全文获取类型
收费全文 | 93篇 |
免费 | 14篇 |
国内免费 | 8篇 |
专业分类
电工技术 | 59篇 |
综合类 | 3篇 |
机械仪表 | 4篇 |
矿业工程 | 2篇 |
能源动力 | 3篇 |
轻工业 | 2篇 |
无线电 | 30篇 |
一般工业技术 | 1篇 |
冶金工业 | 3篇 |
自动化技术 | 8篇 |
出版年
2023年 | 7篇 |
2022年 | 6篇 |
2021年 | 7篇 |
2020年 | 3篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 5篇 |
2016年 | 3篇 |
2015年 | 8篇 |
2014年 | 15篇 |
2013年 | 4篇 |
2012年 | 9篇 |
2011年 | 6篇 |
2010年 | 2篇 |
2009年 | 2篇 |
2008年 | 4篇 |
2007年 | 4篇 |
2006年 | 3篇 |
2005年 | 4篇 |
2004年 | 4篇 |
2003年 | 1篇 |
2002年 | 2篇 |
2001年 | 2篇 |
2000年 | 2篇 |
排序方式: 共有115条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
采用模块化多电平换流器的统一电能质量控制器预充电控制 总被引:1,自引:0,他引:1
基于模块化多电平换流器的统一电能质量控制器(MMC-UPQC)是一种可应用于中、高压配电网的电能质量综合治理装置。在保证设备安全情况下完成装置的预充电过程是装置正常工作的前提,文中对预充电过程3个阶段(不控整流阶段、串联部分子模块电压提升阶段以及可控整流阶段)进行了数学建模与分析,认为在不控整流阶段,各相桥臂子模块中与子模块直流电容并联的反并联二极管将耐受最大冲击电流;在串联部分子模块电压提升阶段,限流电阻仍是限制冲击电流的主导因素,且该阶段所能产生的冲击电流要小于不控整流阶段。由此提出了MMC-UPQC的预充电控制策略,并通过数字仿真和低压物理样机对所提策略的有效性和可行性进行了验证。 相似文献
62.
在EOS(Ethernet over SDH)应用设计中,以太网侧收到的媒体访问控制(MAC)帧要先存储再由成帧器将数据取走。文章介绍了其实现过程,采用同步动态随机存储器(SDRAM)作为片外的存储器,利用SDRAM的特征,发挥其高速、大容量的优点,可确保专用集成电路(ASIC)芯片上缓存面积减少,并可将以太网数据准确映射到SDH传送网中。该设计已在现场可编程门阵列(FPGA)上得到验证,并通过网络分析仪进行了测试。 相似文献
63.
采用预充电技术和合理的反馈结构设计了一种比较器,与一般的比较器相比,该电路具有更快的响应速度,更高的精度和灵敏度,较小的失调电压和较低的功耗.该比较器采用典型的TSMC 0.6μm硅CMOS工艺模型,利用Cadence进行模拟仿真.结果表明,比较器的延时为0.069μs,精度为20 mV,在5 V电源电压下,功耗为0.776 5 W. 相似文献
64.
刘玉龙 《中国新技术新产品》2019,(11)
该文设计了基于3D打印技术的激光二极管驱动电源。首先研究激光二极管对驱动电源的要求及技术指标,了解激光二极管的V-I特性。针对激光二极管对驱动电源的要求,设计了基于Buck电路的驱动电源。在控制方面,运用了预充电技术,使驱动电源在启动时电流上升沿时间比较短;关断时电流下降沿时间比较短,满足了激光二极管的需要。 相似文献
65.
介绍了模块化多电平换流器(MMC)的新型预充电结构和阶梯波调制技术在VSC-HVDC中的应用。首先,在MATLAB中对传统的MMC预充电过程进行了仿真,归纳了它的缺点,同时给出了一种基于同步充电子模块的新结构;其次,考虑到传统PWM、SVPWM和SHPWM等调制技术的缺点,给出了一种基于能量等效原理的阶梯波调制技术,这种调制技术使半导体器件可以工作在更低的开关频率下,降低了开关损耗,而且整个调制过程完全独立于交流系统频率之外,可以进行离线计算;接着在MATLAB中进行仿真来验证这一结论和技术的可行性。理论分析和仿真结果表明这些新技术在将来VSC-HVDC的工程应用中具有很大的应用潜力。 相似文献
66.
【例1】施乐2520复印机故障现象:副稿件行至转印/复印分离电极处出现卡纸现象,且显示故障代码"El"。判断检修:将门栓打开,发现转印/复印分离电极右端积累了大量废墨。用吸尘器清洁后试机,故障依旧。关机检查,发现副稿件随硒鼓进入废墨粉槽内,并在此处卡纸。拆除相关组件,抽出定影及硒鼓配件,发现电极两端防废墨粉部件由于受潮,使充电/预充电配件绝缘度降低,导致转印/复印分离电压降低,最终出现复印纸不能顺利地分离下来而造成卡纸。用吸尘 相似文献
67.
设计了一种基于0.6 μm BiCMOS工艺的低功耗、微功率、低输入、高输出、高效率、高可调性PFM升压型DC/DC转换芯片.分别采用高低压结合、预充电和抗饱和、固定关闭时间电流模式控制结构以达到低工作电压、高效率、高可调性和稳定的电压输出.本芯片采用XFAB公司的XB06工艺流片成功.测试结果表明,芯片的工作电压可低至1 V,无负载时静态电流仅为20μA,在输入电压/负载电流分别为1.5 V/15 mA、6 V/500μA的情况下能稳定地输出3.3、35 V,最高转换效率可达85%. 相似文献
68.
69.
70.
《高压电器》2015,(11):59-63
基于新型永磁斥力混合高速操动机构和转移回路强迫过零开断的方法,在合成回路系统中进行了真空电弧直流开断实验。利用CMOS高速摄像机观测直流开断过程中不同转移电流频率下真空电弧的燃烧及转移过程,采用图像处理技术提取了电弧图像特征,得到了不同转移电流频率下强迫过零阶段电弧的形态变化,不同燃弧时间下的电弧形态变化以及不同预充电电压下的电弧形态变化,并对电弧形态变化的原因进行了分析。分析结果表明,注入同等的电弧能量,转移电流频率较低时,电弧形态演化过程长,有利于熄弧后电极间隙介质绝缘强度的恢复;电压过充对电弧形态的演变过程影响较小;燃弧时间较长时,电弧处于大面积稳定燃烧状态的时间较长,产生的金属蒸汽越多,不利于开断。 相似文献