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采用铌钨氧化物(NWO)对SiO进行掺杂改性,并与用五氧化二铌(NO)、钛酸锂(LTO)、钛铌氧化物(TNO)改性的材料进行对比研究,分别记为SiO@NWO、SiO@NO、SiO@LTO、SiO@TNO。利用X射线衍射仪对改性后的材料进行测试。结果表明,SiO的首次放电比容量为1 980.6 mA·h/g,充电比容量为891.2 mA·h/g,充放电效率为45.0%;SiO@NWO的首次放电比容量为464.0 mA·h/g,充电比容量为327.1 mA·h/g,充放电效率为70.5%,首次充放电效率显著提升。交流阻抗测试结果表明,SiO@NWO的电荷转移阻抗Rct为113.5Ω,显著小于SiO的213.7Ω,表明材料的导电性能得到提高。 相似文献
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谢松涛 《通信业与经济市场》2004,(5):42-43
反映一:市民打来电话称,她们家在3月8日之前安装的是包时ADSL,每月100个小时99.5元。“超时费”以每小时3元计。4月27日,黄女士交2月21日到3月20日的上网费用时,发现超时费高达1734.2元。也就是说黄女士家除了用完包时100 相似文献
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