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41.
根据DLVO理论建立有关土壤水膜和土壤液固比的土壤分离能力数学模型,得到土壤分离能力关于土壤液固比与颗粒粒径的计算公式,并对已有的薄层水流试验结果进行了相应的验证。研究表明,当土壤液固比上升时,土壤结合水膜厚度增加,二者呈线性相关;而土壤颗粒粒径越小,结合水膜的能力对液固比的响应越敏感,要达到相同水膜厚度,小粒径土壤颗粒所需液固更大;土壤分离能力(分离压)与液固比有关,通过薄层水流实验验证发现,土壤启动临界时的粘聚力c(分离压)和薄层水流临界剪切力τ_0具有相等的状态,当τ_0大于c时,土壤颗粒发生分离,土壤侵蚀开始启动。研究结果对土壤侵蚀的防治、土壤分离的防止、土壤结构的加固、土壤结构稳定及土壤生态服务功能的发挥都具有重要的理论和实践指导作用。 相似文献
42.
依据AOD炉冶炼过程中几种常规的温度检测方法,研究了一种以普朗克黑体辐射原理等为理论依据的新型在线测温技术——双比色红外测温法,并进行了实验验证及误差分析,结果表明该方法是可行的。 相似文献
43.
针对目前东苕溪防洪工程以及防洪调度上存在的问题,分析产生这些问题的原因。以超越常规的独特思维方式,对当代的防洪理念和防洪方法进行了分析思考,提出了新的探索思路。 相似文献
44.
本文着重阐述了虚拟机技术在网管中心机房的应用,减少了服务器数量,降低了机房能耗。因此,虚拟机技术在网管中心的应用具有十分重要的意义。 相似文献
45.
46.
47.
48.
介绍了一种S波段功率SiC MESFET芯片的研制技术。针对SiC材料的特点,对4H-SiC外延材料进行了设计和仿真,同时对Al记忆效应进行了研究,优化了4H-SiC外延生长技术。研究了栅长与沟道厚度纵横比(Lg/a)对短沟道效应和漏极势垒降低效应的影响。采用了凹槽栅结构和体标记电子束直写技术以及热氧化SiO2和SiNx复合钝化层设计等新制备工艺,实现了栅、漏泄漏电流的减小和源、漏击穿电压的提高。测试结果表明,功率SiC MESFET芯片在3.4 GHz频率下脉冲输出功率大于45 W,功率增益8.5 dB,漏极效率40%。测试条件为漏极工作电压48 V,脉宽100μs,占空比10%。 相似文献
49.
提出了一种基点气象相似聚合的短期风电功率预测方法。先以风电功率预测时间点(简称基点)的气象为核心对历史气象记录按灰色关联度进行相似聚合,以突出基点气象对应的风电功率变化规律。再对聚合中历史记录的气象因素按因子分析法降维、求取独立因素,以去除原始气象因素之间的相关性、降低因果关系的非线性度。然后基于径向基神经网络建立"独立因素-风电功率"的映射关系,从而实现风电功率预测。结合实例对此方法进行了仿真,结果表明,此方法预测得到的风电功率,其准确度比基于主成分的径向基神经网络方法的高、比径向基神经网络方法的更高。 相似文献
50.
S波段脉冲大功率SiC MESFET 总被引:3,自引:3,他引:0
采用自主开发的3英寸(75mm)SiC外延技术和SiC MESFET的设计及工艺加工技术,成功地实现了S波段中长脉宽条件下(脉宽300μs,占空比10%),输出功率大于200W,功率增益大于11dB,功率附加效率大于30%的性能样管,脉冲顶降小于0.5dB,实现了大功率输出条件下的较高功率增益和功率附加效率及较小的脉冲顶降,初步显示了SiC功率器件的优势。器件设计采用多胞合成技术,为减小引线电感对功率增益的影响,采用了源引线双边接地技术;为提高器件的工作频率,采用了电子束写栅技术;为提高栅的可靠性,采用了加厚栅金属和国家授权的栅平坦化发明专利技术;同时采用了以金为主体的多层难熔金属化系统,提高了器件的抗电迁徙能力。 相似文献