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42.
模块组合多电平变换器的研究综述 总被引:16,自引:0,他引:16
模块组合多电平变换器(modular multilevel converter,MMC)具有高度模块化、易于扩展、输出电压波形好等特点,尤其适用于中高压大功率系统应用。首先介绍MMC的电路拓扑和工作原理,总结MMC的主要技术特点;然后分别回顾MMC在脉冲调制、直流电压控制、预充电、环流、谐波、数学模型、主电路参数设计、故障保护等关键问题的最新研究进展,以及其在电力传动、电能质量问题治理领域的工程应用现状,在此基础上指出MMC今后亟待研究的关键问题。相关研究结果表明,MMC在电力系统中有广泛的应用前景,是未来中高压大功率系统,尤其是高压输电技术的重要发展方向。 相似文献
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在EOS(Ethernet over SDH)应用设计中,以太网侧收到的媒体访问控制(MAC)帧要先存储再由成帧器将数据取走。文章介绍了其实现过程,采用同步动态随机存储器(SDRAM)作为片外的存储器,利用SDRAM的特征,发挥其高速、大容量的优点,可确保专用集成电路(ASIC)芯片上缓存面积减少,并可将以太网数据准确映射到SDH传送网中。该设计已在现场可编程门阵列(FPGA)上得到验证,并通过网络分析仪进行了测试。 相似文献
44.
在存储器件容量不断增大的过程中.巨大的位线寄生电容越来越严重的影响着它的电学性能。本文介绍了一种新型高速低功耗灵敏放大器的设计方法,此种灵敏放大器具有自控预充电的特点。采用该放大器的Flash Memory有较高的数据读取速度和准确性,电学性能优良。 相似文献
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46.
手机用TFT-LCD驱动芯片内置SRAM的研究与设计 总被引:11,自引:9,他引:2
内置单端口SRAM是单片集成的TFT-LCD驱动控制电路芯片中的重要模块,主要功能是存储CPU送来的一帧画面的显示图像数据以及输出数据到显示单元,其主要性能指标是存储速度和消耗功率。文章讨论了内置SRAM的分块存储结构,阐述了SRAM存储单元的设计方法。在预充电路的设计中采用了分块预充机制,既节省了功耗又保证了预充时间,同时提出了预充时位线电荷再利用设计方案,使得预充电功耗降低了1/2左右。采用0.25μmCMOS工艺设计并实现了TFT-LCD驱动控制电路芯片中的SRAM模块,其容量为418kbits。NanoSim仿真结果表明,SRAM存储单元的读写时间小于8ns,当访存时钟频率为3.8MHz时,静态功耗为0.9mW,动态功耗小于3mW。 相似文献
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48.
模块化多电平高压变频技术研究综述 总被引:2,自引:0,他引:2
模块化多电平换流器(MMC)作为一种新型高压大功率拓扑结构,不仅在直流输电领域中获得广泛关注,也在高压变频领域颇具应用前景。与传统的高压变频器拓扑相比较,模块化多电平换流器在灵活性、可靠性、电压波形质量、输入变压器设计、电压功率等级等方面均展现出一系列技术优势。为促进中国高压变频技术的发展,对MMC变频器的电路特点、子模块结构、调制方法、电容电压平衡策略、谐波分析、环流抑制、启动预充电、故障容错与可靠性、低频运行等方面的最新研究进展进行详细分析评述,并指出模块化多电平高压变频技术的研究难点与挑战。 相似文献
49.
论述了主存储器访问操作中的bank预充电、row激活、column读写的访问调度技术。通过该技术可以缩短主存储器访问时间,从而达到提高主存储器带宽的目的。同时,为研究和评价这种主存储器访问调度策略的性能给出了一种建立仿真实验环境的思路。 相似文献
50.
根据拉矫机的特点,选择了多传动变频调速技术,保证了铸坯的质量,介绍了设计调试中应注意的事项. 相似文献