氮化铝薄膜织构的极图法研究

在X射线衍射结果的基础上,采用极图法研究了AIN薄膜以(DO2)和(100)面的取向分布,发现在一定条件下制备的AIN(002)有很强的织构,并通过极图法来确定X射线衍射所无法确定的AIN(100)面择优取向薄膜中各晶粒c轴间的关系.     

添加AlN对FePt薄膜结构和磁性的影响

采用射频磁控溅射制备了FePt(50nm)和[FePt(2,3,5nm)/AlN(1nm)]n膜,之后在550℃退火30min,研究了周期数(n)和AlN含量对[FePt/AlN]_n系列多层膜结构及磁性的影响.结果表明,多层膜的矫顽力和矩形比均在n=8时出现较大值;周期数的增大会引起晶粒尺寸的长大;AlN的加入不但可以抑制FePt粒子的长大,使晶粒体积(V_grain)和磁激活体积(V*)趋于一致,而且还能有效地降低晶粒间交换耦合作用,并且AlN含量越大,晶粒间交换耦合作用的程度越弱.     

氮化铝压电薄膜的晶面择优取向

采用直流磁控反应溅射方法 ,在Si(111)基片上成功地沉积了表面粗糙度小、组成均匀、以 (10 0 )面和 (0 0 2 )面择优取向的AlN薄膜 ,研究了溅射气压、溅射功率和靶基距对AlN薄膜结构及晶面取向的影响。结果表明 ,溅射气压低 ,靶基距短 ,有利于以 (0 0 2 )面择优取向 ;相反 ,溅射气压高 ,靶基距长 ,则对 (10 0 )面择优取向有利 ;溅射功率过高或过低均不利于晶面择优取向。并从Al—N化学键的形成以及溅射粒子平均自由程的角度探讨了AlN压电薄膜晶面择优取向。     

溅射沉积AlN薄膜结构与基片种类的关系

采用高真空直流磁控反应溅射成功地在５种基片上制备出多晶择优取向的ＡＩＮ薄膜。结果表明,５种基片均可生长（１００）面掺优取向的ＡＩＮ薄膜,并且具有良好的纵向组成均匀性,表面粗造度小,晶粒均匀致密。在金属电极和Ｓｉ片上沉积的ＡＩＮ薄膜结晶度、取向性、衍射强度差别较小,两者的结构均优于在盖玻片上的沉积的ＡＩＮ薄膜。     

Co1-xPtx薄膜的结构与磁学性能

采用直流磁控溅射法制备了Co1-xPtx合金薄膜,并详细研究了其结构和磁学性能随x变化的规律.通过XRD结构分析可知溅射态的薄膜当x≤28%时,为hcp结构;x=35%和40%时,为hcp和fcc的混合结构;x≥46%以后,为fcc结构.VSM测试结果表明随x的增大,溅射态薄膜的矫顽力先增大后减小,当x=23%时,矫顽力达到最大值2147×79.6 A/m,在x=46%处矫顽力急剧下降至100×79.6 A/m左右,x＞46%以后,矫顽力随x的增大不再明显变化.退火后,hcp结构的薄膜矫顽力基本不变,而接近等原子比的fcc结构的CoPt薄膜,由于部分转变为fct结构,矫顽力有很大提高;fcc结构的CoPt3薄膜矫顽力有所增大,但是增大不多.     

跨文化交际中的话题选择

话题是交际的核心.跨文化交际中,交际双方有着不同的文化背景、生活习俗和思维方式等.重视这些差异,选择双方都感兴趣的大众话题,尽量回避禁忌话题,才能获得交际的成功.     

山区高职教育实践性教学瓶颈问题与对策

实践性教学环节的缺失或不完善，成为山区高职教育发展的瓶颈。分析了福建省山区高职教育实践性教学的现状和问题，提出了应对实践性教学瓶颈的对策。     

支持向量机算法在氮化铝薄膜生长过程控制中的应用

用作压电材料的氮化铝薄膜要求有100或002晶体取向。薄膜的晶体取向与薄膜制备时的溅射气压，靶基距，靶功率有关。本工作应用支持向量机算法总结实验数据的数学模型，并用留一法检验模型的预报能力。计算表明：支持向量机算法的预报能力较传统的模式识别算法如Fisher法或KNN法为佳。有希望成为实验设计的有用工具。     

跨文化交际中的话题选择

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析服装企业的断針和检針管理制度

指出了杜绝断针漏落漏检事故的发生,必须建立断针和检针管理制度.