MOEMS在光通信网络中的应用

主要介绍了微光机电系统(MOEMS)在光通信领域中的应用，重点介绍了MOEMS光开关等器件应用在光通信网络中的原理及优势，并对微光机电系统技术在光网络通信中的应用前景作了展望。     

曲轴激光喷丸强化试验研究

采用实验的方法,研究了激光冲击强化对175A型柴油机曲轴疲劳寿命的影响,取得了激光冲击强化试验条件下曲轴过渡圆角处残余应力场的数据。并将激光冲击强化工艺效果和曲轴滚压强化效果做了对比性分析,结果表明：虽然激光冲击强化效果不如曲轴滚压强化,但考虑到激光工艺参数精确可控、加工质量好、成本低以及可避免滚压强化所造成的表面疲劳、撕痕等,激光冲击强化工艺可望代替滚压强化成为新型的曲轴强化手段。通过此类激光冲击强化强化实验可优化激光冲击的相关参数,使曲轴过渡圆角产生有利的残余应力场。     

纳米Al2O3粉体材料激光烧结成型基础试验研究

基于激光烧结快速成型技术 ,利用CO2 激光对纳米Al2 O3 粉体材料进行激光烧结成型的试验并用扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪等对烧结样品进行分析。结果表明 ,在适当的工艺参数下 ,对Al2 O3 粉体的激光烧结可获得一定形状的、致密的陶瓷块体 ,块体内部晶粒保持在纳米尺度     

FAAS法连续测定电解锰阳极板中银和锑

在电解法制锰时，阳极板中微量元素直接影响板的使用寿命和导电性能，其中主要有银和锑。文中用硝酸和酒石酸的混合酸处理样品￣［１］，在不过滤的情况下直接测定，方法快速简便。通过试样分析及方法检验，结果满意。银和锑的加标回收率分别达１０５％，９８％；标准偏差分别为０．００５６，０．００１３；相对标准偏差分别为２．１％，３．３８％。     

充满生机的液晶显示器

一、显示器件 ——信息产业的基础产品 国外专家中流行这样一种比喻:如果把集成电路比作电子装备的心脏,那么显示器就是电子用品的容貌,它比较确切和形象地突出了显示器件在当代电子产品与信息社会中的作用与地位。     

家用电子信息产品的融合趋势

西方发达国家七国集团(G7)建设“全球信息基础设施”(GⅡ)和美国“国家信息基础结构”(NⅡ)计划确立的总原则中都有这样二条:“确保普遍提供通用信息网络服务”;以及“促进公民平等利用网络的机会”。这意味着,正在迅速发展中的“信息高速公路”最终至少应该进楼入室,而且对多数公民而言都应该有可能享有和享用方便的信息终端,获取需要的各类信息。很难想象,今后的家用信息电子类产品仍将保持目前的通讯终端、     

万用电表的使用

万用电表是一种多用途的携带式仪表。它不但是电讯和电力工程中常用的测试工具,而且在其它部门也经常使用。使用万用表,只有在正确的测量方法时,才能使测量结果的准确度得到保证。下面就我们工作中遇到的问题,谈谈万用表的正确使用。     

真空技术和大规模集成电路的发展(三)

(三)离子轰击效应离子与固体的相互作用以及离子束技术,在其漫长的研究历史中从来没有达到过现在这样广泛应用的程度。在LSI和VLSI的工艺技术中依靠离子和固体相互作用的设备和技术列于表6。可见,利用离子束作为“刀具”或“工具”几乎可以完成集成电路的各种工艺和工序,因此正在设想和发展在一个离子束装置中连续完成包括薄膜制备、微细加工以及随时、“就地”的质量检测和监控的制造集成电路的技术。不少人认为,如果这种“全离子”加工技术获得成功,那么将成为集成电路发展的又一个新的飞跃。     

真空技术和大规模集成电路的发展(一)

集成电路在向高集成度、高性能、高可靠、高生产率的发展过程中对真空技术的依赖日益加深。在大规模集成电路的生产过程中,需要在真空条件或真空设备中进行的工序已占一半以上,而在超大规模集成电路的制备工艺中,则超过75％。研制和生产集成电路的需要不仅推动了传统真空技术的进一步发展,同时刺激了对近代科学技术有深远影响的二个新领域——薄膜技术和表面分析技术——的迅速发展。本文从研究和生产大规模、超大规模集成电路所面临的材料、工艺、薄膜表面和界面问题的角度出发,重点综述与真空科学技术密切相关的、发展集成电路必需的薄膜技术和表面分析技术,以及它们的现状和趋势。主要内容是:一、引言,二、发展大规模集成电路所面临的技术要求,三、薄膜技术(薄膜的沉积生长技术;干法刻蚀;离子轰击效应;薄膜沉积和刻蚀的监测技术),四、表面和界面分析技术。     

用俄歇电子能谱仪研究钡钨阴极的表面状况

在实验室条件下,AES研究阴极表面,应用小束流以减少表面损伤。利用自制AES系统地分析了钡钨阴极在分解、激活、老炼过程中表面组分和状态的变化。对于铝酸钡钙扩散型阴极表面,当温度高于1100℃时,钡的覆盖度明显下降。经较长时间老炼后钡在钨上平均只有不到一个单原子层的覆盖量。激活良好的处于正常工作状态时,阴极表面上主要是钨、氧、钡,而且钡可能以金属钡和氧化钡共存。阴极中的主要杂质碳和阴极材料、处理工艺、贮放条件和历史以及工作条件有密切关系。激活后的阴极表面含碳量和发射性能有一定的关系。较大量的硫可能来自组成多孔钨体的钨粒内部,高温时有可能消除掉。