溶胶-凝胶法制备Cu/ZnO的室温铁磁性

为研究稀磁性半导体的室温铁磁性来源,采用溶胶-凝胶法制备了Cu掺杂ZnO半导体粉末。X射线衍射光谱显示Cu在ZnO中的固溶度小于0.08 (摩尔比);透射电子显微镜分析显示颗粒尺寸较为均匀,呈单结晶态;振动样品磁强计测试表明,Cu/ZnO具有室温铁磁性。由于Cu本身不具有任何磁性,样品的铁磁性来源为氧化锌晶格中的缺陷与Cu2+离子之间的交换作用。     

106Ag正宇称带结构研究

利用能量为60MeV的¹¹B束流,通过¹⁰⁰Mo(¹¹B,5n)¹⁰⁶Ag熔合蒸发反应布居¹⁰⁶Ag的高自旋态,用15台带BGO反康的HPGe探测器进行在束γ谱学测量。通过γ-γ符合矩阵开窗分析和DCO比值分析,建立新的¹⁰⁶Ag能级纲图。根据正宇称带（1）不存在旋称劈裂,且具有较大的B(M1)/B(E2),初步指定其为建立在πg_9/2_ν［h²_11/2(g_7/2/d_5/2)］组态上的磁转动带。     

RP-3改性航空燃料的制备及其性能评价

以RP-3航空煤油、0#柴油和-10#柴油为基础油制备改性航空燃料。根据喷气燃料的组分需求、馏程范围及基本指标要求,对3种基础油进行常压蒸馏切割馏分,选取所需馏分按比例进行复配得到改性航空燃料,并对其基本的理化性能进行测定,同时针对改性后较差的性能指标进行了添加剂实验以提高其性能。与RP-3相比,改性航空燃料的密度增加了2%~5%,热值增加了10~470J.kg-1,闪点提高了2~8℃,铜、银片腐蚀均达到1级,而冰点有所下降,添加防冰剂后达到燃料使用要求。经过小型发动机台架燃烧试验发现,改性航空燃料的雾化性能和污染排放指标均不同程度的改善,但点火熄火性能略有下降。     

对激光雷达特定的发射模块后向散射信号的调制和设计

测云激光雷达具有精度高和稳定性好的特点,是检测云高的有效途径.作为激光雷达系统的一个基本组成部分,脉冲二极管激光器(PLD)需要脉冲信号触发.对激光雷达的发射部分进行了研究,其中包括后向散射信噪比的仿真、脉冲二极管激光器的选择与触发电路、用于驱动综合光学系统的波长为905 nm 的PLD 的电路.触发电路激光脉冲具有可调功率和脉冲宽度功能.用Systemview 软件仿真设计,完成了PCB 版的制作.结果表明:脉冲的任何参数即触发脉冲宽度、上升沿、抖动等均可用于实验中,并具有低成本和使用方便的优点.该发光模块在测云激光雷达中运行良好.     

弱束缚原子核反应函数的系统学研究

破裂反应在弱束缚原子核的散射中是一个重要的反应道,尤其是在亚垒能区,实验上已尽力去研究破裂对亚垒熔合的影响。为了探索弱束缚原子核在不同靶核上的破裂道对于熔合截面的耦合效应的强弱,我们系统地分析了弱束缚原子核的弹性散射实验数据,并得到反应总截面。利用圣保罗势得到势垒参数,这样就可以得到弱束缚原子核在轻靶、中重靶和重靶上的反应函数F(x),然后与没有耦合道效应的普适函数F0(x)进行了比较。从两者的对比上,可以得到弱束缚原子核在轻靶上的破裂贡献小,在能量高于库仑位垒能区在中重靶和重靶上的破裂被压低,在亚垒能区有些弱束缚原子核在中重靶和重靶上的破裂增强,因此弱束缚原子核在中重靶和重靶上的研究还需要更多的实验。     

全息光刻制备LC-DFB及光栅刻蚀优化（英文）

成功制备出室温激射波长为2μm的Ga Sb基侧向耦合分布反馈量子阱激光器.采用全息曝光及电感耦合等离子体刻蚀技术制备二阶布拉格光栅.优化了光栅制备的刻蚀条件,并获得室温2μm单纵模激射.激光器输出光功率超过5 m W,最大边模抑制比达到24 d B.     

氧化铋薄膜的制备及光催化性能研究

采用磁控溅射制备了氧化铋薄膜,研究了制备工艺对薄膜的结构、微观形貌和光学性能的影响,并对样品进行了光催化性能评价.结果表明,氧氩比和退火温度显著影响薄膜的性能.当氧氩比为20:80时获得的薄膜具有最佳光催化性能;随退火温度升高,薄膜结晶性增强,并逐渐出现Bi和Si的氧化物,经500℃退火的薄膜具有最强的光催化活性.     

利用混合溶剂实现钙钛矿材料微观结构和光电性能优化

采用纯N, N-二甲基甲酰胺(DMF)溶剂、纯二甲基亚砜(DMSO)溶剂以及DMSO/DMF不同体积比例混合溶剂制备钙钛矿(CH₃NH₃PbI₃)薄膜, 并系统研究了不同溶剂对钙钛矿薄膜微结构及光电特性的影响。结果表明, 随着DMSO在混合溶剂中比例增加, 钙钛矿薄膜平均晶粒尺寸增大, 碘化铅(PbI₂)残留量降低, 同时薄膜中有序的钙钛矿晶体所占比例呈现先增大后减小的趋势, 并且当DMSO占混合溶剂体积比为60%时达到最大。薄膜Urbach能, 载流子寿命以及PbI₂含量之间的关系表明, 微量的PbI₂可有效钝化钙钛矿薄膜的缺陷。经过优化后(DMSO占混合溶剂体积比为30%), 钙钛矿太阳电池的光电转换效率达到15.1 % (V_OC=0.99 V; J_SC=20.9 mA/cm²; FF=0.73)。