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41.
毫米波GaAs pin单刀单掷开关单片 总被引:1,自引:0,他引:1
采用GaAs pin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAs pin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0.6dB,驻波优于1.5,隔离度大于40dB;在20~40GHz带内插损小于1.1dB,驻波优于1.35,隔离度大于35dB.pin二极管SPST开关单片的1dB功率压缩点P-1大于2W.GaAs pin二极管开关单片采用MOCVD生长的GaAs 纵向pin二极管材料结构,76mm GaAs圆片工艺加工制作. 相似文献
42.
MnO_x/TiO_2-Al_2O_3催化剂在超临界水氧化中的应用 总被引:2,自引:0,他引:2
以TiO2-Al2O3为载体、MnOx为活性组分制备了MnOx/TiO2-Al2O3催化剂,通过差热-质谱、X射线衍射、程序升温还原、BET测定比表面积等方法对MnOx/TiO2-Al2O3催化剂进行了表征;考察了MnOx/TiO2-Al2O3催化剂前体的分解过程及MnO2负载量与MnOx/TiO2-Al2O3催化剂活性的关系;以含苯酚、喹啉和氨氮的模拟焦化废水为对象,在连续超临界水氧化装置上评价了该催化剂的性能。实验结果表明,MnOx/TiO2-Al2O3催化剂的最佳制备条件为:以硝酸锰溶液为浸渍液,MnO2负载量(质量分数)10%,120℃下干燥4h,500℃下焙烧2h。与MnOx催化剂相比,MnOx/TiO2-Al2O3催化剂具有较高的比表面积,并在超临界水氧化处理焦化废水过程中表现出了较好的活性。在100h的实验中,MnOx/TiO2-Al2O3催化剂表现出较好的稳定性。 相似文献
43.
受市政给水管网压力波动的影响,以室外消防给水环网作为水源的多层建筑和建筑高度略高于24m的高层建筑的自动喷水灭火系统,往往会产生误报警,消防泵误启动的现象。在不能提高屋顶水箱设置高度的情况下,应增加稳压泵使其内部的压力超过市政给水管网压力的最大值,以达到消除系统误报警现象的目的。 相似文献
44.
单片低噪声HBT VCO 总被引:1,自引:0,他引:1
报道一组单片HBTVCO电路的设计、制作及其测试结果。电路采用HBT作为有源器件,PN结二极管作为变容管。S波段单片VCO的输出功率为0dBm,调谐范围100MHz,在载波频率2.84GHz处,相位噪声为-80dBc/Hz@100kHz。以C波段单片HBTVCO的输出功率为-10dBm。这些结果表示HBT在微波与毫米波振荡器运用中具有较好的低相位噪声特性。 相似文献
45.
提出了一种 MESFET开关的模型——附加栅控开关模型 ,适用于 MMIC电路的设计 ,具有很好的宽带微波特性。在 0 .1~ 2 0 GHz频率范围内 ,器件测试值与模型模拟值吻合较好 相似文献
46.
简要介绍了度假村的给排水和消防设计的特点。提出了在建筑单体较为分散 ,且建筑群体周围无市政给排水管道的情况下 ,解决其生活、消防给水系统的压力、水源及雨、污水排放的一些方法 相似文献
47.
通过分析病人的特殊行为心理需求,研究如何创造以病人为中心的、高质量的有良好心理感受的建筑空间环境,满足精神病康复患者的安静、修养、治疗的需求。 相似文献
48.
新生儿皮肤疱疹病毒感染的电镜诊断 总被引:2,自引:0,他引:2
目的:电镜观察疱疹病毒(HV),为临床诊断提供形态学依据;并进一步研究人皮肤HV感染的组织病理变化及形态特征。方法:应用透射电子显微镜观察新生儿皮肤活检组织超薄切片。结果:表皮细胞、巨噬细胞、血管内皮细胞及神经纤维内均可观察到病毒颗粒,感染病毒的细胞有明显的形态学变化;成熟病毒颗粒直径约150-160nm,核衣壳直径约100-110nm。核衣壳的核心可分为空心型、颗粒型和致密型三种;郎格罕细胞和巨噬细胞数量明显增加。结论:HV可感染皮肤多种细胞及神经纤维;郎格罕细胞和巨噬细胞增生可能在限制病毒复制和阻止扩散中起重要作用;电镜对病毒疾病的诊断和研究具有很大的价值。 相似文献
49.
采用LTCC工艺进行手机天线开关滤波器的设计,用于手机天线开关发射端GSM850/900MHz、GSM1800/1 900MHz。整个LTCC滤波器体积为2.5mm×3.2mm×0.75mm,其中包含两个低通滤波器,用于二次谐波和三次谐波的抑制。GSM850/900通带插损小于0.75dB,带内二次谐波抑制度大于23dBc,三次谐波抑制度大于40dBc;GSM1 800/1 900通带插损小于0.7dB,带内二次谐波抑制度大于26dBc,三次谐波抑制度大于28dBc。 相似文献
50.
内置驱动器的六位GaAs PHEMT宽带单片数控衰减器 总被引:1,自引:1,他引:0
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功率大、线性度高等特点,并且集成了驱动器,使得输入信号控制线减少了一半,大大减少了系统布线的难度。产品由GaAsPHEMT标准工艺线加工。测试结果表明,在0.05~3.0GHz带内,插入损耗≤2.3dB@3GHz,带内输入输出驻波比≤1.5,衰减精度在±(0.3dB+3%)以内,1dB压缩功率点达到了27dBm,IP3超过了+45dBm。 相似文献