有关视频制作网络系统"下一步"的探讨

本文结合视频制作网络的发展现状，对视频制作网络系统发展的相关技术进行了深入分析，对其发展前景进行了有益的探讨。     

复合土工膜在荆隆宫截渗墙工程中的应用

黄河下游堤防荆隆宫截渗墙工程是黄委重点工程项目，复合土工膜防渗护坡作为截渗墙工程的一部分，被列为全国50个土工合成材料重点示范工程之一。本文介绍了复合土工膜与截渗墙整体连接处理堤防隐患的施工方案，并重点介绍了复合土膜施工工艺及质量控制，以利用土工合成材料在黄河下游的推广应用。     

卫星用型谱化高比功率电源控制器研究

鉴于我国航天事业的发展,卫星的发射周期在缩短,研制成本也在降低,因此迫切需要预研42 V全调节母线卫星用型谱化高比功率电源控制器。对当前42 V全调节母线卫星电源控制器进行分析,从电路、结构及工艺上提升,设计满足下一代导航卫星、Small-GEO卫星等适合下一代中高轨长寿命卫星需求的42 V型谱化高比功率电源控制器。     

催化烟机故障的综合诊断

克位玛依石化公司催化主风机因仪表的意外事故造成整个催化装置停工。本文介绍利用振动监测分析、油液铁谱分析结合烟气粉尘含量测试,对催化装置主风机组的烟机进行综合监测与故障诊断,通过拆检烟机与诊断结果相比较,进行经验总结。     

沥青摊铺机系列讲座(一)

一、功用 沥青混合料摊铺机是铺筑沥青路面的专用施工机械.它的作用是将拌制好的沥青混合料均匀地摊铺在路面底层上,并保证摊铺层的厚度、宽度、路面拱度、平整度、密实度等.     

颗粒尺寸和数密度可独立调控的Pb纳米颗粒薄膜的气相制备

采用基于磁控等离子体团簇束流源的低能团簇束流沉积制备不同形态的Pb纳米颗粒薄膜.通过透射电子显微镜TEM对颗粒的尺寸、数密度进行表征分析,建立磁控等离子体团簇源及低能团簇束流沉积过程的可调参数--溅射气流、缓冲气流、溅射电压电流、沉积时间等与颗粒尺寸、数密度的对应关系,并通过对参数的调整优化获得Pb纳米颗粒薄膜中颗粒尺寸和数密度的独立调控.     

线切割InSb晶片表面损伤研究

利用扫描电子显微镜 (Scanning Electron Microscopy, SEM)、台阶仪和X射线衍射仪 (X-ray Diffraction, XRD) 研究了线切割InSb晶片和内圆切割晶片的表面损伤程度,定量分析了损伤层的厚度,并探讨了影响InSb切割晶片表面损伤的因素。结果表明,线切割InSb晶片的表面较平整,粗糙度小,表面损伤小,损伤层的厚度约为14 μm,小于常规内圆切割晶片。研究结果对大尺寸、大批量InSb晶片的生产及后续加工具有一定的参考价值。     

InSb衬底表面的氧化层研究

能在高温下工作的InSb基InAlSb红外探测器是新一代红外探测器的发展方向。对衬底表面氧化层的研究是该研究方向的基础。利用椭偏仪(Spectroscopic Ellipsometry,SE)、X射线光电子能谱分析(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)对用现工艺生长的InSb衬底表面氧化层进行了分析。从常用的腐蚀液中挑选了较优的腐蚀液,调节配比,试验加入无机酸后的效果,获得了较优的表面氧化层处理液。对处理后的表面氧化层的稳定性进行了对比,分析了其主要成分的变化,最终获得了满足Epi-ready InSb晶片表面氧化层参数的衬底,为后面高温工作探测组件的研究打好了基础。     

星敏感器遮光罩的设计与杂散光分析

杂散光抑制是提高星敏感器精度的重要手段,遮光罩的设计是抑制杂散光的主要途径.对星敏感器遮光罩进行设计,通过SolidWorks软件建模,绘制出遮光罩结构,将得到的结构导入TracePro软件中进行杂散光分析.设定材料表面的双向散射分布函数与光线追迹数目,在不同方位角度对1°～75°之间共16个离轴角度进行了光线追迹,得到系统的PST曲线.结果表明,和改进前的结构相比,PST值降低了一个数量级,且系统的杂散光抑制能力在离轴角30°时达到10-9量级.遮光罩内设计竖直挡光环结构有很好的杂散光抑制作用,使系统杂散光抑制水平得到较大的提高.     

距离和不均匀性对α、β表面活度响应测量结果的影响

采用自主研制的α、β表面污染仪表面活度响应测量定位装置,结合JJG478-1996中表面活度响应的测量方法,采用α、β标准平面源定性和定量地研究距离和不均匀性对α、β表面污染仪表面活度响应值的影响规律。实验量化评估发现,α、β表面活度响应随着距离的变化呈二次多项式关系,相关系数均大于0.99;当α、β表面污染仪探头面积很小,且采用五点法不能覆盖标准平面源的活性区面积时,α、β表面污染仪对该标准平面源的表面活度响应宜采用五点法测量值的平均值;若污染仪的探头面积采用五点法能覆盖标准平面源的活性区面积,则对该标准平面源的表面活度响应尽量在标准平面源活性区的中心位置处测量。