预制混凝土构件质量通病及其防治措施

预制混凝土构件是建筑工程中应用的一种量大面广的材料。预制构件质量的优劣直接影响工程的质量和结构性能。我厂年产七千至一万立米混凝土,生产工艺多数是露天台座,快速脱模,自然养护。经过学习执行《预制混凝土构件质量检验与评定》,标准对照连年参加全市联检发现的质量缺陷,结合我厂多年检测实际情况,归纳起来,中、小预制构件厂影响构件质量的通病主要有管理和操作两方面。     

电晕笼中分裂导线交流电晕损失计算分析

电晕损失是导线电晕特性研究的重要内容之一,但针对交流导线电晕损失的计算模型的研究较少,为此在建立电晕笼内导线电晕损失计算模型中应用了模拟电荷法,采用线电荷模拟交流导线,对正方型截面笼壁分别作镜像处理;计算导线表面电场强度不均匀性对电晕放电的影响时考虑了空间电荷的因素;导线模拟电荷量超过起晕电荷量条件下分别计算导线上每个...     

电晕笼交流单根导线电晕损失的计算分析

电晕损失是导线电晕特性研究的重要内容之一。为了建立电晕笼内导线电晕损失的计算模型,将模拟电荷法应用于电晕笼内导线电晕损失计算。采用线电荷模拟交流导线,对正方型截面笼壁分别作镜像处理。当导线模拟电荷量超过起晕电荷量时,分别计算导线上每个模拟电荷点向空间发射的电荷量。考虑空间电荷的影响,计算电晕笼空间的合成电场。仿真模拟电荷发射、迁移、复合过程,计算电晕笼中空间电荷运动,计算迁移过程中电荷运动产生的能量损失。进行电晕笼单根光滑导线、单根钢芯铝绞线LGJ—300/40、单根钢芯铝绞线LGJ—400/35电晕损失测量试验。仿真结果与试验结果对比,结果基本一致。因此采用模拟电荷法能够较好地建立电晕笼内单根导线电晕损失的计算模型。     

架空线路感应电压的计算与分析

架空线路受外界电磁脉冲的作用,会产生感应电压。为研究这个问题,本文选择修正传输线模型作为雷电通道 回击模型,得出雷击大地情况下的感应电磁场,并计算了考虑大地损耗的水平电场分量。用Agrawal 场线耦合模型和时 域有限差分法(FDTD)计算了雷击线路附近引起的线上感应电压情况,将计算结果与相关文献进行对比,结果一致,验证 了本文方法的正确性。最后,分析了不同端接负载对线路感应电压的影响,得出了感应电压在不同端接负载时的变化规 律和特点,为分析实际工程情况提供一定的参考。     

普洱换流站换流变压器检修试验厂房电磁屏蔽研究

南方电网糯扎渡特高压直流工程普洱换流站换流变压器检修试验厂房位于换流站交流场区域,在直流系统运行时厂房区域存在较大的电磁干扰问题,将严重影响在厂房内开展的换流变压器局放测量。为了满足检修试验厂房的功能要求,基于现有标准提出了检修厂房内部电磁干扰限值要求,在分析换流站内辐射电场和工频磁场在检修试验厂房区域的强度基础上提出了检修试验厂房应具备的屏蔽效能。     

LGA焊点形态对焊点寿命影响的有限元分析

通过Surface Evolver软件对LGA焊点进行了三维形态预测,利用有限元数值模拟对LGA焊点在热循环条件下寿命进行了分析。研究了热循环条件下LGA焊点的应力应变分布规律,随着焊点远离元件的中心位置焊点所受到的等效应力、等效应变和塑性应变能密度逐渐增大,从而得出处于外面拐角的焊点最先发生失效的结论。基于塑性应变范围和Coffin-Manson公式计算了焊点热疲劳寿命;找出了LGA焊点形态对焊点寿命的影响规律,模板厚度一定时PCB焊盘尺寸小于上焊盘时LGA焊点的热疲劳寿命与PCB焊盘尺寸成正比,大于上焊盘时成反比,大约相等时焊点寿命最大。当PCB焊盘和模板开孔尺寸固定时,通过增大模板厚度来增加焊料体积在一定程度上可提高LGA焊点的热疲劳寿命,但是模板厚度增大到一定值时LGA焊点寿命会逐渐降低。     

水平多层土壤对雷电定量精度的影响

基于电偶极子在水平多层土壤上方的频域辐射磁场计算公式,得出了任意水平多层土壤上方雷电流辐射磁场的时域计算公式。以水平两层土壤为例,考虑上层土壤的不同厚度和上、下层土壤电导率的变化,从时域和频域两方面分析了水平分层土壤模型对雷电辐射场的影响。结果表明,在上层土壤电导率大于下层土壤电导率的情况下,上升时间内的雷电辐射磁场强度均小于同时刻土壤参数全部为上层土壤时的结果,并且大于土壤参数全部为下层土壤时的结果;当上层土壤电导率小于下层土壤电导率时,上层土壤厚度较小时其结果接近全部为下层土壤时的相应结果;但是随着上层土壤厚度的增加,雷电辐射磁场最大值将大于全部为上层土壤或全部为下层土壤时的计算结果,且随着上层土壤厚度的增加而最终接近全部为上层土壤时的计算结果。最后对雨季这一典型气候条件下的雷电辐射场做了特别分析,由于降雨的影响,地表土壤电导率增加,使得测点的雷电辐射磁场上升时间减小,但是相应峰值所受影响较小。因此在实际的雷电监测中,由雷电辐射磁场强度反演雷电流峰值时可以不考虑降雨造成的土壤电导率变化。     

某铀矿石微生物柱浸翻柱对比试验

以某铀矿堆浸生产线的矿石为原料,考察微生物柱浸翻柱方式对铀浸出率的影响。结果表明,经过113天试验,两柱液计累计铀浸出率分别为80.62%和76.49%,渣计铀浸出率分别为88.67%和85.24%,耗酸率分别为9.17%和9.04%。在酸化阶段提前翻柱可有效减轻泥化、板结现象,促进铀的浸出。     

高压大功率IGBT器件绝缘结构的电场计算研究综述

随着高压直流输电技术的发展,高压大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而,在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中,器件内部局部放电现象乃至击穿现象频繁发生,给器件绝缘设计带来巨大挑战。要想实现良好器件绝缘设计,就需要获得器件内部的电场分布,因此实现器件内部电场的准确计算至关重要。文中全面回顾器件内部绝缘结构的建模和计算方法的发展历程,从封装绝缘电场计算、芯片绝缘电场计算以及芯片和封装绝缘耦合电场计算3个方面介绍相关研究的发展历程、适用范围以及相应的不足,最后展望未来器件内绝缘结构电场计算的发展方向。     

压力对换流阀用压接型IGBT器件功率损耗的影响

功率损耗一直是功率半导体器件应用时备受关注的问题.压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件靠外部压力使内部各个组件保持电气和机械连接,因此压力直接或间接地影响着压接型IGBT器件的功率损耗.将压接型IGBT器件工作时产生的结温作为耦合变量引入,基于此建立了IGBT器件应用于调制脉宽(PWM)换流设备时的功率损耗计算模型,并详细分析了影响功率损耗的各种因素,包括机械压力、开关频率等.以换流阀用3 300 V/1 500 A压接型IGBT器件为例,采用有限元法研究了压力对压接型IGBT器件功率损耗的影响,重点探讨了器件内部各芯片功率损耗的变化情况.结果表明,增加压力一定程度上可以降低压接型IGBT器件的功率损耗,改善器件内部芯片结温分布不均的问题.