特高频传感器对局放信号失真的影响因素分析

局部放电产生的脉冲电流宽度为纳秒级和亚纳秒级,而特高频(UHF)传感器接收的信号持续时间达到微秒级,因而接收信号出现失真现象。经理论分析,得出UHF传感器的群延迟不平坦和相位中心不稳定引起UHF信号的失真。以自行设计的Vivaldi天线和微带天线作为样本,通过脉冲响应仿真和试验对以上两因素进行验证。并对110 k V预制故障的套管进行实验,研究不同UHF天线获得的信号与视在放电量的对应关系。结果表明:群延迟不平坦导致UHF信号的相位失真,相位中心不稳定导致幅度失真。利用群延迟平坦相位中心稳定的传感器获得的UHF信号与视在放电量的拟合优度从0.647提升至0.862。群延迟和相位中心可作为有效高度的补充参数对UHF传感器失真程度进行评价,为UHF传感器的设计和选型提供依据。     

交叉互联电缆泄漏电流的分离及相间介损相对变化监测应用EI北大核心CSCD

交叉互联电缆系统中介损监测存在两大难点,一方面交叉互联接线方式和同轴电缆的使用使得泄漏电流和护层电流的分离复杂,另一方面电压信号获取困难且对同步精度要求高。为此,建立了交叉互联电缆系统的等效模型,提出了泄漏电流与护层电流分离法,改进了交叉互联相间介损相对变化的在线监测方法而无需参考电压信号。在武汉某电缆隧道安装了电缆在线监测装置,以2014-12、2015-03和2015-05结果为例,三相结果基本满足I2BA>I2AC>I2CB的关系,表明B2段电缆相对变化程度比A2和C2段更快,其中2014-12—2015-03相间泄漏电流变化程度最大为0.89%,相间泄漏电流变化程度均<1%,未发现明显老化现象,与该段线路的环流和局部放电在线监测装置监测结果一致。     

500kV交流同塔四回线路的绕击耐雷性能

为解决架设500kV同塔四回输电线路高杆塔时的雷害问题,运用改进的电气几何模型法及电磁暂态仿真程序计算了杆塔的绕击耐雷性能,得出了不同杆塔呼称高度、地面倾角、杆塔保护角和击距系数等参数时的绕击跳闸率并且详细分析了地面倾角、杆塔高度等参数对绕击跳闸率的影响。最后提出了改善500kV同塔四回绕击耐雷性能的措施,即在实际工程中,从减小杆塔高度、避雷线采用负保护角、增加绝缘子片数以及尽量避免在地面倾角较大的地点架设输电线路等几个方面综合考虑。     

电气试验车软件系统的设计与开发

针对电气试验车的现状 ,运用了多种计算机软件技术 ,特别是数据库和专家系统技术研究开发出电气试验系统软件 ,应用效果良好。其中重点突出了模块化结构的概念     

冷冻鱼糜及制品中磷酸盐测定的研究

研究冷冻鱼糜及制品中磷酸盐含量的测定方法.采用分光光度计,确定了测定体系的特征吸收波长和显色条件,并建立标准曲线与回归方程.磷酸盐测定体系的特征吸收波长为825 nm,吸光度与磷酸盐含量间的回归方程为y=0.006x-0.005,在0.8 μg～100μ.g范围内具有良好的线性关系(R2=0.999),对于不同的样品其...     

中压设备中SF6替代气体的试验研究

探索可能在中压设备中替代SF6的气体,已经是国际上的热点问题.通过考虑介电强度、GWP和液化温度等指标得到了数据库中有潜力替代中压设备中的4种气体.通过工频放电试验,研究了4种气体在均匀电场(以板板电极模拟均匀电场)下的工频放电特性,并以SF6气体为对照,得到了绝缘气体的工频击穿电压达到与0.1～0.2 MPa SF6...     

变电站接地短路对附近电位分布影响的计算

用有限元法计算了某220kV变电站接地短路时可能引起的附近电力调度大楼地网散流和地电位分布。结果表明变电站接地短路时的散流会对变电站地网及其附近地区的地电位分布产生一定影响,在设计变电站和建筑物内设备接地连接时应考虑由此产生的地电位升高和地电位差。     

关于特高压可控并联电抗器

扼要介绍了高漏抗变压器型、磁阀型和多并联电抗支路型3种电抗器,列出了它们的优点和存在的问题,同时指出,线路侧的可控电抗器必须具有瞬间(线路操作和发生故障时)恢复全容量补偿的高速响应能力,而中性点小电抗的参数亦应根据全容量补偿的条件确定。     

随桥电缆-架空混合线路的电缆护套过电压特性仿真分析

随桥电缆作为跨海输电系统的重要组成部分,其安全稳定运行对于整个输电系统的可靠性有重要影响。论文以舟岱大桥220 kV随桥电缆工程为研究对象,考虑架空线路的影响,基于PSCAD/EMTDC暂态仿真软件建立了随桥电缆-架空混合线路的仿真模型,对雷击故障和操作故障下的电缆护套过电压特性进行了研究。结果表明：雷击架空线路时,护套过电压幅值随击距的减小而增大,随杆塔接地电阻的增大而增大,过电压幅值最高可达到46.4 kV;单相接地故障下,接地相角为90° 时护套过电压最严重,过电压幅值最高可达到15.9 kV;非全相操作故障下,电缆护套过电压幅值受故障距离的影响不大,两相断线的护套过电压比单相断线更严重。研究工作为随桥电缆-架空混合线路的绝缘配合设计提供了参考依据。     

第一性原理研究Ge掺杂对硅烯储锂行为的影响

二维材料硅烯被认为是一种极具潜力的锂电负极材料,然而其难以单独稳定存在,通过元素掺杂可有效提高其结构稳定性。锗（Ge）不仅具有与硅（Si）相同的价电子结构,同时锗烯具有更高的电子电导率,并表现出更好的电化学性能。本工作通过基于密度泛函理论的第一性原理计算研究了Ge掺杂对硅烯储锂行为的影响。分别对Si17Ge的结构稳定性、吸附能力、扩散行为、理论比容量、开路电压和电子电导率等进行了计算和分析,结果表明掺杂Ge后,Si17Ge仍保持着硅烯原有的六角晶格结构,表现出良好的结构稳定性。吸附能和扩散能垒表明Ge的掺杂可提高硅烯对锂的吸附能力以及锂在水平和垂直方向的扩散能力。通过开路电压以及吸附能计算推测Si17Ge最大可吸附18个Li,同时具有高达876.85 mAh/g的理论比容量,与已有的二维材料相比,显示出较高的理论比容量和较低的扩散能垒。态密度分析显示Si17Ge吸附少量锂后,费米能级处的DOS因Li的吸附得到了增强,体系表现出金属性。当Si17Ge吸附较高浓度锂时,Li18Si17Ge的费米能级处出现明显带隙,整个体系从导体变为半导体。本研究将为二维硅基材料以及其他二维材料的设计提供重...