湿法磨矿制备电工级硅微粉试验研究

该文选取某地石英尾砂(分级细砂)为研究对象,通过"磨矿—清洗—过滤"工艺流程的探索,主要考察磨矿时间、矿介比、介配比以及磨矿浓度对硅微粉理化指标的影响,最终确定电工级硅微粉的最佳制备试验条件。     

某型武器通信系统脆性建模与分析

某型武器通信系统进行脆性建模与分析的目的是找到该通信系统的脆性源,为改进装备维修保障工作提供依据.运用图论建立通信系统脆性模型,对模型进行分层重构.找到通信系统的脆性源,得到分层的系统脆性模型.分析结果表明:在某型武器通信系统中,通信控制机是其脆性源,对完善某型武器通信系统建构、改善通信控制机性能、开展通信控制机操作训练和故障诊断训练等具有很强的指导作用,同时也为建设某型通信控制机故障诊断训练系统提供理论依据.     

市政园林工程施工与质量管理措施分析

园林绿化在城市生态环境建设中的地位非常重要,但目前我国在市政园林工程建设过程中还存在一些问题,这既对城市的整体观赏效果造成了负面影响,也不利于城市美好形象的塑造。本文既分析了我国城市园林建设的现状和问题,又论述了市政园林建设的施工技术要点,并从组织和管理角度谈了施工质量控制问题。     

盾构管片接头简化数值模拟方法

由管片组装的盾构隧道衬砌环刚度分布不均,其薄弱环节为管片接头处。管片接头刚度的合理确定对于盾构隧道施工全过程模拟的合理性、地表沉降槽的确定以及土体损失的准确估算至关重要。根据管片接头受力特点及其构造,考虑对管片接头及其附近区域进行刚度修正,而管片其余区域保持原刚度不变,提出管片接头简化数值模拟方法——局部刚度修正法。基于圣维南原理和变刚度梁理论,推导了确定接头刚度的公式,并给出了相关参数的确定方法。结合室内盾构管片接头足尺试验成果,对不同荷载作用下管片接头的变形情况进行了数值模拟及对比分析。研究成果为盾构三维施工全过程的精细化数值模拟分析奠定了基础。     

混凝土碳化收缩及其机理分析

混凝土在长期的使用过程中,由于环境中CO2的进入,在一定的相对湿度下形成碳酸,导致水泥的水化产物与碳酸发生反应而破坏水泥石的结构,同时导致水泥石发生碳化收缩。论文综合分析了混凝土各种收缩及其机理,在此基础上,提出了混凝土发生碳化收缩的3种机理:碳酸钙对毛细孔的细化及水分的散失导致凝胶表面张力增加而产生收缩、钙矾石发生碳化反应后绝对体积的减小而产生的体积收缩,以及在碳化后期C-S-H凝胶结构的转换而导致体积的收缩。     

透水性基床级配碎石填料强度变形特性试验研究

空隙结构良好的级配碎石因其良好的渗透性而逐渐用作透(排)水性基床结构层,但合理地控制和优化其在交通荷载重复作用下的强度和累积变形特性是亟待解决的关键问题之一。采用基于颗粒堆积理论提出的石砂比(G/S)指标设计7种不同的透水性级配以及用于对比的常规级配,分别开展室内击实试验和单调加载三轴试验研究级配对压实和强度特性的影响;通过控制剪应力比(SSR)设计重复加载三轴试验的不同围压和循环偏应力组合,研究级配对回弹模量、阻尼比和累积塑性变形等的影响。试验结果表明：不同级配试样的峰值偏应力存在差异,围压越大差异越明显,抗剪强度主要受内摩擦角控制;随加载次数增加,回弹模量迅速增大,阻尼比迅速下降,两者均在1 000次左右趋于平缓;不同级配试样的初始阻尼比、回弹模量和轴向累积塑性应变随剪应力比的增大而增大,剪应力比较高(SSR≥0.7)时差异越大;G/S=1.6～1.8时透水性级配碎石处于稳定的骨架结构状态,干密度、抗剪强度、回弹模量、阻尼比和累积塑性变形等均最优。可为透水性基床级配碎石的高效利用和可持续推广提供理论依据和技术参考。     

重庆水晶郦城

水晶郦城环境自然、外观简洁、户型独特,是一个高层低密度的经典实例,是对高层创新性的完美演绎,代表了健康住宅的一个新方向。     

不设初沉池时沉砂池的选型分析

针对目前不设初沉池的活性污泥法工艺的特点和对沉砂池的要求，建议选用平流沉砂池或涡流沉砂池，提出沉砂池设计时应主要考虑对细小粒径砂粒的去除效率，并从沉淀理论出发，着重分析了两类沉砂池的除砂原理、关键技术参数的控制以及除排砂设备选型等，以期对沉砂池的设计选型提供参考。     

供配电系统中的谐波及其抑制措施

简要介绍了供配电系统中由于各种非线性电气设备的使用，产生了大量谐波，分析了谐波对供配电系统造成的严重危害，最后提出几种抑制谐波的措施。     

铌钨氧化物掺杂改性氧化亚硅提升首次充放电效率的研究

采用铌钨氧化物（NWO）对SiO进行掺杂改性,并与用五氧化二铌（NO）、钛酸锂（LTO）、钛铌氧化物（TNO）改性的材料进行对比研究,分别记为SiO@NWO、SiO@NO、SiO@LTO、SiO@TNO。利用X射线衍射仪对改性后的材料进行测试。结果表明,SiO的首次放电比容量为1 980.6 mA·h/g,充电比容量为891.2 mA·h/g,充放电效率为45.0%;SiO@NWO的首次放电比容量为464.0 mA·h/g,充电比容量为327.1 mA·h/g,充放电效率为70.5%,首次充放电效率显著提升。交流阻抗测试结果表明,SiO@NWO的电荷转移阻抗R_ct为113.5Ω,显著小于SiO的213.7Ω,表明材料的导电性能得到提高。