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51.
叙述了自发参量下转换制备双光子纠缠态技术的发展历程、技术原理以及在量子信息学中的应用,并介绍了国内这一领域的进展。 相似文献
52.
给出了具有二三个量是的In1-xGaxAsyP1-y/InP张应变量子阱材料的光荧光谱及x射线双晶衍射摇摆曲线,指出了荧光峰为量子阱中导带子带和阶带子带间本征复合机构所致。理论上分析了光荧光谱中双峰强度比随温度变化的关系,理论计算和实测结果基本一致。 相似文献
53.
1.3μm应变MQW增益耦合的DFB激光器,在温度高达120℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应,使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率,从而使激射波长保持了稳定,通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐,使阀值电流受温度的影响很小,这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内(取决于失谐值),能实现无限特性温度T0。 相似文献
54.
55.
56.
简并量子拍频三能级系统中的光场压缩效应 总被引:10,自引:1,他引:9
本文讨论了V-型简并量子拍频三能级原子与单模相干辐射场相互作用时的动力学行为,并研究了光场的压缩效应。 相似文献
57.
文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度,最后,讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。 相似文献
58.
新型结构的1.3μmGexSi1—x/SiMQW波导探测器的优化设计 总被引:1,自引:1,他引:0
本首次提出了一种新型的环形GexSi1-x/Si波导探测器结构,器件的主体由3μm宽的环形波导构成,器件的输入端是8μm宽的波导,这两部分通过劈形波导过渡连接,各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率,对于器件的材料结构,电学和光学特性进行了仔细的分析与设计,结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2-3倍,而上升下降时间仍然保持 相似文献
59.
报道了用光致发光光谱,吸收光谱和光电流谱研究具有相同组伊阱宽,不同覆盖层厚度的应变In0.20Ga0.80As/GaAs单量子阱结构的实验结果,结果理论计算,观察到GaAs覆盖层厚度对单量子阱结构的材料质量,应力驰豫和发光淬灭机制的影响,确定了各样品应变值和导带不连续因子Qc,并讨论了这种结构发光机制。 相似文献