二单元DPCA在机载相控阵雷达AMTI中的应用

二单元偏置相位中心天线技术 (DPCA)在机载相控阵雷达自适应动目标指示 (AMTI)中占有重要地位 ,其原理在很多文献中都有讨论。文中主要提出了将二单元DPCA应用到机载相控阵雷达的具体方法和实验步骤 ,针对接收数据是M×N矩阵的情况 ,分析了数据降维变换的具体过程 ,并从仿真结果中得到有效性证明。该方法对DPCA在实际工程中的应用具有重要参考价值     

新型AXQ1-200A直流内燃弧焊机

针对目前国内内燃弧焊机结构复杂、控制损耗大、效率低等状况,研发了一种新型AXQ1-200 A直流内燃弧焊机.详细介绍了新型AXQ1-200 A直流内燃弧焊机的原理、结构特点及技术参数.该设备整机轻巧,移动方便,操作维护简便,既可提供用于野外手工电弧焊接的直流焊接电源,又可提供DC 220 V/3 000 W的辅助电源.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

高压气体流量测量中流量计的选择和应用

结合高压气体流量测量的实际使用情况,根据使用对象和范围,对几种适合工作要求的流量计的特点进行了分析比较,重点介绍了热式质量流量计和Coriolis力质量流量计的原理,以及它们在研制工作中的应用情况和需要注意的问题.     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

电力半导体模块新趋势

一种新型器件的诞生往往使整个装置系统面貌发生巨大改观，促进电力电子技术向前发展。自1957年第一个晶闸管问世以来，经过40多年的开发和研究，已推出可关断晶闸管(GTO)，绝缘栅双极晶体管(IGBT)等40多种电力半导体器件，目前正沿着高频化、大功率化、智能化和模块化的方向发展。     

刚柔性防渗技术在新安水库大坝除险加固中的应用

该文总结了高压旋喷防渗墙与土工膜防渗相结合的防渗技术在新安水库大坝应用的原理、方法及效果,可供类似工程借鉴。     

单元串联式多电平高压变频器的起源、现状和展望

本文对单元串联式多电平高压变频器的起源和现状进行了总结,同时从无速度传感器矢量控制、大容量化、冗余设计等方面对该技术未来的发展趋势进行了展望。     

高压电机绝缘自动检测装置

介绍一种单片机控制的高压电机绝缘自动检测装置的检测原理、系统组成及软硬件设计。并介绍了该装置在处于“热备用”的设备中的应用。     

基于SOI的双极场效应晶体管

在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后，介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出，又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)，同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流，可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET，分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较，由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应，使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。