类银镜法高产量制备高稳定纳米银

以AgNO3为前躯体,葡萄糖为还原剂,十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为络合剂和分散剂,一步法制备纳米银溶胶。利用紫外-可见光分光光度计(UV-Vis)、透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对银溶胶的形成、颗粒尺寸形貌、稳定性和晶体结构进行了表征。结果表明,CTAB与Ag+和H+发生络合反应,稳定了H+,促进了葡萄糖对Ag+的还原;所制备银纳米粒子以球形为主,分散性良好,粒径分布范围为10～40nm,银浓度高达0.025mol/L,室温条件下能够稳定5个月以上。     

碳气凝胶的纳米结构控制及其在锂离子电池中的应用(英文)

以间苯二酚和甲醛为前驱体,通过溶胶凝胶法制备有机气凝胶,通过高温裂解制备得到碳气凝胶。由于其高的比表面积,低的电阻率,空间网络结构以及化学惰性,碳气凝胶被认为是可充电电池的理想电极材料。研究了碳气凝胶的制备和结构控制,通过SEM,BET,XRD等手段测试其显微结构性质和结构控制。BET测试结果表明有机气凝胶炭化以后,比表面积显著增加,碳气凝胶具有518～621m2/g的较高比表面积。碳电极分别由碳气凝胶、石墨、碳气凝胶和石墨的混合物与黏结剂组成,以锂片为对电极制成纽扣电池。电化学测试结果显示其具有很高的首次放电容量(958.6mAh/g),但是可逆容量只有总容量的30%到40%。并且混合电极的性能优于其他纯电极。     

ICF用铜基低密度气凝胶靶材料研制

过渡金属基气凝胶是惯性约束聚变实验中靶的候选材料。以无机铜盐CuCl₂的醇溶液为前驱体,采用聚丙烯酸为分散剂,环氧丙烷为凝胶促进剂,通过溶胶-凝胶工艺制备了柱状铜基醇凝胶。铜基醇凝胶经CO2超临界流体干燥后即可得到浅绿色柱状铜基气凝胶靶材料,材料密度为120~150mg/cm³。由扫描电子显微镜对气凝胶的微结构分析可知,该样品呈现由纳米级球形颗粒均匀堆积而成的网络结构。红外光谱、X射线衍射图谱和X射线荧光光谱的结果表明,样品结晶部分的成分主要为斜方晶Cu²⁺₂Cl(OH)₃,而无定形部分的成分为水合氢氧化铜。     

微尺寸碳气凝胶的制备及其机械性能研究

以间苯二酚和甲醛为源,碳酸钠作催化剂,采用溶胶-凝胶技术和原位成型工艺制得有机气凝胶微柱、薄片.经常压下丙酮替换和后续精确温控的高温碳化工艺制备相应的微尺寸碳气凝胶.研究表明,通过控制前期反应参数,可实现碳气凝胶密度在300～1 000 mg/cm3可控、比表面积高达1 521 m2/g、具有不同内部微观结构和良好的低温力学稳定性能.所制备的微尺寸碳气凝胶是一种优秀的惯性约束聚变实验用多孔泡沫材料.     

低介电常数纳米氧化硅薄膜(英文)

介绍了一种新制备低介电常数 SiO2薄膜的方法。以 TEOS 为前躯体、盐酸为催化剂、CTAB 作为模版剂,采用溶胶-凝胶法制备硅溶胶,以浸渍提拉法制备薄膜。采用 FITIR、XRD 和 AFM 等方法表征了薄膜,并用阻抗分析仪测量介电常数。结果表明,通过调节 CTAB 的浓度和老化时间可以制得介电常数小于 2.2 的 SiO2 薄膜,薄膜拥有较好的机械强度和耐刮擦性,通过采用六甲基二硅胶烷(HMDS)对薄膜表面进行修饰,可以提高薄膜的疏水性能从而提高其在空气中的稳定性。     

复合增强型SiO_2气凝胶的一步法快速制备与性能表征

以水玻璃为前驱体,去离子水为溶剂,经溶胶-凝胶反应形成陶瓷纤维(含15%)增强的SiO2湿凝胶,采用乙醇/三甲基氯硅烷/正己烷的混合液进行一步溶剂替换和表面基团改性后,经常压干燥制备出复合SiO2气凝胶块体。该复合气凝胶密度低(0.216 g/cm3)、成形性好,经高温处理后仍保持未开裂块状。样品与纤维复合后,纤维与SiO2气凝胶网络结合较好,复合材料的孔洞保持完整,骨架未发生断裂,基本保持较明显的海绵状网络结构和球形骨架结构。通过对气凝胶样品进行微观结构和比表面积分析、热重和疏水性测试、弹性模量及热导率表征,测得复合SiO2气凝胶的比表面积为743 m2/g,疏水接触角为146°,弹性模量为5.1 MPa。当温度升至400℃时,该气凝胶的热导率从0.026 3 W/(m·K)增加到0.051 2 W/(m·K),疏水接触角为138°。此外,对一步法涉及的溶剂替换及表面修饰机理也进行了分析。     

电致变色NiO_x薄膜及其研究现状

介绍了阳极电致变色氧化镍薄膜的研究现状，制备条件对薄膜形貌、晶粒结构和化学计量比的影响，以及微观结构与薄膜的动态致色范围、致色效率、响应时间的关系，分析了离子注入问题以及电致变色机理。     

RF反应溅射条件对ZnO透明导电薄膜的影响

ＺｎＯ薄膜是具有多种特性的功能薄膜。采用ＲＦ磁控反应溅射的方法可制备出较高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜。该薄膜的电阻率为７．５×１０－３Ωｃｍ；可见光透射率约为８５％；载流子浓度为５．７×１０１９ｃｍ－３；霍尔迁移率为５．９９ｃｍ２／ｖ·ｓ。影响ＺｎＯ透明导电薄膜性能的因素很多，但是溅射用的靶体材料，反应溅射时的温度控制以及反应的氧气氛的控制尤为重要，实验表明使用掺有３．０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３的ＺｎＯ靶，基片温度控制在３００℃，氧氩比为１∶１０能制备出性能比较好的透明导电薄膜。本文对这三方面的影响进行实验并讨论了有关结果。     

V2O5薄膜电荷储存特性研究

本文采用真空蒸发制备了Ｖ２Ｏ５薄膜，用电化学方法从Ｌｉ离子电解质中向Ｖ２Ｏ５薄膜注入Ｌｉ离子。研究了Ｖ２Ｏ５薄膜中Ｌｉ离子储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响。实验结果表明，Ｖ２Ｏ５薄膜具有较好的Ｌｉ离子储存特性和注入／退出可逆性，Ｌｉ离子的注入量受到膜中Ｖ＾５＋的含量及锂离子可占据的总位置数限制，而且离子注入Ｖ２Ｏ５薄膜的光学性能变化较小。