冷冻结晶法生产硫酸镍的工艺实践

对金冠铜业冷冻结晶法生产硫酸镍的工艺流程做了介绍,重点阐述了系统运行三年以来所作的优化改进;总结分析了生产实践中摸索的适合车间生产的工艺参数,确定了硫酸镍最佳生产模式;同时对硫酸镍产品中的铜的脱除情况进行了分析和探讨。     

压缩变形温度对车用贝氏体钢动力学及组织演变的影响

利用热模拟实验机研究不同压缩变形温度下车用贝氏体钢的相变规律,并分析其相变动力学及组织演变。研究结果表明:经过中、低温变形处理的试样曲线表现为抛物线上升。经过300与500℃变形处理后,贝氏体的相变速率增大,形成了更多铁素体;在700与850℃下,试样中贝氏体含有的铁素体比例比未进行变形处理的试样更低。经过变形处理的试样中贝氏体的形核位置包括晶内的剪切带(SB)、奥氏体晶界(AGB)、贝氏体板条晶棱(GE);经回复处理后,晶内剪切带的缺陷数量也明显减少,降低了晶内贝氏体板条含量;经过低温变形处理可以使晶内的剪切带数量增加。试样进行等温处理生成了板条状贝氏体组织。经过低温变形的试样生成短粗状的贝氏体板条,当随变形温度升高后,铁素体板条的厚度不断减小。     

基于遇限削弱PID控制算法的冰箱温度控制系统

在冰箱的温度控制系统中,其被控对象为冰箱内部的温度值。冰箱内部的温度受现场环境因素的干扰,且温度为惯性、滞后且非线性的控制变量。传统的PID控制算法无法达到预期理想。本文建立温度变化的过程数学模型,结果显示优化方案提高了温度控制的准确性,提升了冰箱的整体性能,为冰箱性能的优化提供了参考。     

碱度对熔剂性球团生球性能的影响

 熔剂性铁矿球团具有优良的高温冶金性能，是高炉炼铁的优质炉料。为探明生产熔剂性铁矿球团时碱度对生球性能的影响规律，以某钢厂赤铁精矿为原料，通过添加石灰石粉调节碱度，进行了造球及生球干燥特性试验研究。结果发现，提高碱度，生球落下强度呈提高趋势，抗压强度变化不明显，适宜膨润土配比略有下降，生球爆裂温度明显提高，生球干燥速率则没有明显变化。与基准自然碱度（R＝0.14）相比，当碱度提高到0.6以上时，适宜膨润土配比由1.2%下降到1.1%，生球爆裂温度提高近50 ℃以上。     

烟气再循环对煤粉锅炉炉内燃烧及NOx排放影响的数值模拟

以某热源厂75 t/h四角切圆煤粉锅炉为研究对象,采用数值模拟的方法对不同烟气再循环率下炉内的燃烧及NO_x排放特性进行研究。结果表明,烟气再循环技术可使炉内整体温度降低,烟气再循环率越高,炉膛温度下降越快;烟气再循环率增大,入炉二次风O_2含量降低,主燃区CO浓度先增加后减小,炉内NO_x浓度分布降低;烟气再循环率在20%时,炉膛出口NO_x浓度为417 mg/Nm~3,相比未采用烟气再循环,锅炉脱硝率提升26.1%。     

库水位骤降边坡渗透稳定敏感性分析

为定量研究不同非饱和参数(进气值a、土水特征曲线斜率δ、残余含水率ε、渗透系数k)对边坡渗流特性及稳定性的影响规律,利用Geo-slope软件,基于FredlundXing非饱和理论,采用灰关联度法对某土质边坡不同非饱和参数对边坡渗透稳定性的影响进行了敏感性分析。结果表明:参数a、k与浸润线高程成负相关,与位移及稳定系数成正相关;参数δ、ε与浸润线高程成正相关,而与位移及稳定系数成负相关;位移与稳定系数在库水位下降前期变化较大,而在库水位下降后期变化较小;边坡上部监测点的位移大于下部监测点的位移;对边坡稳定影响较大的参数为a与k,而参数δ与ε对边坡稳定性影响相对较小;采用灰关联度方法可直观准确地获取主要因素和次要因素,为量化研究非饱和参数对边坡稳定性的影响提供了一种方法。     

ZHL无氰刷镀银的工艺研究

研究了ZHL无氰镀银液在刷镀工艺上的应用。确定了电压为2.0～2.5 V,移动速度为0.2～1.0 cm/s,镀液温度35～45℃,母液与水体积比为1∶1的最佳刷镀工艺条件。工作效率为每次刷镀镀层增厚约0.03μm,镀层结晶颗粒在10～30 nm,硬度为90±5 HV。一次刷镀可使样品的光泽度增加约15%。对于特殊镀件可采用10～25 V的高电压刷镀方法,具有镀速快的特点。镀后用2000目以上的砂纸轻轻擦拭灰色表层,即可获得光洁、白亮的镀银层,优于或相当于氰化刷镀银工艺的质量。     

一款10位逐次逼近型模数转换器设计

基于0.18μm CMOS工艺设计一款10位逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),采用了阻容混合型的数模转换器(DAC)以实现面积与性能上的折衷,高位采用温度码设计以提高DAC的线性度。采用了失调电压较小的静态比较器结构,通过在DAC和比较器之间加入了高增益的前置放大器来消除比较器失调电压对ADC性能所带来的影响。仿真结果表明:在电源电压为2.8 V、采样速率为116 k S/s、输入信号频率约为57 k Hz、满摆幅为0.8 V的情况下,ADC有效位数(ENOB)达9.99位,信噪失真比(SNDR)为61.9 d B,无杂散动态范围(SFDR)为75.57 d B,总功耗约为1 m W,面积为0.069 mm~2。