流电机恒功率调速技术的研究

在对无刷直流电机进行恒功率调速时,采用常规的超前角调制存在调速范围小,相电流大的缺点.介绍了一种新颖的功率变换器,即在传统的三相桥电路后串人品闸管整流器.由于晶闸管电流的单向流动性,从而避免了电机恒功率调速时的馈能现象,并且在保证相电流有效值不增大的同时大大扩展了电机的调速范围.实验结果表明,采用该电路,可以保证相电流...     

超高压电网故障电流限制器晶闸管触发导通试验分析

华东电网500 kV故障电流限制器示范工程为世界首次运用,说明了故障电流限制器控制保护系统的基本功能,介绍了华东电力试验研究院承担的部分系统调试工作,包括二次分系统调试的部分内容及调试技术,着重分析了阀组低压触发试验及整组动作时间测量,可为今后类似的工程借鉴参考.     

晶闸管中频电源的降耗节能与谐波治理

针对晶闸管中频电源的降耗节能与谐波治理,提出改进措施,并给出了具体的电路设计.实践证明,设备运行达到了预期值,节能效果好,能最大限度地抑制谐波.     

高压直流换流站换流阀开关电磁瞬态特性实验研究

高压直流换流站中,换流阀开关电磁瞬态是稳态电磁骚扰分析和换流器均压设计的关键考虑因素.因此基于高压换流阀运行实验系统搭建了换流阀开关瞬态特性测量系统,获得了换流阀开通和关断过程中电压、电流瞬态波形,分析了电压、电流和磁场的频率特性,研究了换流阀工作电压、工作电流和结温对开通和关断过程的影响.结果表明,开通过程中电压呈指...     

限流器晶闸管阀自触发保护动作电压阈值设计

为提高串联谐振型故障限流器（series resonant fault current limiter,SRFCL）旁路电路的可靠性,减小谐振电容的氧化锌避雷器（MOV）能量消耗,研究了晶闸管阀自触发保护动作电压阈值设计方法。限流器控制器失灵是最恶劣的故障态,只能依赖晶闸管阀自触发保护即击穿二极管触发晶闸管（break...     

具有反并联MCT的新型RC-IGBT

Novel reverse-conducting IGBT （RC-IGBT） with anti-parallel MOS controlled thyristor （MCT） is proposed. Its major feature is the introduction of an automatically controlled MCT at the anode, by which the anodeshort effect is eliminated and the voltage snapback problem is solved. Furthermore, the snapback-free characteristics can be realized in novel RC-IGBT by a single cell with a width of 10 μm with more uniform current distribution. As numerical simulations show, compared with the conventional RC-IGBT, the forward conduction voltage is reduced by 35% while the reverse conduction voltage is reduced by 50% at J = 150 A/cm2.