浙福特高压交流输电线路避雷器绕击防护性能评估

雷电绕击是影响特高压线路安全稳定运行的重要因素.在实际运行中,特高压线路走廊存在跨越山谷、高山等复杂地形,有可能出现大绕击电流区域,从而导致避雷器吸收能量增加,为了对实际运行中的特高压交流线路避雷器防护性能进行评估,以浙福交流特高压浙江段的安兰线、都榕线为例,基于ATPDraw软件搭建雷击仿真模型,对特高压交流线路避雷器的防护性能进行了计算分析和评估,此外还对杆塔波阻抗、接地电阻对避雷器防护性能的影响进行了分析,验证了在实际运行中特高压交流线路避雷器对雷电绕击防护的有效性.     

基于模拟试验的高压电缆状态仿真平台功能分析

针对高压电缆缺陷状态开展模拟试验研究,设计搭建了高压电缆状态仿真平台。该仿真平台由升压单元、电缆模型单元、升流单元和控制测量单元组成,集成了局部放电、温度、接地电流等在线监测装置,可模拟制作各类主绝缘、半导电、接地系统及绝缘件缺陷。针对仿真平台各组成部分功能,通过精度校验和试验校核,分析验证其试验、检测能力,确保试验结果的准确性和精确性。分析结果表明,该仿真平台具备模拟高压电缆各类绝缘缺陷并进行检测分析、状态评估的能力。     

110kV电缆中间接头典型缺陷电场三维仿真分析

为研究高压电缆中间接头缺陷对电场分布的影响规律,首先分析了110 k V交联聚乙烯电缆中间接头的典型缺陷类型,然后基于COMSOL Multiphysics仿真软件建立了中间接头的三维仿真模型,最后对中间接头典型缺陷周围的三维电场进行了有限元仿真计算。结果表明:即使是微小的缺陷也会使得中间接头的电场强度大幅升高,从而可能导致绝缘劣化。     

感应电流作用下海底电缆铜铠装层腐蚀规律研究

目的研究感应电流作用下的海底电缆铜铠装层在模拟海水环境中的腐蚀规律。方法通过浸泡实验,研究不同感应电流密度下铜铠装层随时间变化的腐蚀速率,然后通过扫描电镜观察铜铠装腐蚀后表面的形貌,通过X-射线衍射分析铜铠装腐蚀后的产物,最后通过交流阻抗法对腐蚀后铜铠装的表面双电层结构进行研究。结果在模拟海水环境中,感应电流的存在能够在一定程度上加速铜铠装的腐蚀。随着浸泡时间的延长,腐蚀速率呈先上升、后下降的趋势,并逐渐趋于稳定。在峰值情况下,腐蚀速率提升4～7倍;在稳定阶段,腐蚀速率提升3～5倍。随着感应电流密度的增大,铜铠装的腐蚀速率逐渐增加,并与感应电流密度呈非线性关系,经数据拟合,腐蚀速率与感应电流密度的0.5次方成正比关系。经X-射线衍射分析可知,铜铠装在模拟海水中的腐蚀产物主要是Cu_2O。结论感应电流引起的腐蚀速率约占其等效直流电流腐蚀速率的0.16%～2.03%。流经铜铠装上的感应电流大部分通过界面双电层电容的充放电不发生实质的腐蚀反应,小部分通过极化电阻发生腐蚀反应。     

应用于OLED的铱类有机电致磷光材料

在信息技术快速发展的背景下,一些显示器件技术也得到了明显改善和进步。器件中的核心组成部分就是一些发光材料,而这些发光材料大都是以铱为核心的有机电致磷光材料。以铱为核心的有机电致磷光材料,凭借着重原子效应产生的强烈自轨道耦合,能够实现一种较强的磷光发射,有效提高了OLED的发光效率。基于此,通过对有机电发光材料和OLED结构的分析,提出一些有机电致磷光材料的应用现状,希望给相关人员提供一定借鉴。     

浅析智能手机的自动化测试

在介绍当前智能手机基本发展情况的基础上,分析其展现的新特性和存在的不足。然后,介绍自动化测试在智能手机测试中的应用,着重介绍稳定性测试及相关技术,并分析该测试当前面临的主要问题。     

带有模式扩展层的小发散角激光器模拟研究

模拟了带有模式扩展层的半导体激光器,研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50μm,远场发散角为23°,阈值电流为117.8mA,限制因子为2.37%的激光器。远场发散角最小可达到18°,此时阈值电流为200.9mA。与普通结构比较,优化后的结构远场垂直发散角减小了20°左右,阈值电流并没有明显增加,模拟计算表明模式扩展层没有降低激光器的电学和温度稳定特性。     

浅谈动画中的艺术

探讨艺术在现代动画电影中的意义,追问动画艺术之所以存在的意义;这种追问必须要建基于人的艺术活动之上,进而才能对艺术家、艺术作品、艺术活动等传统的问题进行探讨,最后从人的心灵出发,将动画艺术的意义问题归结到对心灵的思考.     

收缩墩与跌坎消力池水力特性的试验研究

为探究解决跌坎型消力池在大单宽、低弗劳德数条件下引起的振荡型水跃问题,进行了跌坎型消力池和收缩墩与跌坎型消力池两类消能工试验,对比分析了试验的流态、流速和压强分布规律。试验结果表明,加设收缩墩后,入池射流破坏了表面水流与水垫层剪切形成的大幅度振荡波动,有效地解决了振荡型水跃问题,降低了水流对底板的冲击压力。     

980nm底发射VCSEL的DBR设计与优化

根据DBR的工作原理,以P型DBR为例,通过研究DBR的能带结构详细分析了不同的渐变区宽度和不同的掺杂浓度下的DBR的电学特性和反射特性.选用Al_0.9Ga_0.1As和Al_0.1Ga_0.9As作为DBR的材料,设计了980 nmVCSELs的P型DBR,通过比较确定了Al组分渐变区的宽度和整个DBR结构的掺杂浓度.依此结构制作了980 nm底发射VCSELs,器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示器件的串联电阻约为0.05Ω.