全文获取类型
收费全文 | 923篇 |
免费 | 56篇 |
国内免费 | 46篇 |
专业分类
电工技术 | 49篇 |
综合类 | 61篇 |
化学工业 | 82篇 |
金属工艺 | 58篇 |
机械仪表 | 93篇 |
建筑科学 | 63篇 |
矿业工程 | 18篇 |
能源动力 | 20篇 |
轻工业 | 88篇 |
水利工程 | 38篇 |
石油天然气 | 109篇 |
武器工业 | 19篇 |
无线电 | 112篇 |
一般工业技术 | 75篇 |
冶金工业 | 25篇 |
原子能技术 | 17篇 |
自动化技术 | 98篇 |
出版年
2024年 | 3篇 |
2023年 | 19篇 |
2022年 | 16篇 |
2021年 | 13篇 |
2020年 | 34篇 |
2019年 | 24篇 |
2018年 | 31篇 |
2017年 | 20篇 |
2016年 | 19篇 |
2015年 | 28篇 |
2014年 | 36篇 |
2013年 | 54篇 |
2012年 | 72篇 |
2011年 | 65篇 |
2010年 | 47篇 |
2009年 | 39篇 |
2008年 | 62篇 |
2007年 | 69篇 |
2006年 | 56篇 |
2005年 | 40篇 |
2004年 | 39篇 |
2003年 | 54篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 28篇 |
2000年 | 12篇 |
1999年 | 19篇 |
1998年 | 12篇 |
1997年 | 18篇 |
1996年 | 12篇 |
1995年 | 9篇 |
1994年 | 5篇 |
1993年 | 4篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 7篇 |
1990年 | 2篇 |
1989年 | 9篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 5篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 3篇 |
1984年 | 3篇 |
1959年 | 1篇 |
排序方式: 共有1025条查询结果,搜索用时 15 毫秒
41.
利用热压烧结技术制备高致密度的短碳纤维增韧碳化硅陶瓷基(Csf/SiC)复合材料。研究稀土氧化物添加比对烧结后Csf/SiC复合材料微观结构、力学性能和增韧机制的影响。结果表明:随着烧结助剂中La2O3含量增加,烧结后材料中SiC颗粒平均粒径减小,相对密度逐渐降低,而强度和韧性则先增加后降低;颗粒桥连、纤维拔出和裂纹偏转是该材料体系的主要增韧方式 。 相似文献
42.
对β-SiC颗粒表面进行化学镀铜处理,镀铜后SiC复合粉体与铜粉均匀混合。利用热压烧结技术制备β-SiCp/Cu电子封装复合材料,分析了烧结压力对β-SiCp/Cu复合材料的显微组织结构、相对密度和热膨胀系数的影响规律。结果表明:SiC颗粒表面均匀包覆铜,热压烧结后SiC颗粒在复合材料中分布均匀;当烧结温度为730℃,随着烧结压力的增大,体积分数为50%的β-SiCp/Cu复合材料的相对密度逐渐增大,热膨胀系数逐渐升高,热导率逐渐增大。 相似文献
43.
44.
45.
46.
以1%(质量分数)CuO为烧结助剂,采用固相合成法制备了(1-x)Ca0.6La0.27TiO3 xCeO2单纯和复合微波介质陶瓷材料.研究了此体系陶瓷的微观结构和微波介电性能.研究表明:当x从0增加到1时,体系的相对介电常数εr从111.2线性降低到22.5;谐振频率温度系数τf从x=0时的正值 297.8×10-6/℃线性变化为x=1的负值-54.2×10-6/℃;而无载品质因数与谐振频率乘积Qf值则呈非线性增加.当x=0.85,且在1 400 ℃烧结,可获得εr=32.2,Qf=6682GHz,τf= 5×10-6/℃的新型微波介质陶瓷. 相似文献
47.
液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3~ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0~ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构 相似文献
48.
49.
50.